公开(公告)号：CN108322033A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810273307.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 伍文俊 ,  蔡雨希

IPC: H02M1/32 ,  G01R19/165

CPC classification number: Y02B70/1483 ,  H02M1/32 ,  G01R19/16571 ,  H02M2001/0009 ,  H02M2001/0038

Abstract: 本发明公开了SiCMOSFET变换器的过流保护装置及保护方法。包括：漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET和驱动单元五部分。漏源电压检测单元通过电阻分压完成SiCMOSFET的漏源电压检测，反映SiCMOSFET的漏极电流；通过三极管、稳压管和比较器等完成过流信号的检测；通过三极管的射集电压选择检测SiCMOSFET仅在通态时的漏源电压，并通过稳压管抑制三极管射集电压尖峰，有效避免了过电流保护的误动作，使SiCMOSFET变换器的运行安全可靠；调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈值，设置灵活方便。该漏源电压检测的过流保护装置及方法，成本低，安全可靠，检测速度快。

公开(公告)号：CN104502705B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410729713.1

申请日：2014-12-04

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 张晓滨 ,  张攀 ,  段建东 ,  张辉 ,  杨波 ,  伍文俊 ,  程思雨

IPC: G01R23/165 ,  G01R19/25

Abstract: 本发明公开了适用于电网电压畸变且不平衡的无锁相环旋转矢量检测法，按照以下步骤完成：分别通过电压霍尔元器件和电流霍尔元器件采集处于畸变且不平衡状态下的电网的电压和负载电流瞬时值；将经调理电路处理后的电网电压和负载电流瞬时值，由A/D模块转换为数字信号输入DSP处理器中；DSP处理器通过对数字量的电网电压和负载电流瞬时值进行处理，检测得到特定次谐波分量；DSP处理器根据检测得到的特定次谐波分量，检测得到无功及有功分量。本发明适用于电网电压畸变且不平衡的无锁相环旋转矢量检测法，解决了现有技术中存在的检测过程复杂，检测结果受电压频偏干扰且无法准确检测指定次谐波电流的问题。

公开(公告)号：CN103501011B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310461972.6

申请日：2013-09-27

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 张晓滨 ,  钟彦儒 ,  段建东 ,  曾光 ,  孙向东 ,  伍文俊

IPC: H02J3/18

CPC classification number: Y02E40/16

Abstract: 本发明公开了一种STATCOM的矩阵形式间接电流控制方法，根据建立好的STATCOM的主电路建立STATCOM的线性化数学模型，然后依据所推导的STATCOM线性化数学模型设计矩阵形式的间接电流控制策略，该控制策略解决了传统间接电流控制策略控制参数整定困难的问题。克服了传统间接电流控制方式中控制参数整定困难的问题。另外在控制参数整定过程中，应用LQR法使STATCOM系统达到最优化。

公开(公告)号：CN101615853B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910022902.4

申请日：2009-06-10

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 伍文俊 ,  钟彦儒 ,  段博 ,  王建渊 ,  孙向东 ,  张晓斌 ,  李洁

IPC: H02M7/155

Abstract: 本发明公开了一种三电平PWM整流器对称三区的电压矢量脉宽调制方法，该方法按照以下步骤实施：步骤1、电压矢量区域划分：按照每60°划分一个扇区，每个扇区设置三个小区，每个扇区设置三个小区，以象限为单位进行计算；步骤2、电压矢量合成方法：按照步骤1划分的区域，各区域的电压矢量合成采用邻近三电压矢量合成；步骤3、电压矢量作用时间：每个区域各合成电压矢量的作用时间是根据伏秒特性完成；步骤4、电压矢量脉宽调制：用上述步骤3计算出的电压矢量作用时间，进行电压矢量的脉宽调制，即基于逻辑法的DSP+CPLD的三电平PWM整流器系统来实现。本发明的方法实现了电压矢量脉宽调制本身的自平衡，电压矢量分区少、算法简单。

公开(公告)号：CN202424566U

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201220033194.1

申请日：2012-02-02

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 孙向东 ,  任碧莹 ,  王建渊 ,  伍文俊

IPC: H02M7/48 ,  H02M7/537 ,  H02M1/44

CPC classification number: Y02E10/56

Abstract: 本实用新型公开了一种单相非隔离光伏并网发电逆变电路，包括光伏阵列PV、防反充功率二极管和两个直流母线滤波电容，还包括六个功率开关以及单相电网，在六个功率开关组成的两个桥臂和两个直流母线滤波电容之间对应设置有两个电压箝位功率二极管。本实用新型在抑制共模电流的大小的同时，能提高电路转换效率。

公开(公告)号：CN212255458U

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202020353862.3

申请日：2020-03-19

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 伍文俊 ,  左冉阳 ,  崔东杰 ,  蔡雨希

IPC: G01R19/00 ,  G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开了一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，包括漏源电压检测单元，漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元；电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元；信号调理单元还连接DSP控制器单元；DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流；SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。本实用新型通过SiCMOSFET的漏源电压就可以检测出电力变换器中SiC MOSFET的漏极电流，将该电流可直接用于电力变换器的控制系统中，降低了检测单元和电力变换器系统的成本与体积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208028563U

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201820443020.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 伍文俊 ,  蔡雨希

IPC: H02H3/08 ,  H02H9/04 ,  G01R19/165

Abstract: 本实用新型公开了一种SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置。包括：漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET、驱动单元和外部控制器6个单元。无传感器，大大降低检测成本；调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈值，使用灵活方便；通过稳压管抑制三极管射集电压尖峰，有效避免了过电流保护的误动作，安全可靠，检测速度快。