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公开(公告)号：CN114836818B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210545395.8
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域，公开了一种Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿闪烁晶体的制备方法，首先将原料加入溶剂制得饱和前驱体溶液，然后将饱和前驱体溶液使用反溶剂法制得晶体。本发明的Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿晶体制备时采用反溶剂法，操作简单、可控性强，能够实现大规模工业化生产；同时采用该方法制备的晶体透明度好、稳定性好、量子发光效率高，并且检测限低、无生物毒性、辐照耐性强，具有优异的核辐射探测性能。
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公开(公告)号：CN114836818A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210545395.8
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域，公开了一种Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿闪烁晶体的制备方法，首先将原料加入溶剂制得饱和前驱体溶液，然后将饱和前驱体溶液使用反溶剂法制得晶体。本发明的Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿晶体制备时采用反溶剂法，操作简单、可控性强，能够实现大规模工业化生产；同时采用该方法制备的晶体透明度好、稳定性好、量子发光效率高，并且检测限低、无生物毒性、辐照耐性强，具有优异的核辐射探测性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114804146A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210390502.4
申请日：2022-04-14
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种全硅CHA分子筛膜的制备方法，利用二次生长法在无氟体系中制备全硅CHA分子筛膜。包括以下步骤：(1)全硅CHA分子筛晶种制备；(2)多孔载体上预涂敷晶种；(3)二次生长法制备全硅CHA分子筛膜。本发明采用的溶胶态无氟二次生长法大幅提升了膜制备重复性和过程的环境友好性。本发明所制备的全硅CHA分子筛膜膜层均匀且致密，对CO2/CH4和CO2/N2混合气体具有良好的优先透CO2性，可用于天然气纯化和烟道气碳捕集。
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公开(公告)号：CN110534655B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810509341.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子点薄膜及其制备方法和器件，钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括以下步骤：将AX、BX2和短链有机配体溶于溶剂中获得钙钛矿ABX3前驱体溶液，其中A为金属阳离子或烷基铵离子、B为二价金属阳离子、X为卤素阴离子；在旋涂过程中结合反溶剂法原位生长钙钛矿量子点薄膜，并进行加热退火。本发明的优点是在旋涂制备薄膜过程中原位生长钙钛矿量子点，薄膜成膜性好、荧光量子效率高、制备工艺简单、发光波长可调，并且可采用短链有机配体，使量子点薄膜的导电性提升，有利于制备出更高效、稳定的钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN108630825A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710177751.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性钙钛矿材料以及方法和器件，所述钙钛矿材料的前驱体溶液通过AX、BX和MX2按摩尔比1～100:1～100:1～100、质量浓度1％～60％配制得到；其中A+是带有卤素取代基的有机阳离子，A+结构式为R(X)n-Y+，R为具有1～50个碳原子的脂族烃基、具有5～100个碳原子的脂环族烃基、具有6～100个碳原子的任取代的芳基或具有3～100个碳原子的任取代的杂环基，X是取代R中任意碳上连接的氢的卤素，n＝1～300，Y+为伯铵、仲铵、叔铵、季铵、脒、含N杂环有机阳离子中的任意一种；B+为金属阳离子或烷基铵盐；M2+为二价金属阳离子；X为卤族元素。通过在钙钛矿材料中引入碳上含卤素取代的有机组分，形成稳定的维度可调的钙钛矿材料，在保证器件效率的前提下，器件稳定性得到显著提高。
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公开(公告)号：CN108305948A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710019208.1
申请日：2017-01-11
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件，通过薄膜后处理工艺来调节钙钛矿材料多量子阱结构；选用的材料为可自组装形成多量子阱结构的钙钛矿材料，该材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到，其中A为R1-Y+，R1-为具有1～50个碳原子的脂族烃基、具有5～100个碳原子的脂环族烃基、具有6～100个碳原子的任取代的芳基或具有3～100个碳原子的任取代的杂环基，Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种；B为甲胺、甲脒或金属离子；M为金属元素；X1X2X3为卤族元素；薄膜后处理条件为：加热退火、溶剂退火、真空干燥三者之一或其组合；通过多量子阱结构的调控可实现器件效率的优化。
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公开(公告)号：CN105895803B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610051400.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L51/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L51/42 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光电器件，包括衬底、电极层和功能层，所述电极层设置于衬底表面，功能层设置在电极层之间，功能层至少包括钙钛矿层，其中，所述钙钛矿层为具有自组装多量子阱结构的钙钛矿材料，通过调整材料组分，可实现多量子阱宽度的可控调节及多量子阱之间有效的能量转移，发光颜色可以是近紫外、可见光和近红外光，并且可有效解决现有钙钛矿材料薄膜不连续和稳定性差的问题。本发明制备钙钛矿光电器件的工艺简单、成本低廉，适合广泛应用于大面积、低成本、柔性衬底和高性能器件的工业化生产。本发明还公开了一种钙钛矿材料，可用于光致发光、电致发光、光伏及薄膜晶体管器件中。
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