公开(公告)号：CN101256922A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080658.2

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李玟锡 ,  马图利维克·尤利 ,  金石基 ,  崔钟书 ,  金荣洙 ,  秋希伶 ,  金德炫 ,  徐淳星

IPC: H01J9/00 ,  H01J17/02 ,  H01J17/49

CPC classification number: H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 用于制备PDP保护层的材料，其减少放电延迟时间、改进温度依赖性以及具有增强的离子强度；制备该材料的方法；由该材料形成的保护层；和包括该保护层的PDP。更具体地，包括以2.0×10－5－1.0×10－2重量份/1重量份氧化镁(MgO)的量的掺杂有稀土元素的单晶氧化镁的用于保护层的材料，通过在约2,800℃下使其结晶制备该单晶氧化镁的方法，由该材料形成的保护层，以及包括该保护层的PDP。