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公开(公告)号：CN106374040A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610729632.0
申请日：2016-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/16 , H01L45/1666
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，涉及信息存储技术，具体涉及一种多层阻变存储器单元及其制备方法，可增大阻变器件存储窗口。从下至上依次为基片、底电极、阻变层、控制层和顶电极，控制层与阻变层的材料相同，但氧含量不同，控制层厚度为1～10nm；且上一层尺寸不超出下一层。本发明通过增加纳米级控制层，使阻变存储器的存储窗口提高了1-2个数量级，达到多级存储所需的必要条件；并且控制层的加入抑制了氧离子移动过程中在顶电极处的耗散，有效的保护了顶电极，增大了器件的稳定性。另外，该多层阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。
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公开(公告)号：CN104193317B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410432796.8
申请日：2014-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01F1/34 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种抗偏置低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料及其制备技术领域。该铁氧体材料的主相为尖晶石结构，分子结构表达式为Ni0.30-xZn0.47+xCu0.18Co0.05Fe1.95O4，其中x的取值范围为0～0.05。在上述NiCuZn铁氧体材料的基础上，同时采用Bi2O3、SnO2、SiO2和CaCO3作为掺杂剂，其中Bi2O3：0.5～1wt％，SnO2：0.8～1.2wt％，SiO2：0.1～0.2wt％，CaCO3：0.1～0.2wt％。本发明得到的铁氧体兼顾了高起始磁导率和抗直流偏置磁场的要求，可广泛应用于抗大直流偏置磁场或大功率的叠层片式电感器中。
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公开(公告)号：CN105225833A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510701570.8
申请日：2015-10-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下，在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜；然后外加大小大于交换耦合多层膜的交换偏置场Hex1、方向与交换耦合多层膜交换偏置场Hex1方向相反的外磁场H2，同时在交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流，即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。本发明可在薄膜噪声抑制器制备完成后，根据实际需要调整噪声信号抑制频段及展宽噪声抑制器的抑制频段，可大大提高薄膜噪声抑制器的应用灵活性。
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公开(公告)号：CN104617215A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510013300.8
申请日：2015-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种多铁异质结及基于该多铁异质结实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法，属于电子材料技术领域。本发明多铁异质结采用廉价的含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷作为压电基片，在其一面涂覆银胶作为电极，另一面抛光后镀或者粘接具有磁致伸缩特性的磁性薄膜，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后，再经过极化和老化处理后得到的。通过对该多铁异质结施加特定的电压脉冲，在去掉外加电压后，可在磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态，达到了稳定的非易失性磁矩调控效果。该调控方法操作简便，易实现，调控效果良好，在非易失性电场脉冲调制磁性器件领域有广泛的应用空间。
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公开(公告)号：CN104201480A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410338832.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种新型LTCC叠层圆极化微带天线，克服现有微带贴片天线在难以兼顾高增益、宽频带、圆极化以及小型化多方面性能的缺陷。该新型微带天线基于LTCC技术，增加了耦合贴片的数量，优化了现有的一个激励贴片对应一个耦合贴片的传统模式，有效提高微带天线增益，天线单元增益较传统天线单元增益提高了50％以上，中心频率处辐射效率在90％以上，在很宽的频带内具有高增益、高辐射效率，并且天线具有较好的圆极化特性，能够更好地兼顾微带贴片天线高增益、宽频带以及圆极化的性能要求。在要求一定的增益时，利用该天线单元组阵相比传统天线单元有效的减小了天线阵列的面积，实现高增益天线的小型化设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103304186B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310275973.1
申请日：2013-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体基复合磁介天线基板材料及其制备方法，它由85%~90%质量比例的主相材料和15%~10%质量比例的辅助相材料复合而成；所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，其配方分子式为Ba3-xSrxCo2Fe24-yO41，其中x的取值范围为0~1.5，y的取值范围为0~4，所述辅助相材料为聚酰亚胺树脂。本发明提供的磁介复合基板材料，在300MHz~3GHz的频率范围内具有较低的磁导率和较高的介电常数，小型化因子较高，同时其磁损耗和介电损耗都较低；比常规陶瓷基板材料抗机械冲击的性能更好。不仅有助于降低天线重量和体积，而且也有利于提高微带天线的带宽并抑制表面波的产生。
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公开(公告)号：CN102838346B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210378617.8
申请日：2012-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种以尖晶石铁氧体为母体的天线基板材料及其制备方法，为包含两相的复合陶瓷材料，其中主晶相为尖晶石铁氧体，辅助相为硅酸锌，所述主晶相与辅助相的质量百分比在94∶6至96∶4之间。本发明的天线基板材料可以显著的缩小低频段（10～200MHz）微带天线的尺寸和体积，保证天线基板材料的特性阻抗与真空的特性阻抗相等或接近，从而可显著的提升天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN103605088A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310374350.X
申请日：2013-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种90度自偏置自旋阀传感单元，属于磁性材料与元器件技术领域的磁传感技。本发明包括基片，所述基片上自下而上依次设有自由层、隔离层、被钉扎层和钉扎层，其特征在于：所述自由层为自下而上依次设置的第一反磁铁层、第一铁磁层、第二反铁磁层、第一金属层、第二铁磁层、第二金属层和第三铁磁层组成。本发明能够在不设置附加偏置结构、附加工艺处理的情况下实现自由层与钉扎层磁矩在无外磁场时呈90度取向，降低自旋阀传感单元的制造难度；本发明的90度自偏置自旋阀传感单元的磁阻线对外磁场的变化呈线性响应，线性响应的磁阻曲线无磁滞，满足对自旋阀传感单元的要求。
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公开(公告)号：CN103304186A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310275973.1
申请日：2013-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体基复合磁介天线基板材料及其制备方法，它由85%～90%质量比例的主相材料和15%～10%质量比例的辅助相材料复合而成；所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，其配方分子式为Ba3-xSrxCo2Fe24-yO41，其中x的取值范围为0～1.5，y的取值范围为0～4，所述辅助相材料为聚酰亚胺树脂。本发明提供的磁介复合基板材料，在300MHz～3GHz的频率范围内具有较低的磁导率和较高的介电常数，小型化因子较高，同时其磁损耗和介电损耗都较低；比常规陶瓷基板材料抗机械冲击的性能更好。不仅有助于降低天线重量和体积，而且也有利于提高微带天线的带宽并抑制表面波的产生。
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公开(公告)号：CN101319390B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810044640.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二 清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四 在生长过程中，基片以60-100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六 将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。
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