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公开(公告)号:CN1245356A
公开(公告)日:2000-02-23
申请号:CN99107007.0
申请日:1999-05-21
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H01T13/00
Abstract: 形成在氧化铝基表面上的釉层包括:SiO2(18—35wt%),B2O3(25—40wt%),ZnO(10—25wt%),BaO(7—20wt%),Na2O(3—9wt%),K2O(3—9wt%)。由于釉层和氧化铝基绝缘材料的线胀系数差较小,釉层不易产生开裂等缺陷。由于釉层的软化点低于传统的铅硅酸盐玻璃基釉料,则烧釉温度也低至800—950℃,因此,即使是烧釉和玻璃密封同步进行时,中心电极和端子金属片也不易发生氧化。另外,即使碱金属成分的含量很高,也可获得良好的绝缘性能,因而,可实现良好的防止跳火功能。
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