电三稳态的材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN101665678A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910182734.5

    申请日:2009-09-04

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种电存储材料,具体公开了一种电三稳态的材料及其制备和应用,所述电三稳态材料的化学结构式如上所示;式中,所述R选自:卤素基团、硝基或甲氧基中的一种;其中,R 1 选自:C1~C6的烷基或苯基中的一种。由于本发明所述电三稳态材料的应用,本发明成功制得三位数据存储器件,同时,本发明中所涉及的有机材料合成简单,器件制作工艺成熟,器件性能稳定,在单位密度内的数据存储量将比基于“0”和“1”二位数据呈指数级增长,因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

    兼具快速吸附与高效降解污染物的苝基胶束及其制备方法

    公开(公告)号:CN114907550A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210403842.6

    申请日:2022-04-18

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 李华

    Abstract: 本发明提供了一种集快速吸附与高效降解于一体的双功能纯有机光催化材料的合成方法,通过在两亲性嵌段共聚物中合理引入苝酰亚胺基团,自组装形成胶束用于处理水中污染物。本发明的优点是:苝基两亲性嵌段聚合物自组形成的胶束尺寸均匀,胶束对双酚A表现出超强的吸附能力,在不同的浓度或温度条件下迅速达到稳定的吸附平衡。同时在混合酚类溶液中对双酚A表现出明显的识别选择性和良好的亲和力。此外,胶束对双酚A的有着快速的降解效率。本发明为无金属有机材料用于废水的深度处理制定了新的设计思路。

    一种制备多级孔沸石的方法

    公开(公告)号:CN105692644A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201610088648.8

    申请日:2016-02-17

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 李华 肖佳佳

    CPC classification number: C01B39/02 C01P2006/14

    Abstract: 本发明公开了一种制备多级孔沸石的方法,即以各种碱蒸汽为沸石化的矿化剂、以无定形介孔/大孔材料为前驱体,通过碱蒸汽热处理的方法来制备多级孔沸石材料。本发明适用的无定形介孔/大孔材料为前驱体涉及各种介孔或大孔分子筛的无定形多孔无机前驱体,适用的多级孔沸石涉及MFI沸石、β沸石、Y沸石、silicatite-1的沸石。这是碱金属蒸汽热法制备多级孔沸石的第一例,与现有技术具有相当或更高的HF和更广的沸石制备适用性。

    基于萘环的共聚物、制备及制成的三进制电存储器件

    公开(公告)号:CN103554351B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310512500.9

    申请日:2013-10-25

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 李华

    Abstract: 本发明公开了基于萘环为功能基团的新型共聚物三进制电存储材料PMNB和PMNN:其中,7.5≤x<10,0<y≤2.5;本发明所公开的PMNB和PMNN的合成工艺简单;采用PMNB和PMNN制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件,制作工艺成熟,器件性能稳定,在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长,在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

    电存储材料与数据存储器件

    公开(公告)号:CN103554317A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310497293.4

    申请日:2013-10-21

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 李华

    Abstract: 本发明提供了一种电存储材料与数据存储器件,该电存储材料如式(I)所示,其中,-R为-NO2、卤原子或-OR1;所述R1为烷基。与现有电存储材料相比,式(I)所示的电存储材料为侧链聚合物,侧链为大共轭平面分子,且该电存储材料骨架中含有硝基、卤原子、OR1、偶氮等吸电子基团,在电场下,侧链的共轭平面分子之间由原来的无序状态向有序状态转变,首先实现OFF-ON1态的转变,随着电场继续增大,注入的电荷将侧链的吸电子基团造成的电荷陷阱填满,实现ON1-ON2态的转变,因此,该电存储材料表现出对应于OFF-ON1-ON2三个导电态的0,1,2三个信号存储状态,从而具有三进制存储态。

    三进制电存储材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN103497176A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201310497319.5

    申请日:2013-10-21

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 李华

    Abstract: 本发明公开了一种三进制电存储材料及其制备和应用,其中三进制电存储材料的化学结构通式为:其中,x为5~9;y为1~5;数均分子量为11000~13000,分子量分布为1.4~1.6,R为-Br、或-H、或-NO2、或-N(CH2CH3)2。本发明的三进制电存储材料具有超高电信息存储密度的优越性能,大大提高了材料的信息存储能力。同时,基于上述三进制电存储材料能够制得三进制数据存储器件,该制备方法简单,效率高,制备的三进制数据存储器件稳定性高,在单位密度内的数据存储量将比基于“0”、“1”二进制数据存储呈指数级增长,因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

    二芳基酮中心的偶氮分子三进制电存储材料及制备和应用

    公开(公告)号:CN102936208A

    公开(公告)日:2013-02-20

    申请号:CN201210469630.4

    申请日:2012-11-19

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种以二芳基酮为中心基团的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用,所述偶氮分子的结构式如下:式中,DAK为3,3’-二苯甲酰基、4,4’-二苯甲酰基或2,7-芴酮基;R为N,N-二C1~C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基;本发明所公开的该偶氮分子的合成工艺简单;采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件,制作工艺成熟,器件性能稳定,在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长,在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

    纳米复合热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102856486A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201110177355.4

    申请日:2011-06-28

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 李华

    Abstract: 本发明公开了一种纳米复合热电材料的制备方法,包括以下步骤:将氢氧化钠、硼氢化钠在溶剂中混合,得到还原性溶液;将锑源化合物、钴源化合物、络合剂和介孔碳在挥发性极性有机溶剂中混合,干燥后得到第一混合物;将所述还原性溶液与所述第一混合物混合、反应,干燥后得到第二混合物;在氮氢混合气氛下将所述第二混合物置于380~550℃下热处理,反应后得到纳米复合热电材料。与现有技术相比,本发明将制备的纳米量级的锑化钴填充于介孔碳的孔道中,利用介孔碳的孔道限制作用,避免了热处理过程中纳米量级的锑化钴的团聚和长大。实验结果表明,本发明制备的锑化钴纳米复合热电材料中锑化钴纳米颗粒单分散性良好。

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