火花塞及其生产方法
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1050942C

    公开(公告)日:2000-03-29

    申请号:CN97118522.0

    申请日:1997-09-12

    Inventor: 杉本诚 田中穰

    CPC classification number: H01T13/34 H01T21/02

    Abstract: 在一个火花塞内,在对置在一个绝缘子的轴向孔内的位于顶端一侧的中心电极和位于后端一侧的端电极之间有一个空间,玻璃密封是在500到1000℃的温度范围内,并在氧气的浓度为12%体积或更少的条件下进行的。

    火花塞及其制造方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1245356A

    公开(公告)日:2000-02-23

    申请号:CN99107007.0

    申请日:1999-05-21

    CPC classification number: H01T21/02 C03C8/04 H01T13/38

    Abstract: 形成在氧化铝基表面上的釉层包括:SiO2(18—35wt%),B2O3(25—40wt%),ZnO(10—25wt%),BaO(7—20wt%),Na2O(3—9wt%),K2O(3—9wt%)。由于釉层和氧化铝基绝缘材料的线胀系数差较小,釉层不易产生开裂等缺陷。由于釉层的软化点低于传统的铅硅酸盐玻璃基釉料,则烧釉温度也低至800—950℃,因此,即使是烧釉和玻璃密封同步进行时,中心电极和端子金属片也不易发生氧化。另外,即使碱金属成分的含量很高,也可获得良好的绝缘性能,因而,可实现良好的防止跳火功能。

Patent Agency Ranking