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公开(公告)号：CN1462463A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n－型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n－型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加给直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n－型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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公开(公告)号：CN1417827A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e－)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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公开(公告)号：CN1293442A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00131773.3
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层,在第一层上形成Au构成的第二层,并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性,与简单物质Cr相比,在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低,且电子很少散射,电子发射效率更高。
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公开(公告)号：CN101233627A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027621.2
申请日：2006-07-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L51/0038 , H01L51/0047 , H01L51/422 , H01L51/442 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机发电装置，其通过接收光而产生电力。该有机发电装置包括正极(2)和负极(3)，其中至少一个电极为透明的；还包括发电层(1)，其由电子施主材料和空穴施主材料的混合物形成并通过接收光产生电力，且放置在正极和负极之间；并且包括无机层(4)，其功函数大于正极的功函数，且放置在发电层和正极之间；由此能够提高发电层分离电荷的效率，从而得到高效且寿命长的有机发电装置。
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公开(公告)号：CN1825521A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004888.1
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825520A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004887.7
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1260767C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN00131773.3
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层，在第一层上形成Au构成的第二层，并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性，与简单物质Cr相比，在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低，且电子很少散射，电子发射效率更高。
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公开(公告)号：CN1254839C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN01801858.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1182561C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN99120728.9
申请日：1999-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/025 , H01J2201/3125 , Y10S977/939
Abstract: 一种场致发射型电子源及其制造方法，该场致发射型电子源具有导电性基板；在导电性基板一表面侧形成的强电场漂移层；在该强电场漂移层上形成导电性薄膜构成的表面电极，表面电极相对于导电性基板作为正极，通过施加电压从导电性基板注入的电子在强电场漂移层漂移，经表面电极进行发射，所述强电场漂移层至少包含：基本上垂直于导电性基板主表面排列的柱状第1半导体单元；介于所述第1半导体单元间纳米级的、由半导体微结晶单元构成的第2半导体单元；形成在所述第2半导体单元表面、膜厚比所述第2半导体单元的结晶粒径小的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1537326A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03800758.4
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01L21/316 , C25D11/32 , H01J1/312 , H01J9/02
CPC classification number: H01L21/02238 , C25D11/32 , C25D21/12 , H01J9/025 , H01L21/02258 , H01L21/02299 , H01L21/0231 , H01L21/31675 , H01L21/31687
Abstract: 公开了用于半导体层的电化学氧化的方法。在用于作为电子器件之一的电子源10(场致发射类型电子源)的生产过程中的电化学氧化处理过程中，基于来自电阻检测部分35的检测电压，控制部分37预先测定由于电解溶液B的电阻导致的电压增量。然后，控制部分37控制电源以供应恒电流，以便引发对于在物体30上形成的半导体层的氧化处理。控制部分37通过从中减去电压增量来校正来自电压检测部分36的检测电压。当校正电压达到给定的上限电压值时，可以操作控制部分37来中断电源32的输出和终止氧化处理。本发明使得可以生产在其特性方面具有减小的变化的电子器件。
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