一种GaN晶体生长装置
    31.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204714948U

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201520345573.8

    申请日:2015-05-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置,包括高压釜,该高压釜内装设有坩埚,该坩埚内填充有晶体生长溶液,坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶,所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体,GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接,漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长,相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长,顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长,而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。

    一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置

    公开(公告)号:CN204714947U

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201520345520.6

    申请日:2015-05-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置,包括反应釜,该反应釜内填充有反应物溶液,反应釜内设有晶种模板,所反应釜侧壁周围设有第一加热装置,反应釜底面外表面设有第二加热装置,反应釜内设有位于反应物溶液的液面上方的第三加热装置,第一加热装置的加热温度高于第二加热装置和第三加热装置的加热温度,第二加热装置的加热温度和第三加热装置的加热温度相异。本实用新型通过不同加热装置实现温度控制,使得反应釜内的反应物溶液形成有序的对流,使对流的中心点集中在晶种模板上,有效增加了晶体生长所需的N浓度。解决热对流无序引起的晶体生长不均匀及晶体质量差等问题,提高晶体质量且显著增大晶体生长速度。

    一种具有防眩光和减少蓝光危害的LED发光装置

    公开(公告)号:CN204538083U

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201520195385.1

    申请日:2015-04-02

    Abstract: 本实用新型公开了一种具有防眩光和减少蓝光危害的LED发光装置,包括PCB线路板及设在该PCB线路板上的LED蓝光芯片,还包括将PCB线路板和LED蓝光芯片封装在内的光色转换模块,该光色转换模块由LED荧光粉发光模块和有机材料吸光层模块组成,该有机材料吸光层模块涂覆在LED荧光粉发光模块表面,或者LED荧光粉发光模块与有机材料吸光层模块相互混合形成一体结构的光色转换模块。本实用新型有效克服了LED发光亮度大而容易引起眩光与因蓝光危害而引起视网膜损害等问题,可广泛应用于LED室内照明及装饰性灯具中。

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