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公开(公告)号：CN102570902B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210016196.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 厦门大学 , 江苏奥力威传感高科股份有限公司
Abstract: 一种压电-静电复合式微机械振动能量收集器及制造方法，涉及一种能量收集装置。收集器设有芯片主体和芯片外部电路；主体为三层片状结构，主体设有上玻璃片器件、SOI片器件、下玻璃片器件、压电陶瓷片组、压电陶瓷片电极和可变电容极板电极。外部电路设有整流电路、滤波电容、第一开关、第二开关和能量储存电容；或设有整流电路、滤波电容、第一开关、第二开关、能量储存电容以及可变电容极板启动电源。制造方法如下：下玻璃片器件制作；SOI片器件制作；上玻璃片器件制作；装配；连接芯片外部电路。制备过程较简单、可克服传统的溶胶凝胶制备PZT所带来的器件稳定性和性能较差等缺点，同时可实现能量的宽频带和高效率收集。
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公开(公告)号：CN103487155A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310416802.6
申请日：2013-09-13
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/00 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种SiCN陶瓷无线无源温度传感器及其制备方法，涉及温度传感器。所述温度传感器设有圆柱形SiCN非晶态陶瓷温敏元件，在圆柱形SiCN非晶态陶瓷温敏元件的表面设有耐高温金属层并形成谐振腔，在谐振腔表面设有槽天线。1）制备圆柱形SiCN非晶态陶瓷温敏元件；（1）先制备SiCN陶瓷素胚；（2）在惰性气体保护下，将SiCN陶瓷素胚热解，再退火处理后，得温敏元件SiCN非晶陶瓷体；2）在温敏元件SiCN非晶陶瓷体上表面的槽天线区域用聚酰亚胺胶带保护，在温敏元件SiCN非晶陶瓷体表面镀金属层，再将聚酰亚胺胶带去除后，所留区域即为收发电磁波信号的槽天线，得圆柱形SiCN陶瓷无线无源温度传感器。
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公开(公告)号：CN102980712A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210529953.8
申请日：2012-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 一种具有自封装结构的贴片式单电阻压阻式压力传感器，涉及一种压力传感器。设芯片主体、压敏电阻、连接锚点、金属层、镶嵌电路、印刷电路板、电极、锡钎焊和压力腔；芯片主体设带空腔的玻璃晶圆片和硅薄膜，玻璃晶圆片与硅薄膜通过阳极键合结合；压敏电阻设在硅薄膜下表面，金属层溅射在连接锚点上，连接锚点与金属层形成欧姆接触，镶嵌电路分别与压敏电阻和连接锚点相连接，镶嵌电路设于玻璃晶圆片表面上，电极设于印刷电路板上，芯片上的铜电极由锡钎焊与电极连接并组成惠斯登电桥；压敏电阻通过键合界面引出电极与外界焊盘实现电连接，镶嵌电路将密封的压力腔内的信号输出至外部电路。高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境。
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公开(公告)号：CN101404464A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810072108.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H02N1/00
Abstract: 复合型微能源系统及其制备方法，涉及一种微能源系统。提供一种可有效提高能量搜集效率，特别适用于为微系统或微器件提供“永久性”工作能源的复合型微能源系统及其制备方法。设有3片基片、2层金属层和接触开关，3片基片成三明治结构，从下至上依次为第1、第2和第3基片，在第2基片下表面加工PN结，接触开关设于第1与第2基片之间。在具有规则分布的具有三维结构(深孔阵列或柱型阵列)的PN结收集同位素辐射能的基础上，在系统中集成利用金属不同功函数将β射线产生的静电感应振动能量转换为电能，达到有效提高能量搜集效率的目的。
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公开(公告)号：CN112750548B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110133386.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种放射性的三维纳米结构辐伏电化学电池，包括由衬底电极及其表面集成的半导体三维纳米结构共同组成的阳极、阴极以及填充在阳极和阴极之间的电解质，衬底电极、半导体结构和阴极至少之一具放射性，衬底电极可采用稳定元素被同类型的放射性同位素取代后的辐化衬底电极；半导体可采用稳定元素被同类型的放射性同位素取代后的辐化半导体；阴极可采用稳定元素被同类型的放射性同位素取代后的辐化阴极。放射性同位素产生的射线包括α粒子和β粒子，其与半导体相互作用产生大量的电子‑空穴对，在固液异质结构成的内建电场的作用下空穴与电解质发生氧化反应迁移至阴极，电子经由外电路转移到阴极与电解质发生还原反应，构成闭合回路产生输出电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116715184A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310887313.2
申请日：2023-07-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种自封装温度自监测热红外发射芯片及其制备方法，包括硅基发光薄膜和玻璃基底；所述玻璃基底设有空腔，并与硅基发光薄膜通过阳极键合密闭；所述硅基发光薄膜同时也作为芯片有源结构的封装薄膜，实现芯片自封装目的；硅基发光薄膜从下至上包括加热电阻和测温电阻、隔离氧化硅层、硅器件层、红外辐射层；加热电阻与测温电阻设于隔离氧化硅层的表面，并密封于玻璃基底的空腔中，分别通过掩埋电极连接电极焊盘与外部相连，实现原位监测硅基发光薄膜的温度并避免加热电阻和测温电阻的氧化；隔离氧化硅层设于硅器件层的表面，红外辐射层置于硅器件层的另一表面；玻璃基底的背面和空腔底部设有红外反射层，用于把加热电阻产生的红外光反射回加热电阻。
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公开(公告)号：CN108267235A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810009046.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/00 , H01Q1/22 , C04B35/584 , C04B35/622
CPC classification number: G01K7/00 , C04B35/589 , C04B35/622 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/77 , H01Q1/225
Abstract: 加载贴片天线的SiCN无线无源温度传感器及制备方法，涉及一种温度传感器。传感器设有陶瓷温度敏感元件，在陶瓷温度敏感元件表面设有金属层并形成谐振腔，在谐振腔上表面金属层设有缝隙，在谐振腔上方设有陶瓷基贴片天线。制备圆柱形陶瓷温度敏感元件；制备圆柱形谐振腔；制备陶瓷基板贴片天线；制备无线无源温度传感器。无线无源温度传感器采用SiCN作为温度敏感元件，在温度敏感元件表面镀金属层形成谐振腔，在谐振腔上表面金属层开缝隙，在谐振腔上方加载陶瓷基贴片天线。由聚合物先驱体热解法制备的SiCN陶瓷温度敏感元件可耐1400℃以上，在谐振腔上方加载的陶瓷基耐高温贴片天线，其陶瓷基底和金属贴片能耐1000℃以上。
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公开(公告)号：CN106990262A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710311987.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 厦门大学
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P15/08
Abstract: 一种热对流加速度计，包括密封腔体、加热元件、若干感温元件和测量电路，该密封腔体内填充有惰性气体；该加热元件悬空地安装于密封腔体中部以对惰性气体进行加热并产生热对流；该若干感温元件悬空于密封腔体内并围绕加热元件对称设置以根据温度变化输出不同阻值；该测量电路与感温元件相连构成惠斯通电桥，通过测量惠斯通电桥上的两点电压值变化结合比例关系得到加速度或倾斜角信号。本发明在继承了微机械热对流式加速度计优势的基础上，由于制造工艺简单，材料易获取，能够极大地降低热对流式加速度计的成本。
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公开(公告)号：CN104200864B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
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公开(公告)号：CN104101445B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410357668.1
申请日：2014-07-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法，涉及温度传感器。所述传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件、谐振腔、耦合激励端口和共面波导线；温敏元件设于共面波导线上，温敏元件表面包裹有耐高温金属层，耐高温金属层形成谐振腔，在谐振腔的侧表面设耦合激励端口，谐振腔通过耦合激励端口与共面波导线直接耦合。先制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件；在温敏元件侧表面对应耦合激励端口处，用聚酰亚胺胶带保护后，再在温敏元件表面电镀上金属层而形成谐振腔，去除聚酰亚胺胶带，即得侧表面带有耦合激励端口的谐振腔；制备共面波导线；将谐振腔放置在共面波导线上，使耦合激励端口与共面波导线耦合，并键合，交联固化后即得。
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