公开(公告)号：CN111698942A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012432.5

申请日：2019-02-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央

IPC: A61B5/0408

Abstract: 根据本发明的一个实施例的电极设有：第一导电材料；非极化并且具有离子键合的第二导电材料；以及基材，包括所述第一导电材料和所述第二导电材料，并且具有所述第一导电材料和所述第二导电材料之间的浓度比彼此不同的第一区域和第二区域。

公开(公告)号：CN102867914B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201210235274.X

申请日：2012-06-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566

Abstract: 本公开涉及电子器件和半导体器件的制造方法。所述电子器件至少包含：第一电极；第二电极，其被设置成与所述第一电极间隔开；和活性层，其被设置在所述第一电极上方至所述第二电极上方并且由有机半导体材料形成。电荷注入层形成在所述第一电极和所述活性层之间以及所述第二电极和所述活性层之间，并且所述电荷注入层由通过被氧化而电传导率的值增加了的有机材料形成。

公开(公告)号：CN102956824B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210295862.2

申请日：2012-08-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央 ,  汤本昭

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L27/3272 ,  G02F1/133602 ,  G02F2202/02 ,  G02F2203/055 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及半导体基板和电子装置。所述半导体基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。所述电子装置包括光源和上述薄膜晶体管，从所述光源生成的光作为所述外部光。本发明的所述半导体基板和所述电子装置能够确保所述有机半导体层的电特性。

公开(公告)号：CN102956824A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210295862.2

申请日：2012-08-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央 ,  汤本昭

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L27/3272 ,  G02F1/133602 ,  G02F2202/02 ,  G02F2203/055 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及半导体基板和电子装置。所述半导体基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。所述电子装置包括光源和上述薄膜晶体管，从所述光源生成的光作为所述外部光。本发明的所述半导体基板和所述电子装置能够确保所述有机半导体层的电特性。

公开(公告)号：CN102779949A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210135457.4

申请日：2012-05-03

Applicant: 索尼公司

Inventor： 汤川弦 ,  八木岩 ,  野田真 ,  胜原真央

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0097 ,  H01L51/5237 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24752

Abstract: 本发明公开了一种薄膜元件组装体，其包括具有可挠性的基材和设置在所述基材的第一表面上的多个薄膜元件，其中，在所述基材中，在设有多个薄膜元件的第一区域的外侧形成有未设置薄膜元件的第二区域，并且其中，在所述基材的第一表面的第二区域、或者第二表面的第二区域、或者第一表面和第二表面每一者的第二区域中形成有凸部。由于凸部形成在基材的未设置薄膜元件的第二区域中，因而即使当卷取薄膜元件组装体时，也能够可靠地防止基材的第二表面与形成在第一表面上的多个薄膜元件接触，并且能够向薄膜元件组装体赋予进一步的耐久性。

公开(公告)号：CN102315388A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110181532.6

申请日：2011-06-30

Applicant: 索尼公司

Inventor： 牛仓信一 ,  胜原真央

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562

Abstract: 本发明的实施例提供薄膜晶体管及其制造方法、显示装置及电子设备。该薄膜晶体管包括接触层，接触层包含有机半导体材料以及受主材料或施主材料，并且提供在有机半导体层和源极电极/漏极电极之间。

公开(公告)号：CN101867017A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010150255.8

申请日：2010-04-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 野本和正 ,  胜原真央 ,  汤本昭

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/102 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。用于制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极；在栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜；以及在设置有有机半导体层和电极膜的衬底上形成负型光刻胶膜，并且，通过将栅极电极用作遮光掩模从衬底一侧进行背表面曝光，并进行随后的显影处理，来形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。