公开(公告)号：CN101644869A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910160313.2

申请日：2009-08-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 青木敬

IPC: G02F1/167 ,  H01L27/28

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/167

Abstract: 本发明涉及电路基板、电光装置及电子设备。其具有可以使成品率提高的结构。电路基板具备：在基板上沿第1方向所形成的多条扫描线(14)；在基板上沿与第1方向交叉的第2方向所形成的多条信号线(15)；分别与多条扫描线之中某1条电连接且与多条信号线之中某1条电连接的多个晶体管(11)；覆盖多条扫描线、多条信号线及多个晶体管所形成的绝缘层；和分别与多个晶体管之中某1个晶体管电连接的多个电极(34)。而且，在绝缘层中，以多个电极之中至少2个相邻的电极为1组而按该每1组电极形成1个开口部(35)，多个电极的各自通过开口部与1个晶体管电连接。

公开(公告)号：CN101459221A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810186918.4

申请日：2008-12-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 青木敬

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管，其具有有机半导体层，所述有机半导体层含有具有p型半导体特性的有机半导体材料，该薄膜晶体管能够抑制断态电流的增大，且晶体管特性优异；还提供具有该晶体管的可靠性优异的电光装置以及电子设备。本发明的薄膜晶体管具有源电极5与漏电极6、有机半导体层4、第1绝缘层3、栅电极2、第2绝缘层7，有机半导体层4包含具有p型半导体特性的有机半导体材料，且第2绝缘层7包含上述通式(1)所示的化合物，从而形成从第2绝缘层7向有机半导体层4施加电子的构成，式中，R1及R2各自独立地表示取代或未取代的亚烷基，X1、X2、X3及X4表示氢原子或给电子性基团，n表示100～100000，其中，X1、X2、X3及X4中的至少1个为给电子性基团。

公开(公告)号：CN101359720A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810128074.8

申请日：2008-07-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 青木敬

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明涉及有机晶体管及有源矩阵基板。使寄生电容均匀。有机晶体管(100)具备：具有预定长度(L)的栅电极(50)，源电极(30)及漏电极(60)，设置于源电极与漏电极间的有机半导体部(40)，和有机半导体部内的沟道区域(45)。漏电极在俯视状态下整体重叠于栅电极，相对于漏电极，带状的连接布线部(61)沿一侧(La)延伸地连接，并且宽度不足连接布线部2倍的带状的虚设连接布线部(62)沿栅电极的长度方向的另一侧(Lb)延伸地连接。连接布线部延伸于栅电极的一侧的端缘或端缘的一侧(La)，且虚设连接布线部延伸于栅电极的另一侧的端缘或端缘的另一侧(Lb)。

公开(公告)号：CN1505172A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119520.6

申请日：2003-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  古沢昌宏 ,  青木敬

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78636

Abstract: 一种晶体管及这种晶体管的制造方法，当设计布线结构时，该晶体管允许高自由度并且还可以允许实现产品质量的提高。该晶体管包括源区、漏区、沟道区以及栅绝缘膜和栅电极，每个所述的源区、漏区、沟道区由半导体膜形成。包含源区的半导体膜和包含漏区的半导体膜分离地形成，夹住了绝缘部分的两侧。包含沟道区的半导体膜形成于绝缘部分的顶部。

公开(公告)号：CN1457085A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03110610.2

申请日：2003-04-21

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  日商捷时雅股份有限公司

Inventor： 青木敬 ,  古沢昌宏 ,  松木安生 ,  岩沢晴生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C18/00 ,  C01B33/00 ,  C01B33/107

CPC classification number: C08G77/60 ,  C01B33/04 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。