公开(公告)号：CN109859916B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910036870.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈吉堃 ,  张秀兰 ,  姜勇

IPC: H01C7/00

Abstract: 本发明提供一种基于热力学亚稳定状态的扭曲钙钛矿结构稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻，其电学特征在于，所述材料电阻率在一段设定的温度区间内明显高于其之外两端范围，从而呈现电阻率随温度的Delta变化。通过改变稀土镍基钙钛矿化合物钙钛矿结构中A原子位的稀土元素比例、材料应力状态、应力加载取向等手段，可以实现对Delta电阻温度范围、区间宽度、以及电阻值变化等参数的精准调节。该发明属于电子信息与电子器件领域，所述电阻率率随温度的Delta变化特性，在实现从而实现对特定温度区间范围的功能锁定、电路保护、涌浪电流抑制等电路智能化控制设计中具有可观的应用价值。

公开(公告)号：CN112501691A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011144600.7

申请日：2020-10-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈吉堃 ,  李海岩 ,  张秀兰

IPC: C30B29/22 ,  C30B29/64 ,  C30B1/02 ,  C30B1/12

Abstract: 一种亚稳相稀土镍氧化物薄膜的金属有机分解生长方法。其特征在于，使用羟基酸稀土、羟基酸镍等有机酸盐溶解于单苯环芳香族有机溶剂中作为前驱体，旋涂于衬底上并在高氧压下退火，从而实现具有亚稳相结构和明显金属绝缘体相变特性的亚稳相稀土镍基氧化物薄膜材料的非真空生长。可通过前驱体碳支链官能团碳原子数、空间构型、溶质溶剂比例等调节前驱体粘度，从而控制薄膜的沉积厚度、生长均匀度等生长特性。该方法操作简便成本低廉，且可以实现具有不同稀土元素的亚稳相稀土镍基氧化物薄膜材料的大尺寸、大厚度、高均匀性生长。所制备薄膜具有多重电子相变特性，可应用于热敏电阻、燃料电池质子导体、生物质探测、海洋弱电场探测、强关联逻辑电子器件等方面。

公开(公告)号：CN109503165B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201811527041.0

申请日：2018-12-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈吉堃 ,  李子昂 ,  张秀兰 ,  姜勇

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提供一种亚稳态稀土镍基钙钛矿氧化物粉体材料的合成方法，属于无机非金属功能陶瓷粉体材料领域，具体地涉及一种通过使用具有助熔剂与异质子晶双重作用的添加剂，通过两个温度的热处理过程制备处于热力学亚稳定状态下的稀土镍基钙钛矿氧化物粉体材料的方法。所述添加剂材料优选碱金属卤化物，其使用可有效降提高材料合成的有效性与经济性。所制备亚稳态稀土镍基钙钛矿粉体材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3：Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合，其具有温致、氢致金属绝缘体相转变，热敏电阻，以及质子导体特性，在制备功能电子器件、传感器、燃料电池、热敏电阻、红外探测敏感材料等方面具有可观的应用价值。

公开(公告)号：CN110823401A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911031899.2

申请日：2019-10-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈吉堃 ,  陈锦豪 ,  李海帆 ,  张秀兰 ,  姜勇

IPC: G01K7/16

Abstract: 一种基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻及使用方法。所述主动式Delta温区电阻具有对于不同频率的交流电信号呈现不同的实部阻值，且对于固定频率的交变电信号该实部电阻值随温度的增加呈现先增加后减小的趋势并在一定温度区间内呈现出极大值，而实现极值实部电阻的温区范围能够通过改变输入交变电信号的频率加以调节控制，优选亚稳相稀土镍基钙钛矿氧化物、掺杂二氧化钒、稀土铜铁基钙钛矿化合物、钙铁氧钙钛矿氧化物。通过对主动式Delta温区电阻施加具有一定可调频率的交变电信号，利用频率大小调节出现极大值实部电阻的温度范围，从而进一步实现对电子器件、电路等工作温度的可调节式主动锁定，以及对目标温区的探测与传感等电路智能化控制设计方面的应用。