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公开(公告)号：CN113192820A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110272273.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN111180562A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010026871.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层，其结构特点是：在氮化镓基二极管中，位于氮化镓与铟镓氮量子阱之间，所述氮化镓在先，所述铟镓氮量子阱在后，所述锥形坑位于所述薄层的表层，所述铝元素无需连续均匀分布，可离散或随机分布于所属薄层的任意位置。本发明的优点是：（1）使在铟镓氮基二极管的制造中，沉积的铟镓氮量子阱晶体质量提高；（2）减少铟镓氮基二极管制造过程中使用的含铟原料，节约铟镓氮基二极管的制造成本；（3）减少铟镓氮基二极管的制造时间，提高铟镓氮基二极管的生产速率；（4）减少铟镓氮基二极管中位错处的漏电，提高铟镓氮基二极管的电、光学性能。
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公开(公告)号：CN111170270A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010012436.8
申请日：2020-01-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于电场调控形貌的表面微结构制备方法，它通过液滴凝结或者液滴打印的方法在第一聚合物表面制备液滴阵列，将第二聚合物盖在第一聚合物上，使液滴压印进入第二聚合物内部，在第一聚合物和第二聚合物之间施加电场作用，驱动液滴变形从而对液滴形貌进行调控，保持电压不变的情况下采用热固化或者紫外照射固化实现第二聚合物固化，从而在第二聚合物表面压印得到与液滴对应的微结构阵列。本发明采用液滴作为微结构阵列制备的模板，简化了制备工艺，通过外加电场的方法对液滴形貌进行调控，进而调控微结构阵列的形貌，具有工艺简单、成本低、微结构形貌灵活可控的优点。
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公开(公告)号：CN107188114B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710351836.X
申请日：2017-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法，它通过主动制冷的液滴凝结技术，使置于一定蒸气环境下的聚合物表面温度低于环境温度，从而空气中的蒸气在聚合物表面成核，凝结长大并自组装成均匀分布的液滴，采用紫外固化实现聚合物固化和液滴蒸发，在聚合物表面得到均匀分布的微结构。本发明仅仅采用单相的聚合物材料，采用主动制冷实现聚合物温度降低，实现液滴凝结，用于替代传统的利用有机溶剂挥发制冷的表面微结构制备技术，简化了制备工艺，避免了由于有机溶剂使用带来的对人体的毒害以及环境污染等问题，具有工艺简单、成本低、微结构尺寸和形貌灵活可控和绿色环保的优点。
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公开(公告)号：CN107068818B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106910804B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106711300B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611222884.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构，InxGa(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄色发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109920893A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910126473.9
申请日：2019-02-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流扩展特性的反极性AlGaInP LED芯片及制备方法，该反极性AlGaInP LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P面电流扩展层、发光层、粗化层、N面欧姆接触层、N面扩展电极和焊盘。本发明的反极性AlGaInP LED芯片的制备方法采用等于或小于N面扩展电极线宽的掩膜版对N面欧姆接触层进行图案化蚀刻，完全去除N面扩展电极两侧具有吸光作用的N面欧姆接触层，先完成粗化腐蚀、腐蚀切割道等化学蚀刻工艺，最后制备N面扩展电极和焊盘，提高产品的光提取效率和良率；并在P面电流扩展层上制备P面反射电极，可以避免遮光的N面扩展电极和焊盘正下方区域不必要的出光，更大程度地提高反极性AlGaInP LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN108447854A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810299136.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/58
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法，LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
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公开(公告)号：CN108336199A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810194487.X
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
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