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公开(公告)号：CN115799270A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211600030.7
申请日：2022-12-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，提供一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括位于显示区的晶体管；显示面板还包括有源层和栅金属层，有源层包括第一有源部，第一有源部用于形成晶体管的沟道区；栅金属层包括栅极部和栅极信号线，栅极部在衬底基板的正投影与第一有源部在衬底基板的正投影至少部分交叠，栅极部用于形成晶体管的栅极，且栅极部为透明导电部；栅极信号线用于传输栅极驱动信号；其中，有源层的材料包括金属氧化物主体材料和掺杂材料，掺杂材料与氧元素的离解能大于等于500kj/mol，从而使得所形成的有源层具有较好的光照稳定性，再将栅金属层中形成晶体管的栅极的材料使用透明导电材料，不会对光线形成遮挡来提升显示面板在TFT区域的透光性。
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公开(公告)号：CN112635570B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201910904728.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/335 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，能够对氧化物有源层中的氧空位缺陷进行中和，提高氧化物薄膜晶体管的正偏压温度应力，提升器件的信赖性。所述氧化物薄膜晶体管，包括：氧化物有源层、沿所述氧化物有源层厚度方向设置于所述氧化物有源层一侧的第一疏松层、以及设置于所述第一疏松层远离所述氧化物有源层一侧的第一氧释放层；所述第一疏松层与所述氧化物有源层、所述第一氧释放层接触；所述第一疏松层的材料包括无机氧化物绝缘材料所述第一氧释放层的材料为含氧绝缘材料，且所述第一氧释放层在25～350C°的氧释放量大于1E19molec./cm3。
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公开(公告)号：CN113952992A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111384469.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本申请提供一种微流控芯片及其制作方法，微流控芯片包括相对键合设置的盖板和基板，基板靠近盖板的一侧凹设有流道，盖板上贯穿地设置有通孔，通孔的位置与流道的位置对应；基板靠近盖板的一侧设有第一疏液层，第一疏液层位于流道的外围，且与流道邻接设置；和/或，盖板靠近基板的一侧设有第二疏液层，第二疏液层在基板上的正投影位于流道的外围，且与流道邻接。通过在流道的周围设置第一疏液层和/或者第二输液层，可以防止液体样品由流道流向盖板与基板的键合区域，避免了键合区域接触到液体样品后失效而导致的液体样品泄露，同时也避免了液体样品因为接触键合区域而受到污染。
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公开(公告)号：CN113889039A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111371895.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3233
Abstract: 本发明公开了一种像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置，包括PAM子电路、PWM子电路、复位补偿子电路、第一发光控制子电路、第二发光控制子电路和驱动子电路；复位补偿子电路对驱动子电路的控制端进行复位或者阈值补偿；第一发光控制子电路将驱动子电路产生的驱动电流传输给第二发光控制子电路，并控制第一电压信号端与第二发光控制子电路之间的第一电流通路的导通时长；脉冲宽度调制子电路将脉冲宽度调制信号端的脉冲宽度调制信号传输给第二发光控制子电路，以通过控制第二发光控制子电路的导通时长。这样，通过PAM数据电压的大小以及PWM信号可以控制发光器件有效发光亮度，达到调节显示灰阶的目的，提高显示屏亮度的均一性。
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公开(公告)号：CN113838801A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010591840.5
申请日：2020-06-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种半导体基板的制造方法和半导体基板。所述制造方法包括当所述衬底基板在第一温度时，在衬底基板上的一界面处形成所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层的材料为第一氧化物半导体材料；在所述第一半导体层上直接形成所述第二半导体层，其中，第二半导体层的材料为第二氧化物半导体材料；所述第一半导体层、所述第二半导体层分别被图案化为种子层、第一沟道层，第一沟道层和所述种子层均为结晶相层，其中，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料均能够在第二温度下形成为结晶相，第二温度小于等于40℃，第一温度大于等于100℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113728442A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080000253.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786
Abstract: 一种阵列基板及其制作方法，包括：衬底基板(101)；晶体管(102)，位于衬底基板(101)之上，晶体管(102)包括有源层(1021)，有源层(1021)的材料为半导体材料；像素电极(103)，与有源层(1021)同层设置，像素电极(103)在衬底基板(101)上的正投影与有源层(1021)的正投影互不交叠，且像素电极(103)的材料为导体化的半导体材料；第一无机钝化层(104)，位于像素电极(103)背离衬底基板(101)的一侧；第二无机钝化层(105)，位于第一无机钝化层(104)背离衬底基板(101)的一侧，第二无机钝化层(105)的至少部分区域与第一无机钝化层(104)直接接触。
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公开(公告)号：CN113054036A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110276322.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/34
Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括有源层，源漏极以及补氧层。由于补氧层在衬底基板上的正投影与有源层的目标部分在衬底基板上的正投影至少部分交叠，因此在制备该薄膜晶体管包括的补氧层时通入的氧气能够扩散至有源层的目标部分，从而能够降低有源层的目标部分的缺陷，薄膜晶体管的性能较好。
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公开(公告)号：CN113053965A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110257110.6
申请日：2021-03-09
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示器件、显示器件的制备方法以及温度检测方法，该显示器件具体包括：显示面板以多个温度传感器，多个所述温度传感器间隔设置于所述显示面板远离发光层的一侧，所述温度传感器用于根据检测到的暗电流强度确定出所述显示面板该位置的温度，以对所述显示面板上不同位置的温度进行检测，若检测出上述任何一个温度大于预设的温度阈值时，则说明此时显示面板温度过高，此时仅需向终端发送此时显示面板温度过高，需要进行关机降温的提醒信息即可，以提醒用户对显示面板进行关机处理，综上所述，采用本方案的设计可以有效避免由于自身高温引起被烧毁的问题，延长显示面板的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112382619A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011271275.0
申请日：2020-11-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L23/367 , H01L27/12
Abstract: 本发明实施例提供了一种显示背板及其控制方法，该显示背板包括：显示区域和周边区域；所述周边区域设置阵列基板栅极驱动电路；所述阵列基板栅极驱动电路包括：多个驱动薄膜晶体管和温度感应薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管包括：有源层；其中，所述有源层的四周设置导线，所述导线被配置为对所述有源层进行加热或散热。本发明实施例中，通过在有源层的四周设置导线，能够在不影响驱动薄膜晶体管正常工作的情况下，在低温下，使导线发热对驱动薄膜晶体管进行加热，在高温下，使导线对驱动薄膜晶体管进行散热，使驱动薄膜晶体管的温度达到一个稳定状态，进而提高显示背板的信赖性。
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公开(公告)号：CN111599825A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010567724.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示基板、显示面板及显示基板的制作方法，显示基板包括衬底、位于衬底上的金属遮光层；位于金属遮光层上的第一薄膜晶体管、光电二极管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的输出端与像素电极电性相连，光电二极管包括第一电极、第二电极及光敏层，光电二极管的第二电极与第二薄膜晶体管相连，将光电二极管产生的光电流发送给第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管的输出端与金属遮光层电性相连，第一薄膜晶体管的栅极与第一电极电性相连。由于第一电极与第一薄膜晶体管的栅极相连，而金属遮光层与第一薄膜晶体管的源极电性相连，从而实现了双栅结构的上下层电压不同，有利于降低氢对下层沟道区的影响，可以获得特性较好的阵列背板。
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