公开(公告)号：CN207663088U

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201721821739.4

申请日：2017-12-23

Applicant: 长安大学

Inventor： 张赞 ,  高恬溪 ,  胡笑钏 ,  徐小波 ,  张林

IPC: G02B6/126 ,  G02B6/14 ,  G01J4/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本实用新型所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN203826386U

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201420147589.3

申请日：2014-03-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 全思 ,  徐小波 ,  张林 ,  谷文萍 ,  文常保 ,  闫茂德 ,  郝跃

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。