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公开(公告)号:CN219761738U
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN202320461117.4
申请日:2023-03-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 本实用新型涉及散热领域,公开了一种功率放大器散热结构,该功率放大器散热结构包括散热架、导热结构、散热片和盖板,其中,导热结构固接于散热架的底部,散热架的顶部部分向内凹陷形成有散热空腔,散热片设置多个,多个散热片固接于散热架内;每相邻两个散热片之间形成有流动通道,流动通道均连通至散热空腔;盖板盖设于散热空腔上,盖板上设置有出风口和进风口,出风口位于散热空腔的上方,散热空腔内的空气能够通过出风口排出;进风口位于散热片的上方,盖板于进风口处设置有送风装置,送风装置设置为能够通过进风口向散热片送风。该功率放大器散热结构具有更好的散热效果。
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公开(公告)号:CN218103089U
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202221767409.2
申请日:2022-07-06
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本实用新型公开的S波段高增益放大电路,S波段高增益放大电路包括:数控衰减器,输入端连接射频输入端,输出端依次连接第一级低噪声放大器、模拟衰减器、隔离器、高增益模块,高增益模块的输出端为射频输出端;MCU控制器,MCU控制器与数控衰减器、模拟衰减器及高增益模块中的衰减器通讯连接。本实用新型提供的S波段高增益放大电路可以实现射频信号增益≥45dB,噪声系数≤1.8dB,平坦度≤±0.25dB,发射功率P‑1≥20dBm。
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