一种聚苯胺-二氧化锰-氮化钛纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104240967A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410506263.X

    申请日:2014-09-26

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 夏池

    Abstract: 本发明提供一种聚苯胺-二氧化锰-氮化钛纳米线阵列复合材料,包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)、绒毛状的二氧化锰纳米膜(3)、珊瑚状的聚苯胺纳米纤维(4);所述的氮化钛纳米线阵列(2)垂直排列在碳基底(1)表面,彼此相互连接形成一体式结构;所述的二氧化锰纳米膜(3)包覆在氮化钛纳米线阵列(2)表面;所述的珊瑚状的聚苯胺纳米纤维(4)附着在二氧化锰纳米膜(3)表面。本发明还提供了该复合材料的制备方法及其在超级电容器中的应用。本发明提供的聚苯胺-二氧化锰-氮化钛纳米线阵列复合材料具有有序排列的多孔结构特征,且形貌规则可控,可直接应用于超级电容器的电极材料,具有广泛的实际应用价值与工业生产前景。

    聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料及其制备方法和储能应用

    公开(公告)号:CN102522210B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201110362862.5

    申请日:2011-11-16

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 杜洪秀

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 一种聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料,所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料包括:聚吡咯基体,在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔,在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米管,聚吡咯纳米管外壁与纳米孔内壁之间设有间隙。采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法,得到由二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和包覆在纳米管内壁面上的聚吡咯纳米膜复合而成的同心轴中空结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料,采用化学腐蚀溶解方法,氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。

    一种氮掺杂二氧化钛纳米管阵列酶电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104076077A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201410291249.2

    申请日:2014-06-25

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 王玮

    Abstract: 本发明提供了一种葡萄糖氧化酶修饰氮掺杂二氧化钛纳米管阵列酶电极,包括葡萄糖氧化酶、氮掺杂二氧化钛纳米管阵列和钛基片;所述葡萄糖氧化酶固定化于氮掺杂二氧化钛纳米管阵列的管口表面;氮掺杂二氧化钛纳米管阵列垂直排列在钛基片上面,氮掺杂二氧化钛纳米管管底与钛基片表面连接并形成一整体结构。还提供了该酶电极的制备方法及其在葡萄糖电化学生物传感器和葡萄糖生物酶燃料电池中的应用。该酶电极以具有良好生物相容性、良好亲水性、较好导电性的氮掺杂二氧化钛作为电极基底材料,将葡萄糖氧化酶与牛血清白蛋白-戊二醛交联剂通过交联反应固定化于基底上制备而成,制备工艺简单,易于放大实现规模化生产,具有广阔的实际应用价值和前景。

    锐钛矿型二氧化钛溶胶的制备方法

    公开(公告)号:CN1699181A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200510039171.6

    申请日:2005-04-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于制备光催化材料的锐钛矿型二氧化钛溶胶的制备方法,其特征在于按钛化合物与醇的摩尔比为1∶1.42~12的比例,将钛化合物与醇配置成钛化合物的醇溶液,在搅拌下、将钛化合物的醇溶液滴加到pH=1.0~4.0的酸的水溶液中水解且钛化合物与酸的水溶液中的水之摩尔比为1∶76~151,在65~85℃条件下回流6~48小时后,将所得的溶胶在50~55℃下蒸发除去醇类,得到锐钛矿型二氧化钛溶胶。本发明能够降低二氧化钛晶化温度、在低温下即可制备锐钛矿型二氧化钛溶胶,由本发明制得的锐钛矿型二氧化钛溶胶能于低温下在不耐高温的材料表面成膜且方法简单、成本低、成膜质量高。

    一种过渡金属离子配位导电聚合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109280178B

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN201811084962.4

    申请日:2018-09-18

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵

    Abstract: 本发明公开了一种过渡金属离子配位导电聚合物及其制备方法和应用,所述过渡金属离子配位导电聚合物是由两种不同过渡金属离子与导电聚合物配位形成双金属离子配位导电聚合物,其包含第一四面体型配位单体聚合链段,直链型单体聚合链段和第二四面体型配位单体聚合链段依次连接所形成的重复的分子链片段,其中第一四面体型配位单体聚合链段和第二四面体型配位单体聚合链段包含不同的金属离子。相对于现有技术,本发明设计合成的过渡金属离子配位导电聚合物,具有较高的导电性和分子链结构稳定性,有效提高了导电聚合物电极材料在大电流密度下充放电的电容量性能、倍率性能和循环稳定性。

    一种过渡金属离子配位导电聚合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109280178A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811084962.4

    申请日:2018-09-18

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵

    Abstract: 本发明公开了一种过渡金属离子配位导电聚合物及其制备方法和应用,所述过渡金属离子配位导电聚合物是由两种不同过渡金属离子与导电聚合物配位形成双金属离子配位导电聚合物,其包含第一四面体型配位单体聚合链段,直链型单体聚合链段和第二四面体型配位单体聚合链段依次连接所形成的重复的分子链片段,其中第一四面体型配位单体聚合链段和第二四面体型配位单体聚合链段包含不同的金属离子。相对于现有技术,本发明设计合成的过渡金属离子配位导电聚合物,具有较高的导电性和分子链结构稳定性,有效提高了导电聚合物电极材料在大电流密度下充放电的电容量性能、倍率性能和循环稳定性。

    聚苯胺-碳层-氮化钛纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104616905B

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201510012280.2

    申请日:2015-01-09

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 夏池

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明提供一种聚苯胺‑碳层‑氮化钛纳米线阵列复合材料,包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)、无定形碳层(3)、聚苯胺膜(4);所述的氮化钛纳米线阵列(2)垂直排列在碳基底(1)表面,彼此相互连接形成一体式结构;所述的无定形碳层(3)完整包覆在氮化钛纳米线阵列(2)表面;所述的聚苯胺膜(4)完整包覆在碳层(3)表面。本发明还提供了该复合材料的制备方法及其在超级电容器中的电化学储能应用。本发明提供的聚苯胺‑碳层‑氮化钛纳米线阵列复合材料具有有序排列的“壳‑壳‑核”同轴异质纳米线结构特征,可直接应用于超级电容器的电极材料,实现有效的电化学储能作用。

    氮化钛酸锂纳米管/纳米膜一体化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105513821B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201610044045.8

    申请日:2016-01-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 宋飞

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明公开了一种氮化钛酸锂纳米管/纳米膜一体化材料,包括氮化钛酸锂纳米管阵列和氮化钛酸锂纳米膜基片;所述的氮化钛酸锂纳米管阵列垂直生长在氮化钛酸锂纳米膜基片上形成一体化整体结构的电活性材料;所述的氮化钛酸锂纳米管阵列具有有序排列、管壁共用的纳米阵列结构,所述氮化钛酸锂纳米膜基片为平面薄膜结构,且其表面具有均匀分布的凹坑结构。本发明还公开了上述材料的制备方法和应用。相对于现有技术,本发明所得氮化钛酸锂纳米管/纳米膜一体化材料,能更进一步提高材料导电性能和比电容性能,同时克服了常规粉体或颗粒结构的钛酸锂电极材料振实密度较低的问题,且具有良好的机械性能。

    钌配位聚吡咯纳米球团簇材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106783222A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710050155.X

    申请日:2017-01-23

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 周英智

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/48 C08G73/0611 H01G11/32 H01G11/34

    Abstract: 本发明公开了一种钌配位聚吡咯纳米球团簇材料及其制备方法和应用,所述的钌配位聚吡咯纳米球团簇材料由钌配位聚吡咯纳米球构成,纳米球紧密堆积形成纳米球团簇,纳米球团簇相互聚集形成纳米球团簇间微孔。钌配位聚吡咯纳米球团簇材料采用单体配位‑电聚合法制备。首先采用直接配位反应合成法,利用钌离子的空轨道和吡咯单体分子链上氮原子的未成对电子相互作用,通过直接配位反应制得钌配位吡咯单体。然后采用循环伏安电聚合反应合成法,钌配位吡咯单体在π‑π堆积力作用下,通过电聚合反应制得钌配位聚吡咯。相对于现有技术,所述材料具有较大的比表面积、较好的导电性和结构稳定性,在电化学应用中表现出更优异的电容性能和电化学稳定性。

    一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106449128A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610860377.3

    申请日:2016-09-28

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 路露

    Abstract: 本发明公开了一种一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用,所述材料包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)和杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3);所述的氮化钛纳米线阵列(2)直接生长在碳基底(1)上,并且均匀垂直排列在碳基底表面;所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)完整包裹在氮化钛纳米线阵列(2)表面;杂多酸修饰聚苯胺复合膜杂多酸修饰聚苯胺复合膜本发明还提供了杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料的详细制备方法及其在电化学储能领域的应用。相对于现有技术,本发明所述材料利用聚苯胺固载杂多酸,有效的解决了杂多酸易溶于水溶液难以应用于电极材料的缺陷,同时提升了聚苯胺的容量性质。

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