一种基于磁模式Fano共振的折射率传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111579533A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010509590.6

    申请日:2020-06-08

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明公开一种折射率传感器,包含以下结构:七聚体纳米天线、介质层及耦合金属层。所述的折射率传感器利用磁模式的Fano共振随环境折射率的变化进行工作。本发明还公开一种制备所述的折射率传感器的方法,包括以下步骤:硅片清洗、镀金膜、生长介质膜、样品清洗、旋涂电子束曝光胶、电子束曝光、显影、定影、镀金膜、剥离、去胶。

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