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公开(公告)号：CN103337255A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310250101.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种针对RRAM的快速写验证方法，包括：创建并初始化查找表，将计数器的值i初始化为0，计数器用来记录一次写操作过程中施加电压脉冲的次数，判断RRAM的存储单元要求写“0”还是写“1”，如果要求写“0”则在RRAM的存储单元两端施加一次反向电压脉冲，其幅值为V_0（i），以改变RRAM存储单元的阻值，并设置计数器i=i+1,读取RRAM存储单元的阻值，并判断该RRAM存储单元阻值是否低于预设的高阻态阻值阈值R_H，如果是，则判断计算器i是否小于最大施加电压脉冲次数N_max，如果不是则表示写操作失败。本发明可使RRAM存储单元的阻值尽可能地快速分布在预设的高阻态或低阻态范围内，因而可容易区分存储单元的高阻态和低阻态，由此保证RRAM读写的准确性。
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公开(公告)号：CN102270488A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110111877.4
申请日：2011-05-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种内置二级定位与热飞高控制合成致动器的硬盘滑块，通过在读磁头下保护层以磁头为中心对称设置的两个致动器，致动器包括主要包括加热器和散热器。启动加热器，在离轨方向上对磁头产生两个相反方向的驱动力用以二级定位，在垂直磁盘盘片方向上对磁头产生两个同向的驱动力用以飞高控制。此外，由于散热器将加热器产生的热量通过空气轴承传导到磁记录介质上，可大大提高本发明基于热膨胀机制的微驱动器的响应频率，并减小在微场强下对高矫顽力介质进行写操作的难度。
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公开(公告)号：CN101477803A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810197557.3
申请日：2008-11-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11B5/596
Abstract: 本发明属于计算机存储设备技术领域，为一种采用单滑块双读写微磁头的自伺服刻写方法。该方法包括①在磁盘外径设定时钟参考信号；②根据位于外径上的读磁针读出的时钟参考信号，使内径方向上的写磁针定位在0道并由其刻写0道伺服信息；③前一道伺服信息写完后，磁头臂开始向内侧移动；④当位于外径方向的读磁针读出位于内径方向的写磁针写在上一道上的伺服信息时，磁头臂停止移动，并由位于内径方向的写磁针刻写下一道伺服信息；⑤重复第③步和第④步，直至所有磁道伺服信息刻写完成。本发明方法可提高硬盘生产效率，降低生产成本。本发明方法的数据正常读写操作时间明显减少，双微磁头并行读写还会使寻道次数随之减少，总寻道时间和盘片旋转等待时间减少，故硬盘读写速度随之提高。
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公开(公告)号：CN100458916C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610125381.1
申请日：2006-12-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种磁盘伺服信息校验方法及其装置，属于磁盘伺服刻写及校验领域，本发明方法步骤为：(1)装盘片到伺服刻写机；(2)进行伺服刻写；(3)直接在伺服刻写机上校验磁盘的伺服信号；(4)盘片的伺服信号正常则进行步骤(5)，否则进行步骤(6)；(5)装载盘片到磁盘驱动器上，进行最终测试；(6)检验盘片能否修复，可以修复则转步骤(2)重新刻写伺服信号；否则舍弃盘片。本发明装置包括伺服刻写设备、滤波放大电路、片上系统芯片的局部响应最大似然读通道。本发明实现了伺服刻写机内的磁盘伺服信息校验；减少人工操作过程及其风险，避免重复装载和拆卸盘片的过程，减少磁盘伺服信息刻写和校验时间。
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公开(公告)号：CN101034552A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610125381.1
申请日：2006-12-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种磁盘伺服信息校验方法及其装置，属于磁盘伺服刻写及校验领域，本发明方法步骤为：(1)装盘片到伺服刻写机；(2)进行伺服刻写；(3)直接在伺服刻写机上校验磁盘的伺服信号；(4)盘片的伺服信号正常则进行步骤(5)，否则进行步骤(6)；(5)装载盘片到磁盘驱动器上，进行最终测试；(6)检验盘片能否修复，可以修复则转步骤(2)重新刻写伺服信号；否则舍弃盘片。本发明装置包括伺服刻写设备、滤波与放大电路、片上系统芯片的局部响应最大似然读通道。本发明实现了伺服刻写机内的磁盘伺服信息校验；减少人工操作过程及其风险，避免重复装载和拆卸盘片的过程，减少磁盘伺服信息刻写和校验时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1971713A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610125383.0
申请日：2006-12-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种磁盘伺服信息刻写方法，属于磁记录装置的信息存储方法，减少在净房环境的加工程序，从而降低制造成本。本发明步骤为：(1)在净房中，用外部伺服刻写设备在磁盘上写入预刻写伺服道；(2)利用磁盘驱动器读预刻写伺服道中的低频同步信号产生粗糙计时恢复信号、读预刻写伺服道中的高频信号产生精确计时恢复信号；(3)在磁盘驱动器内由粗糙计时恢复信号和精确计时恢复信号产生伺服刻写时钟信号；(4)利用伺服刻写时钟信号通过磁盘驱动器内控制电路推动磁头沿着同心圆数据道刻写实际伺服信息。本发明可以在现有伺服刻写设备的基础上，大大提高净房资源利用率，显著加快刻写速度，提高关键资源利用率，降低磁盘制造成本。
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公开(公告)号：CN1415481A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02139129.7
申请日：2002-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 激光热转印机，属于热转印技术使用的装置，特别涉及使用固体激光器进行热转印的装置，其使用高精度振镜控制激光直接快速加热热转印物质达到转印目的。本发明包括激光器、光学扫描系统和纸传送机构，光学扫描系统由激光器出光光路依序置放的准直透镜、振镜、振镜出光方向的F－θ透镜组成，F－θ透镜和纸传送机构之间设置碳带传送机构，它包括碳带辊和收带辊。本发明转印速度快，精度高，无磨损，比激光打印机转印工序简单，误差小。
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公开(公告)号：CN103607321B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310576186.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种FCoE虚链路故障检测方法，包括：FCoE设备在虚链路上发送完一个FCoE报文后，设置虚链路空闲定时器；如果在虚链路空闲定时器超时前，FCF或ENode接收到数据，则删除虚链路空闲定时器；反之，如果虚链路空闲定时器超时，FCoE设备设置虚链路失效定时器，并向对端FCoE设备发送维持FCoE虚链路的报文；当所设置的虚链路失效定时器超时时，如果所述FCoE设备尚未收到对端FCoE设备的反馈，则所述FCoE设备检测出与对端FCoE设备之间的FCoE虚链路出现故障。本发明只在虚链路空闲时按照较小的周期发送维持FCoE虚链路的报文，既能够快速检测出FCoE虚链路的失效情况，又不影响网络带宽。
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公开(公告)号：CN102567213B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110391502.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的写均衡方法，包括：将一个大容量的相变存储系统分成多个存储区域，每个区域包含多个存储阵列，每个阵列又包含多个存储行，每个存储行由多个字节组成，而且在同一个区域，文件数据以条带化方法存储以增加数据地址映射的散化度，阵列内部用邻行拷贝算法进行写均衡即维护一个空白行指针，将与该指针相邻的上一行的有效数据拷贝到该指针所指向位置，以此达到这两个存储行的写均衡，而所有阵列的空白行以隔行映射的方式映射到特殊阵列上，以提高特殊阵列的散化度。本发明能加大数据地址映射的散化度，更有效地抵御重复写相同存储单元的恶意攻击，以达到整个存储系统的写均衡，从而延长存储系统的寿命和利用率。
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公开(公告)号：CN103761987A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410008330.5
申请日：2014-01-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阻性存储器的多位存储结构，所述多位存储结构包括依次同向叠放的N个阻性存储单元，每两个相邻叠放的阻性存储单元之间间隔一层导电的金属薄膜；每个阻性存储单元具有高阻态HRS和低阻态LRS两种状态，所述整个多位存储结构具有N+1个阻值状态，对应N+1个存储状态，其中所述N大于等于2。本发明还提供了一种基于上述多位存储结构的读写操作方法。本发明通过同向叠放多个阻性存储单元，组成了多位存储结构，从而在提高RRAM存储器密度的同时也保证了RRAM存储器的读写操作的可靠性。
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