一种十字孔结构可调发光颜色滤波器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116594092A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310606117.3

    申请日:2023-05-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种十字孔结构可调发光颜色滤波器及其制备方法,其滤波器包括由下至上依次布置的基底层、第一介质层、第二介质层和金属层,在金属层内布置有若干呈矩形阵列分布的十字孔,该十字孔由两条等长等宽的直线段垂直相交而成,所述直线段的长度为相邻两个十字孔中心点间间距的0.65倍,所述直线段的宽度为相邻两个十字孔中心点间间距的(0.5×0.65)倍。本发明周期结构参数改变,其产生的谐振波长将发生改变,从而实现不同波段滤光,通过调节周期等结构参数可以满足可见光段波段滤波。对不同入射角度的偏振光不敏感,在保留高效滤光效果前提下,且具备极好的偏振无关性。更利于微小尺寸光源器件集成。能实现的分辨率更高。

    一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构Micro-LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN112018221B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202010953229.2

    申请日:2020-09-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构微腔Micro‑LED及其制备方法,本发明这种微腔Micro‑LED可以出射圆偏偏振光,采用圆偏振光进行3D偏光显示,只要设置好圆偏振眼镜的光轴位置就可以消除由于眼镜倾斜带来的图案的串扰问题。本发明通过减薄芯片厚度,并通过导电层上的光栅和n‑GaN层上的介质膜反射镜作为谐振腔端面,形成垂直方向的谐振微腔结构,将抑制侧壁出光,提高正面出光方向性。同时谐振微腔结构将选择特定波长,使其发光光谱变窄,光谱纯度更高,这将有利于提高Micro‑LED显示的阈值。并且光栅有偏振选择出光性,经过此结构出射光为线偏振光。顶部集成微纳结构,相当于1/4波片,将线偏振光转换为圆偏振光。

    一种微铜柱结构及倒装芯片封装结构

    公开(公告)号:CN114068478A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111355069.2

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种微铜柱结构,包括微铜柱主体、锡焊帽、背金属化层,所述锡焊帽设于微铜柱主体的一端,通过锡焊帽使微铜柱主体的一端与其余元器件焊接;所述背金属化层设于微铜柱主体相对锡焊帽的另一端,所述背金属化层外层设有微铜柱钝化层,通过微铜柱钝化层使微铜柱主体的另一端与其余元器件焊接。本发明能够在功率器件双面模块中解决大面积焊料运用于不对称芯片的焊点过薄和焊点断开问题,能极大的满足焊接平整度和稳定性要求。

    一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110581186B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201910881040.4

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法,属于半导体技术领域,所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1‑XN基紫外光吸收层和叉指电极;所述叉指电极与AlXGa1‑XN基紫外光吸收层形成肖特基接触;所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括:首先在衬底的正面外延生长AlXGa1‑XN基紫外光吸收层;然后在AlXGa1‑XN紫外光吸收层上制备叉指电极;再在衬底的背面进行研磨,得到光滑平整背面;最后在光滑平整背面制作微纳结构,得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉,提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。

    一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN110571317B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201910881409.1

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法,器件包括衬底一和LED外延材料;LED外延材料由上至下依次包括p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层;p‑GaN层与MQW层的宽度相等且小于n‑GaN层的宽度,n‑GaN层的厚度从上至下逐渐增加,形成倾斜侧壁台阶结构;n‑GaN层的下表面设有微纳结构;LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括:制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构,完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。

    一种偏光微结构Micro-LED及其在裸眼3D显示系统中的应用

    公开(公告)号:CN112038458A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010953224.X

    申请日:2020-09-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种偏光微结构Micro-LED及其在裸眼3D显示系统中的应用,其结构由下到上包括金属衬底、导电层、氮化物层一、多量子阱有源区层、氮化物层二、氧化物DBR、表面偏光微结构。本发明的偏光微结构Micro-LED不需要借助光栅,实现裸眼3D显示。利用LED由于其自发辐射性,其发光不具有相干性。通过减薄芯片厚度,并通过金属衬底和氮化物层二上的氧化物DBR反射镜作为谐振腔端面,形成垂直方向的谐振微腔结构,使其发光光谱变窄,且将抑制侧壁出光,提高正面出光方向性。同时顶部集成微纳结构,具有改变光束相位功能,将未偏转角度的光波前转换为斜射一定角度的光波前,实现出射光角度的改变,进而实现裸眼3D显示。

    一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN111725368A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010613174.0

    申请日:2020-06-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法,本发明这种微腔Micro-LED发光半高宽窄,发光方向性好;通过减薄芯片厚度,并通过p-GaN层(5)的金属反射镜和n-GaN层的介质膜反射镜作为谐振腔端面,形成垂直方向的谐振微腔结构,将抑制侧壁出光,提高正面出光方向性,从而减小Micro-LED显示相邻像素之间的串扰效应。同时谐振微腔结构将选择特定波长,使其发光光谱变窄,光谱纯度更高,这将有利于提高Micro-LED显示的阈值,本发明垂直结构Micro-LED有源区面积大,n-GaN吸光较少;电流扩展较好,电压较低,电流密度较小,在光效,饱和电流,长期可靠性方面具有优势;其次Cu衬底具有良好的导电性和导热性,芯片热阻较小。

    一种垂直结构氮化物RC LED和制备方法

    公开(公告)号:CN111725367A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010611853.4

    申请日:2020-06-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种垂直结构氮化物RC LED及其制备方法,由下到上包括导电衬底、氮化物DBR1、氮化物层1、多量子阱有源区层、氮化物层2、透明导电插入层、氮化物DBR2,所述导电衬底和氮化物DBR2上均设有金属电极。本发明中的氮化物DBR1和氮化物DBR2是利用磁控溅射制备的材料,其晶体结构是多晶甚至非晶的,因此可以减少应力和应力累计。本发明中氮化物DBR1和氮化物DBR2由AlxIn1-xN层和AlyIn1-yN层周期循环交替组合,可以根据DBR目标反射波长,调节AlyIn1-yN/AlxIn1-xDBR中Al成分,最大程度的减少对DBR目标反射波长光的吸收。本发明中导电Si衬底上制备导电AlyIn1-yN/AlxIn1-xN DBR中引入了掺杂元素,可以制备垂直电流注入型RC LED,提高RC LED性能。

    一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110581186A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910881040.4

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法,属于半导体技术领域,所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1-XN基紫外光吸收层和叉指电极;所述叉指电极与AlXGa1-XN基紫外光吸收层形成肖特基接触;所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括:首先在衬底的正面外延生长AlXGa1-XN基紫外光吸收层;然后在AlXGa1-XN紫外光吸收层上制备叉指电极;再在衬底的背面进行研磨,得到光滑平整背面;最后在光滑平整背面制作微纳结构,得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉,提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。

    一种凸台式衬板模块结构

    公开(公告)号:CN217740524U

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202221599727.2

    申请日:2022-06-23

    Abstract: 本实用新型提供了一种凸台式衬板模块结构,涉及功率模块封装领域,包括:上下设置的上衬板和下衬板,所述上衬板和下衬板相对的面均设置有凸台,所述上衬板和下衬板之间设置有垫块,所述上衬板的凸台与所述垫块相连接,所述上衬板与所述垫块形成的空间内设置有上层焊料,所述垫块的下表面向下依次设置有中间层焊料和功率芯片,所述下衬板的凸台与所述功率芯片连接,所述下衬板与所述功率芯片之间设置有下层焊料,在本申请中在上衬板和下衬板上设置有凸台,凸台与功率芯片接触,在本结构进行焊接组装时,上层焊料和下层焊料与凸台的接触面积更大,可以有效的增大热交换面积,提高了散热能力。

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