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公开(公告)号：CN111591955B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010456531.7
申请日：2020-05-26
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆键合结构及方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆上形成有第一键合结构，所述第二晶圆上形成有第二键合结构。所述第一键合结构上形成有第一对准图案和第一测量图案，所述第二键合结构上形成有第二对准图案和第二测量图案。对准第一对准图案和第二对准图案，并使得第一测量图案与第二测量图案相对应。键合第一晶圆和第二晶圆后，获取第一测量图案与第二测量图案形成的偏差，以得到所述晶圆键合的偏差值。本发明通过在第一键合结构和第二键合结构上分别加设第一测量图案和第二测量图案，从而使得在晶圆键合后，可直接读取键合偏差值，实现对工艺的精准监测，有利于校准键合机器，提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN113003532B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202110191336.0
申请日：2021-02-20
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王俊杰
Abstract: 本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器，Z轴AMR磁力传感器形成在沟槽的侧面上，Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘位于沟槽的顶部并延伸到沟槽外的第一介质层的表面，Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘位于沟槽的底部表面上；Z轴电极的第一侧宽度边缘位于沟槽的顶部并延伸到Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘外的第一介质层的表面，Z轴电极的第二侧宽度边缘位于沟槽的底部的Z轴AMR磁力传感器上且位于Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘的内侧。本发明还公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法。本发明能防止Z轴电极的刻蚀工艺在沟槽的底部形成微沟槽并同时能提高工艺窗口，能防止形成弱点区域并防止由于弱点区域而使器件失效，能提高产品良率。
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公开(公告)号：CN109786228B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910059988.1
申请日：2019-01-22
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：在衬底上形成多个第一金属连接柱和至少一个第二金属连接柱；形成第一对准区的图案化的氧化物层和第二对准区的图案化的氧化物层和第一氧化物连接柱；形成位于所述第一氧化物连接柱上的第三金属连接柱和位于第二对准区的氧化物层上的第四金属连接柱，第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的第三金属连接柱之间的间距的比例小于1:1；在图案化的氧化物层、第三金属连接柱和第四连接柱上形成第二氧化物层，第二氧化物层表面形成凹槽作为对准标记。本申请直接在形成MEMS和CMOS互连层的同时形成对准标记，可以节省材料和时间。
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公开(公告)号：CN111762754A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010608838.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种测量共晶键合对准偏差的测试结构，包括形成于第一硅晶圆的第一表面上的多个顶层硅条形以及形成于第二硅晶圆的第一表面上的第二键合材料块，在各顶层硅条形表面形成有第一键合材料层；各顶层硅条形作为共晶键合的对准偏差的刻度；第二键合材料块和第一测试衬垫连接；各顶层硅条形顶部的第一键合材料层都和对应的第二测试衬垫连接；进行对准偏差测量时，对第一和各第二测试衬垫的导通关系进行测量，导通时表示第二键合材料块和对应位置的顶层硅条形顶部的第一键合材料层键合，从而确定共晶键合的对准偏差。本发明能有效监控键合机台的对准精度。
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公开(公告)号：CN110040679A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910318927.2
申请日：2019-04-19
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，在形成Z轴磁阻结构之后，以所述Z轴磁阻结构为掩模刻蚀所述第一凹槽的槽底和第二凹槽的槽底，以暴露出所述第二凹槽的槽底，以此步骤替代原有的在形成Z轴磁阻结构后的光刻胶的形成，图形化该光刻胶、以图形化的光刻胶为掩模对第二凹槽的槽底进行刻蚀，光刻胶的去除等一系列的工艺，其节省了图形化的光刻胶所需的掩模板，降低了生产成本，简化形成三轴磁传感器的工艺步骤，还解决了第一凹槽底部保护层搭桥的问题，提高了良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103528575B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201310492897.X
申请日：2013-10-18
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王俊杰
IPC: G01C17/32
Abstract: 本发明提供了一种基于NiFe AMR特性制作的MEMS三轴磁力计结构以及磁力计。三轴磁力计结构包括：布置在预定平面上的各项异性磁阻材料，以便形成三轴磁力计结构的X和Y轴，然后在磁阻材料上形成电极部件用作barber电极，用来改变电流方向，以便利用AMR材料的各项异性磁阻效应；氧化物沟槽，所述氧化物沟槽的侧壁与所述预定平面垂直；布置在所述氧化物沟槽的与电极部件的长度方向平行的两个侧壁上的各向异性磁阻材料，所述各向异性磁阻材料形成三轴磁力计结构的Z轴。
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公开(公告)号：CN104925749B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510187464.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明揭示了一种硅片键合方法。该方法包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上利用热氧化工艺形成第一氧化层，该氧化层在孤岛结构的边缘厚于中央区域；在所述第一氧化层上利用高密度等离子体气相沉积工艺形成第二氧化层，并进行快速热退火处理，该氧化层在孤岛结构的边缘薄于中央区域，所述第一氧化层和第二氧化层作为键合氧化层；提供第二硅片，所述第二硅片通过所述孤岛结构与第一硅片键合。本发明中利用不同工艺的特点，使得孤岛结构上的第一层氧化层和第二层氧化层的厚度互相补偿，获得了良好的表面微观平整度，从而使第一硅片与第二硅片键合时有较大的键合面积，提高了键合强度。
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公开(公告)号：CN104891430B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510189318.3
申请日：2015-04-17
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明揭示了一种硅片键合方法。该方法包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层，使得所述孤岛结构的边缘硅表面低于中央区域；在所述第一硅片上形成键合氧化层，该键合氧化层在孤岛结构的边缘厚于中央区域；提供第二硅片，所述第二硅片通过所述孤岛结构与第一硅片键合。本发明中由于通过孤岛结构的硅表面和键合氧化层厚度的互相补偿，获得了良好的表面微观平整度，能够使得第一硅片与第二硅片键合时有较大的键合面积，提高了键合强度。
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公开(公告)号：CN104176698B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410428773.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 一种集成MEMS器件及其制作方法。本发明在MOS晶体管的金属互连结构上堆栈三轴AMR MEMS器件，三轴AMR中，位于水平面内的两个垂直维度的X轴方向各向异性磁电阻条与Y轴方向各向异性磁电阻条形成在介质层表面，位于竖直方向的第三维度的Z轴方向各向异性磁电阻条形成在沟槽的侧壁，上述沟槽在形成过程中以MOS晶体管的某层金属线图案上所形成的刻蚀终止层为刻蚀终点。上述方案不仅制作了三个相互垂直维度的各向异性磁电阻条，且将AMR MEMS器件与MOS晶体管集成在一起，避免了各自制作，减小了体积。
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公开(公告)号：CN104925749A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510187464.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明揭示了一种硅片键合方法。该方法包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上利用热氧化工艺形成第一氧化层，该氧化层在孤岛结构的边缘厚于中央区域；在所述第一氧化层上利用高密度等离子体气相沉积工艺形成第二氧化层，并进行快速热退火处理，该氧化层在孤岛结构的边缘薄于中央区域，所述第一氧化层和第二氧化层作为键合氧化层；提供第二硅片，所述第二硅片通过所述孤岛结构与第一硅片键合。本发明中利用不同工艺的特点，使得孤岛结构上的第一层氧化层和第二层氧化层的厚度互相补偿，获得了良好的表面微观平整度，从而使第一硅片与第二硅片键合时有较大的键合面积，提高了键合强度。
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