-
公开(公告)号:CN110268316B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN201880010213.9
申请日:2018-01-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板(100A)具有:栅极金属层(14)和源极金属层(16);层间绝缘层(19);形成在层间绝缘层上的第1透明导电层(20)和第2透明导电层(22);以及形成在栅极金属层之下的下侧金属层(12)。下侧金属层包含在列方向上延伸且与多个源极总线(S)不重叠的多个CS总线(12l)。多个像素中的每一个像素包含:漏极延伸设置部(18a),其从漏极电极(18d)延伸设置;第1透明电极(20a);第2透明电极(22a),其连接到漏极延伸设置部;以及辅助电容电极(12a),其包含下侧金属层和/或栅极金属层,与多个CS总线中的任意至少1个CS总线电连接,在从基板的法线方向观看时与漏极延伸设置部重叠。
-
公开(公告)号:CN110114712B
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN201780081298.5
申请日:2017-12-25
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/30
Abstract: 在弯曲液晶面板(10)中,显示面(10DS)绕弯曲轴(CAX)弯曲,该弯曲液晶面板(10)具备:一对基板(10a、10b);TFT(10f),其设置于阵列基板(10b),至少具有源电极(10f2)以及漏电极(10f3);扩张部(21),其在阵列基板(10b)中将TFT(10f)中的至少省去了漏电极(10f3)的构成要素从TFT(10f)的形成范围开始扩张而成,且以相对于TFT(10f)在与弯曲轴(CAX)正交且沿着显示面(10DS)的弯曲方向上相邻的形式配设;以及隔离部(11),其设置于CF基板(10a)而保持一对基板(10a、10b)之间的间隔的,且以与相互相邻的TFT(10f)以及扩张部(21)的至少任一方重叠的形式配设。
-
公开(公告)号:CN109643041B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201780051922.7
申请日:2017-08-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , G06F3/044
Abstract: 提供能够提高触摸检测灵敏度的具有触摸面板的显示装置。具有触摸面板的显示装置具有有源矩阵基板、对向基板以及液晶层,在有源矩阵基板一侧具有触摸面。有源矩阵基板在基板的液晶层一侧具有多个像素电极、多个对向电极以及多条信号线。对向电极检测对触摸面的接触并在与像素电极之间形成电容,且与信号线连接。像素电极与对向电极以在俯视时重叠的方式配置,对向电极设置于比像素电极更靠近基板的位置。对向基板在与液晶层相反的一侧的面具有以与对向电极在俯视时重叠的方式配置的、具有参考电位(接地电位)的屏蔽电极。
-
公开(公告)号:CN110352452B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201880014309.2
申请日:2018-02-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00
Abstract: 阵列基板(10b)具备:多个源极配线(14),其包括第3金属膜(22);多个源极引出配线(30),其第1端侧部分(30a)连接到源极配线(14),第2端侧部分(30b)被输入向源极配线(14)供应的信号,并且其至少在两端侧部分(30a、30b)包含第3金属膜(22);以及备用配线(42),其至少具有与多个源极引出配线(30)的两端侧部分(30a、30b)分别重叠且包括第1金属膜(18)的一对配线重叠部(42a、42b),并能使一对配线重叠部(42a、42b)之间电连接。
-
公开(公告)号:CN110268460B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201880009671.0
申请日:2018-02-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: G09F9/30 , G02F1/133 , G09F9/00 , H03K17/06 , H03K17/687
Abstract: 实现制造成品率高的驱动电路。扫描线驱动电路(47)的单位电路(50)具备支配线(61~65)和冗余配线(51~55)。支配线(61~65)由源极层形成,具备多个连接部(72)。冗余配线(51~55)与支配线(61~65)对应,由冗余配线层形成,具备多个能与支配线(61~65)的连接部(72)连接的连接部(57)。
-
公开(公告)号:CN109313870B
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201780035180.9
申请日:2017-06-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1345 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/50 , G09F9/30
Abstract: 本发明提供可减少连接于信号线的引出线间的寄生电容之差的有源矩阵基板、及具备其的显示装置以及附触摸面板的显示装置。有源矩阵基板包括以相互平行的方式配置在设置于基板上的显示区域的多个信号线(S1~S9),且包括在显示区域外部与多个信号线(S1~S9)连接的多个引出线(L1~L9)。多个引出线(L1~L9)在显示区域外部,至少分为如下三个层而配置,即,形成于离基板最近的位置的最下配线层,形成于离基板最远的位置的最上配线层,形成于最下配线层与最上配线层之间的中间配线层。在与设置于最下配线层的引出线(L3)连接的信号线(S3)和与设置于最上配线层的引出线(L4)连接的信号线(S4)之间形成电容。
-
公开(公告)号:CN110896081A
公开(公告)日:2020-03-20
申请号:CN201910853614.7
申请日:2019-09-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
Abstract: 一种阵列基板、液晶面板以及有机EL显示面板,实现源极配线的冗余化。阵列基板具备:栅极配线,其包括相对于半导体膜隔着第1绝缘膜配置于上层侧的第1金属膜;源极配线,其包括相对于半导体膜隔着第2绝缘膜配置于下层侧的第2金属膜,与栅极配线交叉;栅极电极,其包括第1金属膜;沟道区域,其包括半导体膜的一部分,与栅极电极重叠;源极区域和漏极区域,其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的;源极重叠配线,其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的,与源极区域相连,并且至少一部分与源极配线重叠,通过在第2绝缘膜中的跨越栅极配线的多个位置开口形成的接触孔连接到源极配线。
-
公开(公告)号:CN110275359A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910194465.8
申请日:2019-03-14
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L27/32
Abstract: 提供一种能够抑制配线迂回部的面积的显示装置。显示装置(1)具备基板(100),基板(100)具有显示区域(30)和非显示区域(10),显示装置(1)具备:多个第1种开关元件(TFT1、TFT2);多个栅极线(50),其连接到该多个第1种开关元件的栅极;多个第2开关元件(TFT3);多个副栅极线(60),其连接到该多个第2种开关元件的栅极;以及连接线(70),其将多个栅极线(50)中的任意一个栅极线(50)与多个副栅极线(60)中的任意一个副栅极线(60)连接。
-
公开(公告)号:CN110275339A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910193836.0
申请日:2019-03-14
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1345
Abstract: 提供能够抑制配线迂回部的面积的液晶显示面板。液晶显示面板(1)具备:基板(100),其具有显示区域(30)和非显示区域(10);多个第1配线;多个第2配线,其形成在与上述多个第1配线不同的层;多个触摸面板线(60),其形成在与上述多个第1配线和上述多个第2配线都不同的层;多个触摸面板电极(70),其分别连接有多个触摸面板线(60)中的每一个;以及感测部(80),其配置在基板(100)的一端,连接到多个触摸面板线(60),来自感测部(80)的触摸面板线(60)中的至少任意一个在基板(100)的另一端折回后连接到配置在从感测部(80)来看比非显示区域(10)远的位置的触摸面板电极(70)。
-
公开(公告)号:CN110178169A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201880005786.2
申请日:2018-01-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉田昌弘
IPC: G09F9/30 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 阵列基板(11b)具有:TFT(11f1),其具有栅极电极(11f1)、沟道部(11f4)、源极电极(11f2)、及漏极电极(11f3),该沟道部(11f4)由半导体材料构成,相对于栅极电极(11f1)经由栅极绝缘膜(14)而在上层侧重叠,该源极电极(11f2)与沟道部(11f4)连接,该漏极电极(11f3)在源极电极(11f2)之间隔着间隔而与沟道部(11f4)连接;以及遮光部(21),其相对于沟道部(11f4)、源极电极(11f2)及漏极电极(11f3),经由第1层间绝缘膜(17)而配置在上层侧,该遮光部(21)具有与沟道部(11f4)重叠的第1遮光部(22)、及与栅极电极(11f1)、源极电极(11f2)及漏极电极(11f3)不重叠的第2遮光部(23),该第2遮光部(23)在与TFT(11f)相邻的部分具有开口(24)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-