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公开(公告)号：CN112290904A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011178454.X
申请日：2020-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 公开了一种基于嵌入型电极的超高频谐振器，将电极(101，102)的部分或全部沉积在压电层(103)中，使得在压电层(103)中的电场得到增强并分布更加均匀，使得压电层(103)厚度方向与横向方向的电场产生更强的耦合效应，从而使得谐振器的品质因数与机电耦合系数增加。
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