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公开(公告)号：CN113341761B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110554445.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明属于数字器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统，所述CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始器件的IBIS模型数据；提取输入端口的钳位管特性曲线和输出端口的晶体管特性曲线；根据钳位管特性曲线提取二极管模型参数，根据晶体管特性曲线提取MOS管模型参数；根据模型参数建立CMOS数字IC行为‑物理混合模型，并建立CMOS数字IC时序退化模型；根据总剂量效应造成的器件电特性退化，建立CMOS数字IC输出端口总剂量效应模型。本发明建立的模型既能反映CMOS数字器件的逻辑功能，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。
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公开(公告)号：CN117036191A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310945884.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于swin transformer和小波变换的SAR图像去噪方法，其实现步骤为：对生成的含噪样本集中的每个样本进行尺度为1的小波分解，得到每个样本的4个子带图片，训练构建的Swin Transformer网络，对SAR图像进行去噪。本发明利用小波变换后的样本训练构建的swin transformer的SAR图像去噪网络，利用小波变换的多尺度分析特性在不同尺度上对信号进行局部分析，使得滤除高频噪声成分的同时保留了原始图像的边缘纹理信息；利用swin transformer的局部窗口连接策略，增强了图像信息特征的同时降低了模型的参数量，减少了生成降噪后图像的时间。
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公开(公告)号：CN116910623A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310914035.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F18/24 , G06F3/01 , G06F18/25 , G06F18/10 , G06F18/213
Abstract: 本发明提出了一种基于受试者迁移的SSVEP脑机接口目标识别方法，其实现步骤为：生成训练集；计算源受试者不变空间滤波器；计算源受试者不变模板信号；计算泛化空间滤波器；计算经源受试者不变空间滤波器滤波后的目标受试者数据与源受试者不变模板信号间的相关系数；根据相关系数完成目标识别。本发明提出的基于受试者迁移的方法能够提高脑机接口系统的效率，解决现有技术中脑机接口目标识别仍需要目标受试者校准数据，效率低下的问题，使得本发明具有泛化能力强的优点，且结合相邻刺激目标的信息识别目标，具有识别准确率高的优点。
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公开(公告)号：CN111696025B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010526627.6
申请日：2020-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于可重构内存计算技术的图像处理装置及方法，本发明的装置使用新型ReRAM器件，以及PIM技术，将数据处理与存储整合在同一个装置中，并引入可重配运算技术。本发明的方法的步骤是设计内存计算PIM指令集，对PIM程序进行编译，利用高层次综合HLS工具编写程序代码，将程序代码放到相应位置，采取两种方式对两种不同的图像处理任务进行处理。本发明有效的解决了“存储墙”问题，使得本发明装置的片内总线带宽大，传输速度快，功耗低，集成度高。本发明的方法可以在不降低图像分辨率的前提下，提高图像处理的并行度和系统的灵活性，进而达到快速图像处理的目的。
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公开(公告)号：CN111831285B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010577767.6
申请日：2020-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F8/40 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明属于内存计算技术领域，公开了一种面向内存计算平台的代码转换方法、系统及应用。面向神经网络应用，为内存计算平台构建基于硬件描述语言的算法库；将神经网络模型转化为计算图形式，从计算图中获取节点信息；查询算法库中是否包含了节点所做的操作；根据节点之间的互联关系构建顶层top文件，实现从高级语言到底层硬件描述语言的代码转换。本发明通用的面向内存计算平台的高级语言到底层硬件描述语言的转换方法，使用户在开发过程中无需了解硬件底层架构，直接采用高级语言编程，并转化为硬件描述语言，降低开发难度，加快任务的部署速度并有效提高任务的执行效率。通过实验与仿真验证方法的可行性，最后对实验结果做总结。
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公开(公告)号：CN112115006A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010822305.6
申请日：2020-08-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于信号控制与处理技术领域，公开了一种DSP和FPGA的空间辐射效应测试装置及测试方法，DSP和FPGA的空间辐射效应测试装置包括RS485通讯模块、主控制器模块、HPI接口模块、SELECTMAP接口模块、电压电流采集模块、FLASH读写控制模块、信号频率测量模块；通过RS485接口从上位机接收命令，对待测DSP和FPGA的加电顺序控制、电流电压监测、测试程序加载以及功能电路测试，并且将测试结果通过RS485传送至上位机。本发明可实现对供配电、器件电气参数、功能参数、控制计算机运行信号及数据等进行控制、采集、显示、存储的功能，为DSP与FPGA常态测试和辐照效应实验提供测量系统。
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公开(公告)号：CN106503285B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610824342.4
申请日：2016-09-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于VHDL‑AMS的电路辐照效应的建模方法，通过注入不同辐照剂量，反应电路中电子器件受到辐照效应后电特性的变化；采用等效电路对电源器件进行行为级建模，将复杂电路的行为抽象到以电阻、电容和受控源的基本元件组成的电路；使用VHDL‑AMS语言描述仿真，进行数字和模拟电路的混合建模。本发明进行数字和模拟电路的混合建模，能够反应和描述电流和电压在电路中的具体特性；行为级建模大大降低仿真电路的难度，在短时间内进行快速验证；辐照对电子器件的影响，通过电特性的方式表征出来，直观易行；采用黑盒模型的建模方法，避免器件行为特性信息不足的缺陷；数模混合建模语言的使用，使仿真过程简便且更加完善。
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公开(公告)号：CN107229008A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710365036.3
申请日：2017-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R19/0084
Abstract: 本发明提出了一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法，用于解决现有技术无法同时测量已封装CMOS反相器内部NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的技术问题，实现步骤为：直流电压源为CMOS反相器施加直流电压，同时信号发生器为CMOS反相器施加脉冲信号；双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压和输出电压；绘制CMOS反相器一个周期的静态电压传输曲线；计算静态电压传输曲线转换点的增益；绘制转换点增益直线；计算转换点增益直线与静态电压传输曲线重合区间的端点；获取NMOS的阈值电压Vthn和PMOS的阈值电压Vthp。本发明测量效率高，通用性强，可用于数字电路设计和仿真中阈值电压的提取和分析。
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公开(公告)号：CN106680697A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611124663.X
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/317
CPC classification number: G01R31/317
Abstract: 本发明公开了一种数字信号处理器试验检测装置，包括：基于FPGA的硬件控制模块，用于控制整个试验检测装置的工作流程，处理相关的数据，控制加载DSP测试程序，对测试结果进行存储或显示，实现与上位机的通信；待测DSP芯片硬件模块，用于为待测DSP芯片提供能够使其正常工作时所需的硬件外围电路设计，对DSP芯片进行测试与操作；底板硬件系统，用于提供在对待测DSP芯片进行电参数和功能模块测试时所需的全部硬件电路以及各种接口电路，连接基于FPGA的硬件控制模块和待测DSP芯片硬件模块，为检测装置提供正常工作时所需的各路供电电压。本发明的测试成本低，测试周期短，准确度高。
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公开(公告)号：CN106649920A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610824474.7
申请日：2016-09-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法，所述基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法是对原始电子器件分别采用不同目标累积剂量进行辐照；对经过辐照后的原始电子器件进行数据测量和模型提取，构建全部目标累计剂量下电子器件的IBIS模型数据库；在给定辐照总剂量D的情况下，根据D对构建好的器件模型数据库进行插值操作，获得该辐照剂量下的VI和VT等插值数据，并根据插值数据构建IBIS模型，即该辐照剂量下器件的IBIS辐照总剂量效应模型。本发明在原始的PCB信号完整性分析的基础上考虑了辐照条件对PCB信号完整性的影响，为在辐照条件下进行PCB的信号完整性问题的仿真分析提供模型支持。
