公开(公告)号：CN107954421A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201711329417.2

申请日：2017-12-13

Applicant: 郑州大学

Inventor： 单崇新 ,  李振 ,  臧金浩 ,  娄庆 ,  董林

IPC: C01B32/26

Abstract: 本发明提供了一种原子级掺杂金刚石及其合成方法，本发明方法工艺简单，在不使用金属触媒、不使用另外的含有掺杂元素的化合物做掺杂剂的状况下，以本身含有掺杂元素的单一组分有机物为前驱体，使用加热加压手段在不是特别苛刻的条件下合成得到原子级掺杂金刚石，有效解决了掺杂剂同碳源机械混合不可能十分均匀的问题、碳源同掺杂剂混合过程中不可控的引入外来杂质污染的问题、掺杂剂本身给金刚石生长过程带来不可控影响的问题和掺杂元素同碳源混合比例不可能控制得十分精确的问题，实现了以原位含有杂质元素的单一组分有机物为前驱体合成原子级掺杂金刚石的目标。本发明掺杂金刚石产品多具有不规则的晶貌，并且许多晶粒以孪晶的形式存在。

公开(公告)号：CN102051497B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110022071.8

申请日：2011-01-20

Applicant: 郑州大学

Inventor： 辛荣生 ,  贾晓林 ,  蔡彬 ,  林钰 ,  董林 ,  胡斌 ,  梅莉莎

IPC: C22C5/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种金银镶嵌靶材及其薄膜的制备方法。金银镶嵌靶材成分中金占10%-30%、银占70%-90%。靶材制备时先用纯银靶进行磁控溅射获得溅射跑道，开设金槽，然后采用压入方法将金镶嵌到金槽内。制备合金薄膜时在磁控溅射条件下使金银镶嵌靶材跑道上的金银溅射，混合沉积在基材上，形成金银合金薄膜。磁控溅射条件：真空度1×10-3-5×10-3帕，溅射温度20-40℃，溅射速率20-200nm/分钟，气压0.5-1帕。本发明金银镶嵌靶材在银靶上采用部分金替代银，采用镶嵌方式将金、银结合，贵金属的利用率高，降低了靶材成本，得到的靶材结合紧密，溅射效率高、性能稳定、品质优良。制备的金银合金薄膜性能和成分稳定，其可见光透射率、远红外反射率均高于纯银薄膜，并且具有较好的时效性。

公开(公告)号：CN216387776U

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202121026085.2

申请日：2021-05-12

Applicant: 郑州大学 ,  珠海极海半导体有限公司

Inventor： 张虚谷 ,  董林 ,  刘夏聪 ,  刘莎莎 ,  郜超军

IPC: G05B19/042

Abstract: 本申请提供一种流体粘度调整电路和MCU控制的流体粘度调整系统，该流体粘度调整电路包括粘度检测电路和控制电路。所述粘度检测电路用于根据流体粘度生成对应的脉冲数值；所述控制电路与所述粘度检测电路连接，用于接收所述粘度检测电路输出的脉冲数值，并根据所述脉冲数值生成第一电流；所述粘度检测电路包括发热元件和选择开关，所述控制电路还与所述发热元件和所述选择开关连接，所述控制电路用于控制所述选择开关，当所述选择开关闭合使得所述控制电路和所述发热元件连接时，根据所述第一电流控制所述发热元件发热，以调整流体粘度。本申请提供的流体粘度调整电路和MCU控制的流体粘度调整系统可以解决现有流体粘度调整中存在的人工成本大、调整效果差的问题。