一种氧化亚硅的制备和应用

    公开(公告)号:CN115536027A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211181534.X

    申请日:2022-09-27

    Inventor: 王鹏 周钦 蒋凯

    Abstract: 本发明氧化亚硅材料的制备领域,具体涉及一种氧化亚硅的制备方法,将SiO2、FexSi1‑x、三氧化二硼、氟化钙的混合原料进行热处理,制得氧化亚硅;所述的FexSi1‑x中,x为0.1~0.5;热处理过程包括第一保温段和第二保温段,其中,第一保温段的温度为1400‑1500℃,第二保温段的温度为1250‑1350℃。本发明还包括所述制备方法制得的氧化亚硅及其在锂离子电池中的应用。本发明通过所述的制备工艺和条件的联合,能够实现协同,能显著改善制备效率,其能够实现大规模制备。

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