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公开(公告)号：CN104231295B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410459232.3
申请日：2014-09-10
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于碳材料和复合材料研究领域，具体为一种石墨烯预浸料的制备方法。利用平板硫化机将石墨烯粉末均匀压覆在离型纸上，再经机械剥离的方法将石墨烯纸和离型纸分离，制得石墨烯纸。接着将石墨烯纸与预先制好的半固化环氧树脂胶膜复合，得到石墨烯预浸料。在石墨烯预浸料中，石墨烯片层之间相互搭接、连通，形成有效的导电网络，这使得该预浸料具有较高的电导率。同时，环氧树脂基体具有优良的力学性能，将上述二者复合制得的复合材料将同时具有良好的电学和力学性能，该复合材料将拥有广阔的应用前景。本发明具有制备工艺简单易控、无污染、产品尺寸可调等优点，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN106319628A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510394667.9
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及二维过渡族金属碳化物新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法，适于制备大面积的高质量超薄二维过渡族金属碳化物。采用铜箔(上层)/过渡族金属箔片(底层)构成的双金属叠片作为生长基体，在高温下通过CVD技术催化裂解碳源生长出超薄二维过渡金属碳化物晶体，后续刻蚀掉铜基底得到超薄二维过渡族金属碳化物晶体。本发明具有制备工艺简单，产物厚度和尺寸易于调控以及适于大面积制备等特点，从而为高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体在催化、储能、耐磨涂层、透明导电薄膜、热管理以及二维超导领域的研究和应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106207201A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610809438.3
申请日：2016-09-07
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含氧官能团梯度分布的还原氧化石墨烯/石墨烯泡沫复合材料及其在钒电池中的应用，属于电池材料和能源存储领域。通过化学气相沉积法获得石墨烯泡沫，结合氧化石墨烯气凝胶制备，得到了三维石墨烯泡沫与氧化石墨烯气凝胶结构，并利用金属进行梯度还原，实现了石墨烯三维网络的高导电性与丰富含氧官能团的氧化石墨烯集成。将此材料作为钒电池的电极材料，可提高V2+/V3+与VO2+/VO2+氧化反应的电催化活性和电化学可逆性；并减小电荷转移电阻，提高钒电池的能量效率和循环寿命。本发明操作简便、产率高、易于进行结构调控，具有极佳的应用前景。
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公开(公告)号：CN105647338A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410712531.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C09D163/00 , C09D7/12 , C09D5/08
Abstract: 本发明涉及金属腐蚀防护领域，具体为一种具有高隔绝性的石墨烯/环氧树脂复合防腐涂料及制备方法。将石墨烯含量在5wt％的石墨烯/环氧树脂母料加入到普通环氧树脂中，再加入稀释剂和助剂搅拌使之分散均匀形成A组分；B组分为固化剂。按重量百分比计，A组分占53～93％，B组分占7～47％；A组份中，石墨烯的含量范围为0.03～2.3wt％。将两组分混合搅拌均匀即可制备出石墨烯/环氧树脂复合涂料，按常规方法施涂干燥后即可制备出具有高隔绝性的腐蚀防护涂层。与现有技术相比，本发明制备出的石墨烯/环氧涂层石墨烯用量少，同时可实现石墨烯在复合涂层中的均匀分散，因而可以赋予涂层极佳的防水、防腐蚀性、耐候性、耐酸碱性、耐冲击和耐人工老化等优点。
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公开(公告)号：CN105623466A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410712513.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C09D163/00 , C09D183/04 , C09D7/12 , C09D5/08 , C09D5/24
Abstract: 本发明涉及金属腐蚀防护领域，具体为一种石墨烯/玻璃鳞片/环氧树脂复合具有高导电性的重防腐涂料及其制备方法，特别适用于电晕放电类烟气净化设备中集尘电极的腐蚀防护。该涂料为A、B双组份型，以改性环氧树脂为主要成膜物，以石墨烯纳米片和玻璃鳞片微片为主要填料。按重量百分比计，A组份占77～96％，B组份占4～23％；在A组份中，包含有机硅改性环氧树脂、石墨烯纳米片、玻璃鳞片微片、稀释剂、添加剂，有机硅改性环氧树脂22～47％，石墨烯纳米片0.26～3.2％，玻璃鳞片微片1.2～20％，添加剂0.02～2.3％，稀释剂28～62.5％。该涂料具有优异的导电性，最高体积电导率可达约500S/m；良好的耐温性和耐酸腐蚀性，可长期在150～200℃条件下稳定工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102732037B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110088423.X
申请日：2011-04-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C08L83/04 , C08L21/00 , C08L75/04 , C08L63/00 , C08L91/06 , C08L77/00 , C08L33/12 , C08L79/08 , C08L23/06 , C08L25/06 , C08L23/12 , C08K7/24 , C08K3/04 , C23C16/44 , C23C16/26
Abstract: 本发明涉及石墨烯泡沫复合材料领域，具体为一种石墨烯泡沫/聚合物高导电复合材料及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：提供一种三维全连通的石墨烯泡沫网络和一种高分子聚合物前驱体溶液；将石墨烯泡沫和高分子聚合物前驱体溶液混合，形成一石墨烯泡沫/高分子聚合物前驱体混合体；固化混合体中的高分子聚合物前驱体，从而形成高导电的石墨烯泡沫复合材料。本发明采用的三维石墨烯泡沫以一种无缝连接的方式构成一个全连通的石墨烯快速传导网络，使这种石墨烯泡沫复合材料具有优良的导电性能和力学性能，可广泛应用于导电复合材料和弹性导体等领域。
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公开(公告)号：CN103788545A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410029443.3
申请日：2014-01-21
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于聚合物复合材料增韧改性领域，具体为一种硬质聚氯乙烯复合材料的增韧改性方法，获得石墨烯/聚氯乙烯复合材料，解决硬质聚氯乙烯材料韧性差的性能缺陷。将石墨烯纳米碳材料均匀地分散于聚氯乙烯基体中，利用石墨烯柔软的片层结构，在聚氯乙烯基体中卷曲弯折，充当“弹性粒子”相，进而对聚氯乙烯起到增韧改性的作用。将聚氯乙烯粉末、稳定剂、改性剂丙烯酸酯和石墨烯纳米碳材料在高速搅拌机中预混，再通过转矩流变仪和双辊开炼机熔融共混、平板硫化机热压成型工艺获得石墨烯/聚氯乙烯复合材料。本发明柔软卷曲的石墨烯片层在聚氯乙烯中起到“弹性粒子”的作用，能够显著提高聚氯乙烯的断裂伸长率以及缺口冲击强度。
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公开(公告)号：CN103756103A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410057077.2
申请日：2014-02-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
CPC classification number: C08K3/04 , B29C43/58 , C08K2201/001 , C08L2207/062 , C08L23/06
Abstract: 本发明涉及聚合物基PTC热敏电阻复合材料，具体为一种石墨烯／高密度聚乙烯PTC热敏电阻复合材料及制备方法，属于功能高分子复合材料领域。该复合材料是由石墨烯导电填料和高密度聚乙烯基体构成；按重量百分比计，该PTC热敏电阻复合材料组分中，石墨烯占1%～10%。首先将高密度聚乙烯颗粒用高速万能粉碎机粉碎成粉末，然后将其与石墨烯搅拌混合，再通过转矩流变仪熔融共混，最后用平板硫化机热压制成石墨烯/高密度聚乙烯PTC热敏电阻复合材料。本发明以石墨烯为导电填料的聚合物基复合材料，具有起始电阻低、响应速度快、PTC强度高、循环性好等优点，可为石墨烯在高性能热敏电阻上的应用奠定基础，并为石墨烯的应用指明方向。
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公开(公告)号：CN103682368A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210351691.0
申请日：2012-09-20
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H01M4/66 , H01M4/583 , H01M2/08 , H01M10/0525 , H01M4/1393
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/663 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种快充的柔性锂离子电池及其电极制备方法，属于锂离子电池技术领域。该锂离子电池电极采用集流体与活性物质一体化设计。采用超轻且柔性的三维石墨烯联通网络结构（简称石墨烯泡沫）为集流体，活性物质内嵌在三维石墨烯泡沫表面，可通过水热、浆料灌注和浸渍过程得到一体化活性物质和集流体，并可根据需要调整活性物质含量。这种电池电极无需金属集流体、粘结剂及导电剂，三维石墨烯网络超高的导电性和多孔结构为锂离子和电子提供了快速的扩散通道。利用上述正负电极组装成锂离子电池，可实现快速充电，并且可弯折而无容量损失。本发明所述方法生产产品成本低、超轻超薄、可实现大批量生产，具有很高的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN102020262B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910187296.1
申请日：2009-09-09
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术，具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法，适于高效制备高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体，在600～1100℃条件下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管。其中，碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、苯、甲苯、环己烷等碳氢化合物或乙醇、甲醇、丙酮、一氧化碳等，载气为氢气或氢气与氩气、氦气等惰性气体的混合气。本发明提出以离子溅射方法得到的SiO2镀膜为催化剂前驱体，高效生长不含有任何金属杂质的高质量单壁纳米碳管，具有操作简便、成本低、与易于在硅基体上定位生长和图案化生长单壁纳米碳管的特点，对要求无金属杂质的单壁纳米碳管的应用奠定了基础。
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