公开(公告)号：CN101056822A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038969.7

申请日：2005-11-15

Applicant: 理想星株式会社

Inventor： 笠间泰彦 ,  表研次 ,  柴田昌纪 ,  山下冬子

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明提供可以从煤状物质中通过简单、安全的方法除去碱金属的方法以及利用某种有机溶剂作为分离剂预先提高内含碱金属的富勒烯类的含有率，从而高纯度地进行精制、制造的方法。通过将利用等离子体法或电弧放电法等生成的煤状物质浸渍在水性溶剂中进行搅拌(S100)，除去未与富勒烯类反应的碱金属及其化合物，作为残渣物回收。将该残渣物浸渍在分离剂、例如甲苯中(S101)进行搅拌(S102)。之后进行离心分离等分离为溶液和残渣物(S103)。对于残渣物重复地进行步骤S101～S103，从而预先提高残渣物中的内含碱金属的富勒烯类的含有率。通过将内含碱金属的富勒烯的含有率有所提高的残渣物供于液相色谱(S107)中，不进行复杂的操作即可高纯度地精制、制造内含碱金属的富勒烯类。

公开(公告)号：CN1836333A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023536.X

申请日：2004-08-19

Applicant: 理想星株式会社

Inventor： 笠间泰彦 ,  表研次

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786

Abstract: 线状MISFET的特征是具有柔软性与可挠性、并可形成任意形状的集成电路，常见的构造为源极区与漏极区并列配置的结构。然而，因为决定MISFET的电性通道长度由沿着圆柱形栅极绝缘区的源极区与栅极区间的距离来决定，故难以提高通道长度的细微化与再现性。因此，本发明提供一种在源极区与漏极区间设置由通道区组成的半导体区，形成MISFET结构。间隔着栅极绝缘区对半导体区施加控制电压，控制在源极区与漏极区间流动的电流。由于此通道长度决定于半导体区的膜厚，因此可提高通道长度的细微化与再现性。

公开(公告)号：CN1820552A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019401.6

申请日：2004-07-12

Applicant: 理想星株式会社

Inventor： 笠间泰彦 ,  表研次

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H01L51/0046 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0081 ,  Y10S428/917

Abstract: 作为构成显示装置及照明装置上使用的有机EL发光元件的发光膜的电子输送层或电子注入层，通常使用的掺杂有碱金属的有机材料存在以下问题：由于碱金属非常活泼，容易形成氢氧化物，所以对生产过程控制要求非常严格，同时也需要使发光元件及发光装置达到完全密封，另外，发光元件寿命不够长。作为构成有机EL发光元件的发光膜的电子输送层或电子注入层，使用碱金属内包富勒烯或掺杂有碱金属内包富勒烯的有机材料。碱金属内包富勒烯或掺杂有碱金属内包富勒烯的有机材料不易与大气中的水分及其他杂质发生反应，使生产过程控制变得容易，同时，即使采用简易的封装结构，也能够充分延长发光元件的寿命。

公开(公告)号：CN1820549A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019400.1

申请日：2004-07-12

Applicant: 理想星株式会社

Inventor： 笠间泰彦 ,  表研次

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

Abstract: 使用于显示装置、照明装置的发光元件，由于通常形成于平坦的衬底上，因此在将装置大型化时也必须使制造装置大型化。并且即便一个发光元件有缺陷，装置整体都出故障，具有难以提高成品率的问题。本发明为了解决上述问题，将发光元件作为线状的元件形成，将该线状元件组合，形成平面状的发光装置。由此，可以仅选择合格的线状发光元件制作发光装置，可期待装置的大型化、成品率的提高。