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    摄象装置
    21.
    发明公开
    摄象装置 失效

    公开(公告)号：CN1366424A

    公开(公告)日：2002-08-28

    申请号：CN01101697.3

    申请日：2001-01-15

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 井上满夫 ,  笹川智广 ,  杉浦博明 ,  滨村正夫

    IPC: H04N5/30

    Abstract: 摄象装置至少具备将光电变换器件配置成矩阵形状的摄象器件和用于使被摄影物的像在摄象器件的受光面上成像的成像装置。具备在摄象器件的受光面的不同区域,使至少2个相似的所述被摄影物的像成像的成像装置和至少从2个所述被摄影物的像构成1个被摄影物的像的信号处理装置。因为做到了用多个成像透镜在摄象器件表面形成多个被摄影物的像,因此能够实现薄型的摄象装置。

    液晶显示装置用背光
    22.
    发明授权
    液晶显示装置用背光 失效

    公开(公告)号：CN100354720C

    公开(公告)日：2007-12-12

    申请号：CN200410012057.X

    申请日：2000-10-20

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 笹川智广 ,  结城昭正 ,  岩崎直子 ,  松本贞行 ,  井上满夫 ,  小田恭一郎

    IPC: G02F1/13357

    Abstract: 根据本发明的背光能够得到合适的配光分布和均匀的射出光，具有提供为了液晶板的显示而用于照射的光的棒状光源(1)和平板状的导光板(3)，该导光板具有平行于棒状光源的位于侧面的入射端面(20)，平行于液晶板地配置的出光面(21)以及平行地面对出光面的底面(22)，其特征在于在导光板的底面(22)上设置了反射棱镜，该反射棱镜具有在沿入射端面(20)的方向上延伸的楔状反射槽(4)和为了不形成楔状反射槽，沿着与该楔状反射槽(4)延伸的方向交叉的方向分断该楔状反射槽的带状分断平坦部(5)，其中，上述楔状反射槽(4)的深度随着距入射端面(20)的距离增加而加深，上述带状分断平坦部(5)的宽度随着距入射端面(20)的距离增加而渐减。

    薄膜半导体的制造方法
    23.
    发明授权
    薄膜半导体的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1332426C

    公开(公告)日：2007-08-15

    申请号：CN200480001244.6

    申请日：2004-08-17

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

    IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

    Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域的工序。

    半导体器件的制造方法
    25.
    发明公开
    半导体器件的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1717781A

    公开(公告)日：2006-01-04

    申请号：CN200480001492.0

    申请日：2004-08-31

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 井上满夫 ,  宫川修 ,  坂本孝雄

    IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02595 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

    Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底(1)上形成非晶硅膜(2)的非晶硅层叠工序；对上述非晶硅膜(2)照射激光(16)，将上述非晶硅膜(2)的至少一部分变换为多晶硅膜(3)的照射工序；以及在上述照射工序之后，在含氧的气氛中氧化上述多晶硅膜(3)表面的氧化工序，作为上述激光(16)，使用将波长为≥350nm且≤800nm的脉冲激光变换成在宽度方向上具有至少≥3(mJ/cm2)/μm的能量密度梯度的线形光束的激光，在温度为≥500℃且≤650℃、且压力≥10大气压的饱和水蒸气的气氛中进行上述氧化工序。利用此方法，能够容易地制造出结晶性优良的半导体器件。

    薄膜半导体的制造方法
    26.
    发明公开
    薄膜半导体的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1706029A

    公开(公告)日：2005-12-07

    申请号：CN200480001244.6

    申请日：2004-08-17

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

    IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

    Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板(9)的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光(22)在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状(33)，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域(36)中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域(36)相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域(39)的工序。

    液晶显示装置用背光
    27.
    发明公开
    液晶显示装置用背光 失效

    公开(公告)号：CN1617028A

    公开(公告)日：2005-05-18

    申请号：CN200410012057.X

    申请日：2000-10-20

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 笹川智广 ,  结城昭正 ,  岩崎直子 ,  松本贞行 ,  井上满夫 ,  小田恭一郎

    IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1335

    Abstract: 根据本发明的背光能够得到合适的配光分布和均匀的射出光，具有提供为了液晶板的显示而用于照射的光的棒状光源(1)和平板状的导光板(3)，该导光板具有平行于棒状光源的位于侧面的入射端面(20)，平行于液晶板地配置的出光面(21)以及平行地面对出光面的底面(22)，其特征在于在导光板的底面(22)上设置了反射棱镜，该反射棱镜具有在沿入射端面(20)的方向上延伸的楔状反射槽(4)和为了不形成楔状反射槽，沿着与该楔状反射槽(4)延伸的方向交叉的方向分断该楔状反射槽的带状分断平坦部(5)，其中，上述楔状反射槽(4)的深度随着距入射端面(20)的距离增加而加深，上述带状分断平坦部(5)的宽度随着距入射端面(20)的距离增加而渐减。

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