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公开(公告)号：CN114050708B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210029282.2
申请日：2022-01-12
申请人： 清华大学
IPC分类号： H02M1/06 , H02M1/088 , H02M1/32 , H02M7/5387
摘要： 本发明提供一种用于换相换流器的全控器件的控制方法和装置、电子设备以及计算机可读存储介质。控制方法包括：控制全控器件关断，其包括：当被换流桥臂上的电流正常过零时，全控器件的驱动板控制全控器件关断；当被换流桥臂上的电流不能正常过零时，换相换流器的阀基电子设备发送关断信号至驱动板，驱动板根据关断信号控制全控器件关断。本发明针对全控器件的主动关断特性，提出一种专用的控制策略，使得全控器件的特性能够发挥，从而起到防止换相失败的作用。
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公开(公告)号：CN114509622A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111619427.6
申请日：2021-12-27
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种半导体器件驱动电路的电磁兼容综合测试系统和方法，系统包括电磁骚扰模块、探针模块、示波器模块、上位机模块和测试管理模块，其中，测试管理模块，用于设置保护阈值和测量坐标，还用于对测量结果进行统计和展示；电磁骚扰模块，用于给驱动板施加电磁骚扰；探针模块，用于探针根据设置好的测量坐标进行移动，定位测量点，自动测量半导体器件驱动板上的电量信号；示波器模块，用于接收测量的电量信号，并显示结果；上位机模块，用于对电量信号进行检测和判断。本发明通过可以对功率半导体器件驱动电路上的特定电信号进行采集和测量，可实现外部电磁骚扰对功率半导体器件驱动电路工作状态的影响规律分析。
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公开(公告)号：CN112910229A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110253220.5
申请日：2021-03-08
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种IGCT换流器模块的高位自取能电源设计方法，该方法包括：确定模块内供电形式；确定电源隔离电压；确定电源输出功率；根据确定的所述模块内供电形式、电源隔离电压、电源输出功率，设计控制侧供电电源。通过该方法，一方面，当直流电容施加电压UDC，弱电侧与模块任一部位电压差值均不大于UDC/2，有利于避免局部放电，减小绝缘间隔，促进模块紧凑化；另一方面，减少了供电电源的隔离输出路数，有助于供电电源低成本、高可靠性、小型化的设计。
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公开(公告)号：CN105067889A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510423841.8
申请日：2015-07-17
申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 清华大学 , 广东电网有限责任公司惠州供电局
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明公开了接地网冲击电流导致的二次电缆转移阻抗的测量方法，包括在变电站接地网接入冲击电压发生器、铺设二次电缆、使用标准的冲击电压和电流波形，向接地网的电流入地点注入电流，并从电流流出点抽出电流；使用示波器测量冲击电压发生器的输出电流波形；使用示波器测量铺设的二次电缆在任意一端处的芯线与芯线之间的电位差和该端处芯线与接地网之间的电位差；将测得的两种电位差分别除以2；将获得的两个电位差的峰值分别与测量获得的冲击电压发生器的输出电流峰值相比。本发明通过该测量方法能够获得二次电缆芯线与芯线之间的转移阻抗和芯线与接地网之间的转移阻抗，用于评估接地系统冲击特性，指导接地工程建设。
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公开(公告)号：CN102926406A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210414473.7
申请日：2012-10-25
摘要： 本发明提供了一种限制接地体周围土壤电场强度并阻隔土壤放电通道的方法，属于高电压技术领域，包括在接地网周围地附近需要限制土壤电场强度的位置挖深沟，沟深超过被保护物埋设的深度；在埋设绝缘墙的沟中砌支撑墙；在支撑墙靠近接地体的一侧刷上粘接剂；待粘接剂固化、绝缘层贴牢后，在绝缘墙与土壤之间的空隙中回填细土并夯实；在绝缘墙前后左右地表根部水平2m范围内铺设厚度20cm的碎石层。本发明所要解决的技术问题是提供一种限制接地体周围土壤电场强度并阻隔土壤放电通道的方法，有效限制接地网附近部分区域的土壤电场强度，阻隔雷击在土壤中的放电通道，保护变电站、微波塔及建筑物接地网附近管线、电缆、地下储油罐等设施的安全。
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公开(公告)号：CN113131925B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110389591.6
申请日：2021-04-12
申请人： 清华大学
IPC分类号： H03K19/0185 , H02M1/32
摘要： 本发明提供一种集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法，所述窄脉冲处理方法至少包括下面步骤之一：(1)阀控级保护；(2)就地板级保护。本发明的集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法采用阀控级保护，由于在桥臂控制时考虑了因窄脉冲保护而被屏蔽的模块，桥臂输出电压不会失真，电压谐波少，桥臂环流低，有利于换流器控制；采用就地板级保护，不需对阀控程序进行更改，实施便利；对闭锁、功率升降等特殊过程的保护较好。
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公开(公告)号：CN117192316A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310981386.8
申请日：2023-08-04
申请人： 清华大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本公开实施例涉及电力电子器件测试技术领域，公开了被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统，所述方法包括：设定测试电压信号IDUT*；测量被测器件DUT的电压信号IDUT；对所述测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行处理；对处理后的测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行比较，形成比较结果；根据所述比较结果生成控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断的触发信号；根据所述触发信号控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断，实现维持电流和擎住电流的测试。本公开的示例性实施例，解决了不易对IGCT器件的维持电流、擎住电流进行测量问题，满足了IGCT器件型式试验的需求。
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公开(公告)号：CN117040507A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310877551.5
申请日：2023-07-17
申请人： 清华大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H03K17/0812 , H03K17/732
摘要： 本发明属于电力电子与信号测量技术领域，特别涉及一种提升发射极关断晶闸管浪涌能力的方法。所述方法包括：对电路中的电流信号进行采样；对采样数据进行计算；根据计算结果判断电涌是否超过承受能力；根据判断结果控制电路中各支路的流通情况，提升电路的浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN114062885B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210048574.0
申请日：2022-01-17
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置，包括：外部测试回路、压接组件和红外热像仪；所述外部测试回路与压接组件电性连接；所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方；所述外部测试回路，用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试；所述压接组件，用于为半导体器件提供压力，使半导体器件与外部测试回路电性连接；所述红外热像仪，用于观测半导体器件内部的红外信息。本发明的测试装置为非接触式测量。在阻断耐压、浪涌的工况下，该测试装置可用于半导体器件的筛选以及故障原因分析。对于瞬态的半导体器件开关过程，该测试装置可以反映半导体器件内部电流的瞬态过程，可以用于研究半导体器件的内部物理过程和物理机理。
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公开(公告)号：CN116054605B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310042081.0
申请日：2023-01-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种高压直流换流器及控制方法，其中，所述直流换流器包括并联的三相桥臂，其中，每相桥臂均包括两个子桥臂，每个子桥臂上均设有混合模块阀串，其中，所述混合模块阀串能形成全控阀形态、半控阀形态和混合阀形态。本发明可以灵活切换和适应直流换流器的多种形态。
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