公开(公告)号：CN103117359A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310049320.1

申请日：2013-02-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/1112 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1666

Abstract: 本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。