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公开(公告)号：CN104364981B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201380027395.8
申请日：2013-05-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01S5/183 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/34 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。
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公开(公告)号：CN106684706A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611034936.1
申请日：2016-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/00 , H01S5/0206 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2045 , H01S5/2202
Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN103378544B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310128713.1
申请日：2013-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S3/10 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/0265 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S2301/176 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及调制器集成型激光器元件。本发明的目的在于提供一种能够不产生问题地对调制器进行差动驱动的调制器集成型激光器元件。一种调制器集成型激光器元件，在同一基板（40）上形成有：具有第一下包覆层（42）的激光器部（12）、具有第二下包覆层（60）的分离部（14）和具有第三下包覆层（70）的调制部（16），其中，调制器集成型激光器元件的短尺寸方向的该第二下包覆层（60）的宽度比该第一下包覆层（42）的宽度及该第三下包覆层（70）的宽度窄。
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公开(公告)号：CN102947246B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180030057.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/443 , C04B35/645 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC classification number: C04B35/443 , B32B18/00 , C04B35/5154 , C04B35/58 , C04B35/6455 , C04B2235/3222 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9653 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01S5/0208 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种基板、该基板的制造方法、以及使用了该基板的发光元件，所述基板可以形成与蓝宝石基板制成的发光元件相比更廉价的发光元件。本发明的基板（10）由尖晶石制成，且为发光元件（30）用基板（10）。优选构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl2O3（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。
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公开(公告)号：CN104854766A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201480003304.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0208 , H01S5/02256 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/162 , H01S5/22
Abstract: 半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。
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公开(公告)号：CN104364981A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380027395.8
申请日：2013-05-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01S5/183 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/34 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。
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公开(公告)号：CN103460527A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201080070812.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC classification number: H01S5/1231 , H01S5/0208 , H01S5/0422 , H01S5/2018 , H01S5/2045 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S5/2232
Abstract: 本发明提供一种与MGVI设计和制造方法完全兼容的LCSEG-DFB激光器，用于多功能PIC内的单增长单片集成电路。其包括台面形式的激光器PIN结构，从上发射层顶面通过有源，假定为MQW、增益区向下蚀刻至下发射器顶面。下部电触头邻近台面设置，台面设在下发射层，上接触带设在台面顶部上的上发射层。从台面顶面、上接触带之间，穿过上发射层，向下蚀刻入SCH层，限定/蚀刻成了SEG。SCH结构提供了垂直约束，台面底部中的侧面提供了横向约束。导模通过垂直翼穿透SEG及与SEG消散消散场耦合实现与SEG的相互作用。
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公开(公告)号：CN103378544A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310128713.1
申请日：2013-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S3/10 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/0265 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S2301/176 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及调制器集成型激光器元件。本发明的目的在于提供一种能够不产生问题地对调制器进行差动驱动的调制器集成型激光器元件。一种调制器集成型激光器元件，在同一基板（40）上形成有：具有第一下包覆层（42）的激光器部（12）、具有第二下包覆层（60）的分离部（14）和具有第三下包覆层（70）的调制部（16），其中，调制器集成型激光器元件的短尺寸方向的该第二下包覆层（60）的宽度比该第一下包覆层（42）的宽度及该第三下包覆层（70）的宽度窄。
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公开(公告)号：CN101143522B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200710127421.0
申请日：2007-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐云镐
IPC: B41J2/455
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , G03G15/04072 , G03G2215/0404 , H01S5/0207 , H01S5/0208 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种多束激光设备和使用其的图像形成装置。该多束激光设备包括公共电极单元；使用该公共电极单元而发光的多个光源单元；以及将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元。该公共电极单元与该多个光源单元设置在该隔离单元的同一侧，多个光源单元被延伸至该隔离单元内的深度变化的至少两个沟槽隔离。例如采用这种配置，该激光设备可以减少各个光源单元之间的距离以及电极的数目，并因此减少布线和引脚的数目以产生紧凑芯片，还可以防止该多个光源单元之间的干扰。
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公开(公告)号：CN100461561C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200480040079.5
申请日：2004-12-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 田中章雅
CPC classification number: H01S5/18305 , H01L33/20 , H01L2224/11 , H01S5/0207 , H01S5/0208 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18388 , H01S5/2063 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/423
Abstract: 一种半导体发光元件，具有多层构造体和玻璃基板。多层构造体含有积层的多个化合物半导体层，并生成光。多层构造体具有使所生成的光出射的光出射面，相对该光呈光学透明的玻璃基板，通过由氧化硅构成的膜粘合到光出射面。
