公开(公告)号：CN103553320B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201310543322.6

申请日：2013-11-06

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 王润涵 ,  龙胜亚 ,  罗杰 ,  艾靓 ,  周红燕

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种用于大尺寸光纤预制棒芯棒的石英套管及其制造方法，包括一直管状的纯石英衬管，其特征在于所述的纯石英衬管外径为34～63mm，壁厚大于或等于2mm，长度为1.0～2.0m，在纯石英衬管内腔沿管壁沉积有掺杂石英层，所述掺杂石英层的相对折射率差为-1.5%～-0.3%，沉积完后的石英套管的内径等于或大于24mm。本发明基于PCVD工艺，具有原料利用率高，折射率值控制精确的优点；所生产的套管不仅折射率参数分布均匀，而且工艺稳定、成品率高；可充分运用套管工艺制造大尺寸光纤预制棒，并能实现制造多光学包层折射率剖面的功能，因此在制造较复杂的大尺寸光纤预制棒时具有工艺简便、制造成本低的优点。

公开(公告)号：CN103149630B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310070892.8

申请日：2013-03-06

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 龙胜亚 ,  王润涵 ,  张磊 ,  周红燕 ,  李灿 ,  肖文丽 ,  孙梦珣

IPC: G02B6/036 ,  G02B6/02

CPC classification number: G02B6/03655

Abstract: 本发明涉及一种低衰耗单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于在纤芯层外依次包覆第一内包层和第二内包层，所述的纤芯层半径R1为3.5μm~5μm，相对折射率差 为0.2%~0.4%，所述的第一内包层半径R2为6.5μm~11μm，相对折射率差为-0.06%~0%，所述的第二内包层半径R3为15μm~30μm，相对折射率差范围为-0.02%~0.05%；最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。本发明采用了双内包层结构，使光纤的折射率剖面设计更趋合理。对芯层和包层的掺杂剂进行优化，使得纤芯层材料的粘度降低，可以匹配芯层和包层的粘度，有效降低拉丝张力所造成的应力集中在纤芯部分而造成光纤衰减增加。光纤在全面兼容G.652标准的基础上，衰减性能远远优于常规G.652光纤。

公开(公告)号：CN110297288B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910300226.6

申请日：2019-04-15

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 沈磊 ,  张磊 ,  张睿 ,  吴俊 ,  刘亚萍 ,  周红燕 ,  曹蓓蓓

IPC: G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种阶跃型低衰减轨道角动量光纤，包括有芯层和包层，所述芯层R1为3～5微米，Δ1为‑0.08％～0.08％，芯层外从内向外依次包覆环形芯层、下陷包层和外包层，环形芯层从内向外依次包括内环形芯层、下陷环形芯层和外环形芯层，内环形芯层的R2为4～6μm，Δ2为0.7％～1％，下陷环形芯层R3为5～7μm，Δ3为0.6％～0.9％，外环形芯层的R4为7～9μm，Δ4为0.7％～1％，且Δ4与Δ2相等或基本相等，下陷包层R5为11～16μm，Δ5为‑0.6％～‑0.3％，上述相对折射率差为光纤各层与外包层的相对折射率差，所述的外包层为相对纯二氧化硅层为负折射率的外包层。本发明不仅能支持四个模式组的长距离信号传输，衰减低，而且光纤的串扰、各模式的宏弯和微弯损耗等综合性能好。

公开(公告)号：CN111221083B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201911250589.X

申请日：2019-12-09

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 张睿 ,  陆华清 ,  沈磊 ,  田莹 ,  张磊 ,  黄维 ,  周红燕 ,  罗杰

IPC: G02B6/38

Abstract: 本发明公开了一种多芯光纤连接器及其制备和对准方法，属于无源光器件领域。采用裸插芯和金属尾柄能够在金属套环中自由旋转的特殊插芯，向特殊插芯上的金属尾柄中注胶，将裸光纤穿入特殊插芯中固化后对光纤端面进行研磨，将特殊插芯水平放置，并用夹具将金属套环固定；旋转和裸插芯相连的金属尾柄，使光纤端面中的标记位于预设位置，根据多芯光纤中各芯的排列形式，通过观察光纤端面，求出任意距离最远的两个纤芯的圆心连线与水平轴或竖直轴之间的夹角，继续旋转金属尾柄，使夹角的度数与目标度数之间的误差在预设范围内，然后点胶固定金属套环和金属尾柄的相对位置，将所有散件组装好。可以实现单根多芯光纤之间的直接快速低插损的连接对准。

公开(公告)号：CN109738984B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910170374.0

申请日：2019-03-07

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 张睿 ,  沈磊 ,  周红燕 ,  刘亚萍 ,  张磊 ,  罗杰

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种超低衰减低串扰弱耦合五阶OAM光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层为三层，由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层，第一芯层的Δ1为‑0.8％～‑0.4％，R1为6μm～9μm，第二芯层的Δ2为0.0％～0.55％，R2为8.5μm～11.5μm，第三芯层的Δ3为‑0.6％～0.15％，R3为10μm～13.5μm；且Δ2＞Δ3＞Δ1，3μm≤R3‑R1≤7μm，芯层外包覆有包层，所述的包层由一层下陷包层构成，或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成，所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层，Δ4为‑0.9％～‑0.6％，R4为40μm～62.5μm。本发明在1550nm通信波段最高支持五个阶数的OAM模式，不同阶数的非简并OAM模式之间具有较大的有效折射率差和较低的串扰，相同阶数的简并模之间具有较小的有效折射率差和较低的DGD。

公开(公告)号：CN107608023B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201710839861.2

申请日：2017-09-18

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 周红燕 ,  吴俊 ,  王瑞春 ,  汪洪海 ,  张磊 ,  朱继红 ,  张名凯

IPC: G02B6/028 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种阶跃型超低衰减少模光纤，包括有芯层和包层，芯层半径r1为5～8μm，相对折射率差Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，内包层半径r2为8.5～14μm，相对折射率差Δn2为‑0.45～‑0.23％，下陷内包层半径r3为14.5～30μm，相对折射率差Δn3为‑0.65～‑0.40％，辅助外包层半径r4为35～50μm，相对折射率差Δn4为‑0.45～‑0.23％，外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的少模光纤在1550nm通讯波段支持两个稳定传输模式均具有超低的衰减，通过对光纤各纤芯层剖面的合理设计，使光纤具有较低的差分模群时延和优异的抗弯曲性能，且具较大有效面积。

公开(公告)号：CN110488411A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910762937.5

申请日：2019-08-19

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 吴超 ,  张磊 ,  杨柳波 ,  周红燕 ,  张名凯 ,  罗杰

IPC: G02B6/036 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种抗弯曲单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层折射率为抛物线分布，分布指数α在2.2～2.5，芯层直径2R1为7.2μm～8.2μm，芯层最高点相对折射率差Δ1max为0.360％～0.450％，包层从内至外包括内包层、下陷包层、辅助下陷包层和外包层，内包层直径2R2为16.0μm～19.0μm，Δ2为-0.06％～0.00％，下陷包层直径2R3为29.0μm～34.0μm，Δ3为-0.30％～-0.50％，辅助下陷包层直径2R4为34.0～48.0um，Δ4为-0.14％～-0.08％，外包层为纯二氧化硅外包层。本发明通过优化两层下陷包层折射率深度和宽度，较好的限制了弯曲状态下基模泄露情况，使得光纤在小弯曲半径和大弯曲半径下均有较好的弯曲性能，且光纤在长波长处的抗弯曲性能也较好，满足下一代PON向长波长演进的升级需求。

公开(公告)号：CN109738984A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910170374.0

申请日：2019-03-07

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 张睿 ,  沈磊 ,  周红燕 ,  刘亚萍 ,  张磊 ,  罗杰

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种超低衰减低串扰弱耦合五阶OAM光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层为三层，由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层，第一芯层的Δ1为-0.8％～-0.4％，R1为6μm～9μm，第二芯层的Δ2为0.0％～0.55％，R2为8.5μm～11.5μm，第三芯层的Δ3为-0.6％～0.15％，R3为10μm～13.5μm；且Δ2＞Δ3＞Δ1，3μm≤R3-R1≤7μm，芯层外包覆有包层，所述的包层由一层下陷包层构成，或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成，所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层，Δ4为-0.9％～-0.6％，R4为40μm～62.5μm。本发明在1550nm通信波段最高支持五个阶数的OAM模式，不同阶数的非简并OAM模式之间具有较大的有效折射率差和较低的串扰，相同阶数的简并模之间具有较小的有效折射率差和较低的DGD。

公开(公告)号：CN104749691B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201510206222.3

申请日：2015-04-28

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 张磊 ,  龙胜亚 ,  朱继红 ,  吴俊 ,  周红燕 ,  张睿 ,  王瑞春

IPC: G02B6/036

CPC classification number: G02B6/03633 ,  G02B6/02009 ,  G02B6/028 ,  G02B6/036

Abstract: 本发明涉及一种超低衰减弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.0～3.9μm，芯层相对折射率Δn1为‑0.04％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径r2为8～14μm，相对折射率Δn2为‑0.35％～‑0.10％；所述的下陷内包层半径r3为14～20μm，相对折射率Δn3为‑0.6％～‑0.2％，所述的辅助外包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4范围为‑0.4％～‑0.15％。本发明具有较低衰减系数和优异弯曲性能，并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计，使光纤具有等于或大于8.4的MFD；本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，能兼容G657.A2标准。

公开(公告)号：CN104749691A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510206222.3

申请日：2015-04-28

Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司

Inventor： 张磊 ,  龙胜亚 ,  朱继红 ,  吴俊 ,  周红燕 ,  张睿 ,  王瑞春

IPC: G02B6/036

CPC classification number: G02B6/03633 ,  G02B6/02009 ,  G02B6/028 ,  G02B6/036 ,  G02B6/03694 ,  G02B6/03666

Abstract: 本发明涉及一种超低衰减弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.0～3.9μm，芯层相对折射率Δn1为-0.04％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径r2为8～14μm，相对折射率Δn2为-0.35％～-0.10％；所述的下陷内包层半径r3为14～20μm，相对折射率Δn3为-0.6％～-0.2％，所述的辅助外包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4范围为-0.4％～-0.15％。本发明具有较低衰减系数和优异弯曲性能，并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计，使光纤具有等于或大于8.4的MFD；本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，能兼容G657.A2标准。