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公开(公告)号:CN103026398A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180035563.9
申请日:2011-07-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06
CPC classification number: H01L29/78693 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/66969
Abstract: 薄膜晶体管基板(20a)包括:绝缘基板(10a);设置于绝缘基板(10a)上的多个源极端子(15);和以覆盖源极端子(15)各自的一部分的方式设置且包含氧化物半导体的第一端子罩(24)。而且,在相邻的源极端子(15)间的区域(R),第一端子罩(24)被去除。
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公开(公告)号:CN102483546A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201080038924.0
申请日:2010-04-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136218 , G02F2201/40
Abstract: 本发明提供即使进行像素的高精细化也能以简单构成确保所需的辅助电容并且实现像素的开口率的提高的显示装置及其制造方法。本发明的液晶显示装置是具有多个像素的液晶显示装置,薄膜晶体管阵列基板具备:栅极线和源极线,其按格子状配置于支撑基板的主面上;透明像素电极;薄膜晶体管;以及从支撑基板侧起依次层叠的栅极绝缘膜、钝化膜、透明导电膜、第1绝缘膜以及透明像素电极,透明像素电极通过形成于第1绝缘膜中的接触孔与构成薄膜晶体管的漏极电极电连接,从法线方向观看基板面时,透明导电膜与将透明像素电极和漏极电极电连接的区域不重叠。
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公开(公告)号:CN102388338A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201080016336.7
申请日:2010-01-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133707 , G02F1/1393
Abstract: 本发明提供在使用梳齿状电极对液晶施加电压的垂直取向型的液晶显示装置中能减少在电极的顶端产生的液晶的取向不良、具有高对比度和白亮度、且显示特性优良的液晶显示装置及其制造方法。上述液晶显示装置设有用于对被夹持在一对基板间的液晶层施加电压的电极,本发明的液晶显示装置的制造方法包含:抗蚀剂图案形成工序,隔着光掩模对形成于导电膜上的抗蚀剂膜进行曝光处理;以及电极图案形成工序,隔着上述抗蚀剂图案对上述导电膜进行蚀刻处理,上述光掩模具备遮光或者透光图案,上述遮光或者透光图案具备主干部和从该主干部分支的多个支部,上述支部在顶端设有大宽度部。
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公开(公告)号:CN1967363A
公开(公告)日:2007-05-23
申请号:CN200610100319.7
申请日:1996-08-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362
Abstract: 一种透射型液晶显示器件,包括栅极引线;源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件,每一开关元件的栅极与栅极引线相连,开关元件的源极与源极引线相连,漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连,开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连,开关元件的源极与源极引线相连,漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连,开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜,中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。
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公开(公告)号:CN1881059A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200610100356.8
申请日:1996-08-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333
Abstract: 一种透射型液晶显示器件,包括栅极引线;源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件,每一开关元件的栅极与栅极引线相连,开关元件的源极与源极引线相连,漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连,开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连,开关元件的源极与源极引线相连,漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连,开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜,中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。
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公开(公告)号:CN109496281B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201780046585.2
申请日:2017-07-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , G06F3/044 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有触控面板的显示装置,即使对于大型化以及高清晰化的面板,也能够得到期望的触摸检测性能。本发明的具有触摸面板的显示装置包括有源矩阵基板(1)。有源矩阵基板(1)在基板(40)上包括多个像素电极、多个对向电极(21)以及设置于像素电极与对向电极(21)之间的绝缘膜(46)。另外,有源矩阵基板(1)包括与多个对向电极(21)的任意一个连接的多条信号线(22)、与多个像素电极的每一个连接的多个开关元件以及设置于像素电极与信号线(22)以及开关元件之间的有机系绝缘膜(45)。信号线(22)连接于基板(40)。
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公开(公告)号:CN109690661A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201780053900.4
申请日:2017-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板(1001)具备:多个检查用TFT(10Q),其配置在非显示区域(900);以及检查电路(200),其包含多个检查用TFT(10Q),多个检查用TFT(10Q)的至少一部分配置在搭载半导体芯片的半导体芯片搭载区域(R)内,多个检查用TFT(10Q)各自包含:半导体层;下部栅极电极(FG),其隔着栅极绝缘层配置在半导体层的基板侧;上部栅极电极(BG),其隔着包含第1绝缘层的绝缘层配置在半导体层的与基板相反的一侧;以及源极电极和漏极电极,其连接到半导体层。
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公开(公告)号:CN104704547B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201380051576.4
申请日:2013-09-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1244 , G02F1/133345 , G02F1/136204 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , H01L27/0296 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L29/7869
Abstract: 阵列基板(11b)包括:第一二极管(29),其具有由第二金属膜(38)构成的第一电极部(29a、29b)、和通过第一二极管侧开口部(29c1、29c2)与第一电极部(29a、29b)连接的第一半导体部(29d);接触部(32),其具有由第一金属膜(34)构成且在栅极配线(19)的端部形成的栅极配线侧连接部(48)和通过接触部侧开口部(49a)与栅极配线侧连接部(48)连接的二极管侧连接部(50);和静电保护部(51),其具有由半导体膜(36)构成,用于引导在将第二金属膜(38)成膜前的阶段在第一二极管(29)和接触部(32)中的任一方产生的静电的静电引导部(52),和由保护膜(37)构成,具有在俯视时与静电引导部(52)重叠的位置贯通形成的静电引导开口部(53a)的引导部保护部(53)。
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公开(公告)号:CN103314403B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201280004999.6
申请日:2012-01-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L33/08 , G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F1/1345 , G02F2001/136231 , G02F2201/501
Abstract: 在有源矩阵基板的显示区域设置有:包括感光性有机绝缘膜的层间绝缘膜;与层间绝缘膜不同的绝缘膜;和形成在层间绝缘膜的表面的多个像素电极。在有源矩阵基板的非显示区域形成有从显示区域引出的引出配线。在密封部件的形成区域,上述层间绝缘膜被去除,并且以覆盖引出配线的一部分的方式设置有绝缘膜,在绝缘膜的表面直接形成有密封部件。
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公开(公告)号:CN103026398B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201180035563.9
申请日:2011-07-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06
CPC classification number: H01L29/78693 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/66969
Abstract: 薄膜晶体管基板(20a)包括:绝缘基板(10a);设置于绝缘基板(10a)上的多个源极端子(15);和以覆盖源极端子(15)各自的一部分的方式设置且包含氧化物半导体的第一端子罩(24)。而且,在相邻的源极端子(15)间的区域(R),第一端子罩(24)被去除。
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