公开(公告)号：CN101563785B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200780043093.4

申请日：2007-06-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李圣恩 ,  朴铉定

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池包括：p-n结构，其具有第一导电半导体衬底、在第一导电半导体衬底上形成并具有与第一导电半导体衬底相反的导电性的第二导电半导体层、以及在第一导电半导体衬底与第二导电半导体层之间的界面处形成的p-n结；第一抗反射膜，其在第二导电半导体层上形成并由厚度为40～100nm的SiNx:H薄膜构成；第二抗反射膜，其在第一抗反射膜上形成并由氧氮化硅构成；前电极，其以预定的图案在第二抗反射膜上形成并通过第一和第二抗反射膜而连接到第二导电半导体层；以及后电极，其在与前电极相对的一侧形成，其中第一导电半导体衬底插在它们之间，以将该后电极连接到第一导电半导体衬底。

公开(公告)号：CN101563785A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780043093.4

申请日：2007-06-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李圣恩 ,  朴铉定

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池包括：p－n结构，其具有第一导电半导体衬底、在第一导电半导体衬底上形成并具有与第一导电半导体衬底相反的导电性的第二导电半导体层、以及在第一导电半导体衬底与第二导电半导体层之间的界面处形成的p－n结；第一抗反射膜，其在第二导电半导体层上形成并由厚度为40～100nm的SiNx:H薄膜构成；第二抗反射膜，其在第一抗反射膜上形成并由氧氮化硅构成；前电极，其以预定的图案在第二抗反射膜上形成并通过第一和第二抗反射膜而连接到第二导电半导体层；以及后电极，其在与前电极相对的一侧形成，其中第一导电半导体衬底插在它们之间，以将该后电极连接到第一导电半导体衬底。