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公开(公告)号：CN211063784U
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201922012732.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本公开涉及超声类型的MEMS声换能器和MEMS声换能器。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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