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公开(公告)号：CN113594161B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110875857.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底内的N型阱区；设置在所述N型阱区背离所述半导体衬底表面内的P型阱区；所述P型阱区背离所述N型阱区的一侧具有多个器件模块，所述器件模块包括至少一个MOS单元；相邻所述器件模块之间具有深沟槽隔离结构；同一所述器件模块中，如果具有多个MOS单元，相邻所述MOS单元之间具有浅沟槽隔离结构；其中，所述深沟槽隔离结构的底部位于所述N型阱区内，所述浅沟槽隔离结构的底部位于所述P型阱区内。本发明通过设置双沟槽隔离结构，在减小区域面积的同时，可以增加设计弹性，使电路设计更加灵活，并且可以降低成本，提高器件性能，降低功耗。
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