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公开(公告)号：CN117139894A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311102426.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了的一种用于低活化钢/Ti3SiC2陶瓷连接件的复合中间层及使用方法，其中，复合中间层包括从上到下依次排列的金属Ⅰ、中间金属层和金属II；金属Ⅰ和金属Ⅱ均选自钛或锆，金属Ⅰ和金属Ⅱ的厚度均为10～50μm；中间金属层为铜或铜合金，厚度为0.4～0.6mm；还公开了复合中间层用于低活化钢/Ti3SiC2陶瓷连接件的瞬间液相连接方法。本发明中的复合中间层不含高活化元素，在低于低活化钢的正火热处理温度下进行焊接并形成强度较高有望应用于核环境的耐高温连接件。
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公开(公告)号：CN117066523A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311070900.9
申请日：2023-08-23
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 一种微波真空电子器件中阴极用海绵钨基体的粘结剂喷射3D打印制备方法，涉及微波真空电子技术及难熔金属粉末冶金领域。首先对单一粒度的W粉末参数进行测算，或者对不同粒度的W粉末进行配比混粉并测算松装密度、振实密度等参数；然后将W粉末或者混合W粉末加入打印机料斗中，设置打印参数并进行粘结剂喷射3D打印，制得多孔钨生坯件；接着将多孔钨生坯件加热固化处理，去除粘结剂中的水分；最后加热脱脂处理去除粘结剂，升温进行烧结制得海绵钨基体。本发明无需渗铜、去铜等步骤来获得海绵钨基体，利用粘结剂喷射3D打印的特点和优势，提供了一种微波真空电子器件中阴极用海绵钨基体的快速制备方法，具有直接成型，孔隙率可控等优势。
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公开(公告)号：CN114932222B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210691729.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 合肥工业大学智能制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高钨铜合金致密度的方法，包括配置填充溶液、钨铜合金粗坯的浸泡、钨铜粗坯的烧结等步骤。本发明一种提高钨铜合金致密度的方法，通过将钨铜合金粗坯放置在孔隙填充溶液中浸泡，再干燥、烧结，利用三步烧结工艺，能够将孔隙处的多种氧化物还原成Cu、W以及Ni，从而填充孔隙而提高致密度。而且，Ni的加入可增大粉末的活性，改善了Cu的流动性能，提高了Cu的扩散迁移速度，同时Ni与Cu能够形成Cu‑Ni固溶体相使W在Cu‑Ni相中具有一定的溶解度以增加W‑Cu之间的界面结构，从而进一步提高致密度。本发明工艺过程简单，可处理复杂形状的合金零件，且成本较低，生产效率高，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN116835547A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310676386.7
申请日：2023-06-08
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低电位下催化产乙烯的磷酸铜纳米片的制备方法，是以商业铜粉为前驱体，以PBS缓冲溶液为反应介质，经超声处理后，即将商业铜粉转化为Cu3(PO4)2纳米片。本发明提供的方法原料来源广泛、操作简单，所制备的磷酸铜纳米片可在电催化还原二氧化碳反应中作为催化剂应用，有着优异的性能，其产生乙烯所需要的电位比铜粉更低。
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公开(公告)号：CN114772561B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210492727.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C01B19/00 , C01B32/05 , H01M4/36 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结，将中空多壳层含Sn金属@碳结构与硒粉进行混合后，在氩气气氛保护下退火得到产物中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结。中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结应用于高性能钠离子电池负极材料。该中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结可以将中空多壳层结构与过渡金属硒化物相结合应并在钠离子电池负极材料中进行应用。
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公开(公告)号：CN116657087A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310604512.8
申请日：2023-05-26
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种掺银铜类石墨纳米多层膜及制备方法，多层膜包括依次沉积在基底上的纯Cr结合层、Ag+Cu/GLC复合膜和类石墨膜。制备方法包括在磁控溅射反应室内，在四个垂直于水平面并相互呈90度方向安一个石墨靶、一个Cr靶、一个Cu靶和一个Ag靶，Cu靶和Ag靶呈180°间隔放置；在转架台上放置基底；对磁控溅射反应室抽真空后通纯氩气，以Cr靶为溅射靶材溅射清洗靶材和基底；在氩气氛围中，以Cr靶为溅射靶材在基底上溅射沉积得纯Cr结合层；通氮气，以Ag靶、Cu靶、纯石墨靶为溅射靶材，同时溅射沉积得Ag+Cu/GLC复合膜；以石墨靶为溅射靶材溅射沉积得类石墨膜。本发明的多层膜耐摩损性能好，摩擦系数低。
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公开(公告)号：CN116652201A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310397780.7
申请日：2023-04-14
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明涉及合金制备技术领域，公开了一种高性能钨铼合金制备方法，包括如下步骤：步骤一：钨铼合金粉体的制备，将一定比例的偏钨酸铵、铼酸铵、草酸分别溶解去离子水中，并将溶液置于磁力搅拌器中进行加热，升温至100‑120℃，待溶液反应3‑5h，前驱体溶液固含量在25％‑32％。随后利用喷雾干燥设备制备前驱体粉末，设置喷雾干燥参数：进风温度200‑230℃、出风温度100‑120℃、雾化器转速300‑350r/min、进料速率1‑2L/h。随后对钨铼前驱体进行氢气还原，将钨铼前驱体平铺在烧舟中，再将烧舟放入氢气还原炉中，对氢气还原炉抽真空处理并随后通入氢气。本发明提出的制备方法能制备出具备良好固溶度、高的高温强度、高硬度、高致密度且具备一定延展性的单相钨铼合金。
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公开(公告)号：CN116607036A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310582830.9
申请日：2023-05-19
Applicant: 合肥工业大学 , 安徽恒均粉末冶金科技股份有限公司
Abstract: 一种利用金属氢化物制备弥散强化铜基复合材料的方法，涉及金属基复合材料制备领域，由金属氢化物粉末、氧化剂粉末以及铜粉经过机械合金化以及烧结致密化制备得到金属氧化物颗粒弥散强化铜基复合材料。本发明以脆性金属氢化物作为氧化物弥散颗粒前驱体，添加氧化剂，利用氧化还原反应生成金属氧化物颗粒，形成细小、分布均匀的金属氧化物弥散相，最终通过放电等离子体烧结致密化获得金属氧化物颗粒弥散强化铜基复合材料，其抗拉强度均达到300MPa以上。本发明可以解决常规制备方法中出现弥散相颗粒尺寸偏大、易团聚的难题，大幅提升铜基材料的力学性能、电学性能以及高温稳定性，除此之外，简化了制备流程，节约能源。
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公开(公告)号：CN116575026A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310577073.6
申请日：2023-05-22
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种密封件用Fe基WC/TiN/ZrO2/CeO2耐磨涂层及其制备方法，所述耐磨涂层包括以下质量百分数的组分：WC12％‑16％、纳米TiN5％‑15％、纳米ZrO2/CeO2稀土化合物3.5％‑7.5％、余量为Fe基合金粉末。所述制备方法包括以下步骤：将WC粉末、纳米TiN粉末、纳米ZrO2/CeO2稀土化合物粉末、Fe基合金粉末采用超声波和球磨结合的方式混合均匀，配制成熔覆原料，将熔覆原料利用激光熔覆技术熔覆在密封环表面，即得所述密封件用Fe基WC/TiN/ZrO2/CeO2耐磨涂层。本发明制备的耐磨涂层强韧性好、耐腐蚀性好、不易剥落。
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公开(公告)号：CN116474971A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310332660.9
申请日：2023-03-30
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明涉及一种压铸模具喷涂用控制气分配装置，包括分配块、雾化气接头、多个控制气接头、多个雾化控制气接头、阀基座以及阀组。分配块雾化气孔一、多个控制气孔一以及多个雾化控制气孔一。雾化气接头用于向雾化气腔提供雾化气。多个控制气接头分别用于向多个控制气孔一提供控制气。多个雾化控制气接头分别用于向多个雾化控制气孔一提供雾化控制气。阀基座开设有多个雾化气孔二、多个控制气孔二、多个雾化控制气孔二以及多个雾化气出孔。多个阀组分别安装在多个雾化控制气孔二内，各阀组能够在所述雾化控制气的驱动下开启，以使雾化控制气孔二与对应的雾化气孔二、雾化气出孔同时连通。本发明将各气路元件集中在一起，简化了管路连接。
