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公开(公告)号：CN113242393B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110581152.5
申请日：2021-05-27
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H04N25/62
Abstract: 本发明提供一种二维微小光斑阵列发生装置，包括控制电路、LED阵列、光纤阵列和适配板；所述控制电路分别控制每个LED的发光强度，并具有数字通信接口；每个LED与一根光纤耦合，光纤输出端分别插入二维阵微孔的适配板上，光纤的出光端穿过二维孔阵适配板，且每个光纤的出光面与适配板地面在同一个平面上，形成点光源阵，点光源阵通过凸透镜成像得到二维微小光斑阵，所述控制电路包括电源模块、控制模块和通信模块。本发明可以精确对每一个光斑进行精准控制；通过光纤导光以及透镜组组成的光路可以将光斑精准照射到单独的像素上。
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公开(公告)号：CN115663003A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211377496.5
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海微阱电子科技有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/79 , H04N25/62
Abstract: 本发明公开了一种彩色像素单元结构、电路、图像传感器和驱动方法，包括：基底，位于基底中的感光单元、第一垂直栅、第二垂直栅和条栅，感光单元包括相互堆叠的红光感光层、绿光感光层和蓝光感光层，绿光感光层置于红光感光层和蓝光感光层之间，感光单元用于读取光生电子数量；第一垂直栅的深度与蓝光感应层的深度相对应，第二垂直栅的深度与绿光感应层的深度相对应；位于第一垂直栅旁侧的第一传输源区和第一浮置扩散区，以及位于第二垂直栅旁侧的第二传输源区和第二浮置扩散区，第一传输源区与蓝光感光层通过第一沟道电连接，第二传输源区与绿光感光层通过第二沟道电连接，位于条栅旁侧的第三浮置扩散区与红光感光层通过第三沟道电连接。
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公开(公告)号：CN113689330B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110789933.3
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H04N25/705 , H04N25/62 , G06T3/4007
Abstract: 本发明实施例提供一种图像重构方法及装置、图像压缩方法及装置，属于图像处理技术领域。所述图像重构方法包括：针对原始影像的测量值，重复执行以下步骤进行迭代运算直至达到预定迭代次数K后，将第K次更新后的所述第一测量值#imgabs0#作为重构影像x：对第一测量值y1进行插值放大至原始影像大小相同，得到插值后的影像yf；对插值后的影像yf进行Huber变换和压缩感知变换，得到Huber变换后的影像yH和压缩感知变换后的影像yfC；计算压缩感知变换后的影像yfC与所述第二测量值y2之间的差值，并对所述差值进行压缩感知反变换，得到残差r；以及使用残差r、Huber变换后的影像yH，对所述第一测量值y1进行更新。所述重构影像具有更高的峰值信噪比和更好的视觉效果。
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公开(公告)号：CN114727036B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202210378626.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 原相科技股份有限公司
Abstract: 一种改善背照式全局快门效率的结构，藉由将感光像素电路中，在浮动扩散节点区域的位置，形成至少一个强电场，藉此产生屏蔽浮动扩散节点区域的效应，或者通过制程，将浮动扩散节点面向照光方向的半导体材料挖空，让此方向上无法形成空乏区，或者在照光方向形成阻挡光线的反射层或光阻层，减少非预期的感光噪声所产生的电荷，并使已经受到感光噪声影响而产生的电荷难以到达浮动扩散节点区域，藉此改善快门效率。
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公开(公告)号：CN117038684B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310870327.3
申请日：2023-07-14
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/62
Abstract: 本发明公开了一种可精细调整电荷累加级数的TDI‑CMOS图像探测器，包括衬底及位于衬底中的若干个相同的像素单元；所述像素单元均包括三个互不重叠的掺杂区，三个掺杂区内均具有离子，第三掺杂区内离子导电类型与第一掺杂区内离子导电类型相反；第一掺杂区表面设有多个栅极结构及金属互连层，第二掺杂区表面设有一个栅极结构及金属互连层，第三掺杂区顶部设有互连金属；通过对第二掺杂区的栅极结构进行电压和时序控制，调整当前像素单元电荷累积的数量。本发明通过对TDI‑CMOS图像探测器进行结构设计和时序控制，实现精细调整级数。
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公开(公告)号：CN119156706A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380038783.X
申请日：2023-04-25
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/62 , H04N25/70
Abstract: 提供了一种既能够实现聚光部的吸收抑制，又能够通过导体膜实现负偏压钉扎的光电检测装置。该光电检测装置包括半导体层、像素分离区域和片上透镜。在半导体层中，以矩阵形式布置有能够根据从外部入射的光生成电信号的多个像素。像素分离区域形成在半导体层中，并且将相邻像素彼此分离。片上透镜布置在半导体层的光入射面这一侧，针对每个包括两个以上像素的像素组形成，并且将来自外部的光会聚在像素组上。像素分离区域包括通过片上透镜的光的聚光部。聚光部包括沿半导体层的厚度方向延伸的第一材料，并且除了聚光部之外的部分包括沿半导体层的厚度方向延伸的不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN115442544B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211076656.2
申请日：2022-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: H04N25/615 , H04N25/62 , H04N25/616
Abstract: 本发明提供了基于热像素和增强时空相关性的动态视觉事件流降噪方法，包括步骤：1、读取动态视觉传感器输出的事件流，并对事件进行时空建模；2、根据时空特征，将噪声事件分为高频噪声事件和背景噪声事件；3、通过构造事件密度图，结合热像素输出噪声的持续高频特性和有效事件的时空连续性，实时检测热像素，实现对高频噪声的消除；4、引入不同强度梯度下动态视觉传感器的动态响应特性，对时空相关性降噪准则进行增强，准确地滤除背景噪声；5、利用降噪后的事件流对热像素的输出进行补偿，提高事件输出精度。该方法适用于动态视觉传感器输出事件流的降噪，兼顾了噪声事件去除效率和有效事件保留能力，以较小的运算资源取得了较高的降噪精度。
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公开(公告)号：CN118870200A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410822748.3
申请日：2024-06-25
Applicant: 比羿激光科技(湖州)有限公司
IPC: H04N23/81 , H04N23/80 , H04N25/62 , H04B10/50 , G06T7/66 , G06T7/11 , G06T7/136 , G06T5/70 , G06T7/73
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的质心补偿计算方法，包括以下步骤：步骤1，从CMOS相机获取目标光斑的灰度图像，对灰度图像进行中值滤波处理来抑制在CMOS相机成像过程中产生地高频噪声；步骤2，需对输出结果图像最外围加上一圈数据，补充的值全为0；步骤3，通过最大类间方差算法求出最佳阈值；步骤4，对图像进行分割，低于该阈值的像素点部分其像素值全部置为0，滤除光斑图像的背景部分；并将大于等于该阈值的部分其像素值全部置为255；步骤5，通过滑动补偿算法求出的质心坐标。本发明计算结果不仅具有实时性，还具有较高的准确性。本发明在解决CMOS相机输出图像有拖影，成像输出有延迟方面具有较为明显的优势，可以提高激光通信的通信质量。
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公开(公告)号：CN118317208A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410493330.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 维沃移动通信有限公司
Inventor： 郝鹏飞
Abstract: 本申请公开了一种像素结构、图像传感器、图像采集方法及电子设备，属于图像处理技术领域。该像素结构包括：电压变化检测模块和电压发生器；所述电压变化检测模块，用于在电荷转移过程中检测供电电压，在供电电压发生变化的情况下输出供电电压的变化值给所述电压发生器；所述电压发生器，用于接收所述电压变化检测模块发送的所述变化值，在预设的对应关系中查找所述变化值对应的电压参考值，将所述电压参考值作为模数转换模块的参考电压输出给所述模数转换模块。
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公开(公告)号：CN118301496A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410547761.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 安藤良次
IPC: H04N25/79 , H04N25/616 , H04N25/62 , H04N25/63 , H04N25/70 , H04N25/772 , H01L27/146
Abstract: 提供一种拍摄元件及拍摄装置。拍摄元件具备：第1基板，其设有通过光电转换而生成电荷的光电转换部、和被输出基于由上述光电转换部生成的电荷得到的信号的信号线；以及第2基板，其层叠于上述第1基板，设有向上述信号线进行电压供给以使得上述信号线的电压不成为规定电压以下的供给部、和对输出到上述信号线的信号进行处理的处理部。
