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公开(公告)号:CN1184717C
公开(公告)日:2005-01-12
申请号:CN01116516.2
申请日:2001-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P1/32
CPC classification number: H01P1/36
Abstract: 不可逆电路装置包括相互交叉的第1和第2中心电极,每个中心电极的一端接地,设在第1和第2中心电极附近的铁磁体,供给铁磁体静磁场的磁铁,串联连接在第1中心电极另一端与输入端之间的串联电容器和串联连接在第2中心电极的另一端与输出端之间的串联电容器,和并联连接在第1中心电极另一端与地之间的并联电容器和并联连接在第2中心电极另一端与地之间的并联电容器。
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公开(公告)号:CN1099719C
公开(公告)日:2003-01-22
申请号:CN95102464.7
申请日:1995-03-02
Abstract: 信/噪比增强器(10)含有第一90度桥接岔路(20)。第一90度桥接岔路(20)的第一输出端连接在使用利用表面静磁波型的静磁波元件(62a)的限幅器的输入端上。第一90度桥接岔路(20)的第二输出端通过作为第一衰减器用的电阻器(32),连接在使用与静磁波元件(62a)的结构相同的静磁波元件(62b)的滤波器的输入端上。限幅器的输出端通过作为第二衰减器用的电阻器(52),连接在第二90度桥接岔路(40)的第一输入端上。滤波器的输出端连接在第二90度桥接岔路(40)的第二输入端上。
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公开(公告)号:CN1094662C
公开(公告)日:2002-11-20
申请号:CN95119633.2
申请日:1995-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P1/215
CPC classification number: H03H2/001
Abstract: 一种小型静磁波装置如S/N增强器和滤波器是以低成本制造的。该静磁波装置包括:铁氧体磁性基体;变换器,其一部分安排在所述铁氧体磁性基体的一个表面上,另一部分安排在所述铁氧体磁性基体的另一表面上;输入引线,其一端与所述变换器的一端相连,其另一端接地;以及输出引线,其一端与所述变换器的另一端相连,其另一端接地。所述铁氧体磁性基体做成盘形。
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公开(公告)号:CN1088901C
公开(公告)日:2002-08-07
申请号:CN96105970.2
申请日:1996-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种合成整体的天线带状线电缆,包括一个传输线部件,该传输线部件具有平行配置的上和下导体、一个配置在这两个导体之间的第一绝缘体和一个配置在该第一绝缘体内的第一中心导体,一个天线部件,该天线部件具有从第一绝缘体延伸的第二绝缘体和从第一中心导体延伸并配置在第二绝缘体一个表面上的第二中心导体。
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公开(公告)号:CN1322032A
公开(公告)日:2001-11-14
申请号:CN01116516.2
申请日:2001-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P1/36
CPC classification number: H01P1/36
Abstract: 不可逆电路装置包括相互交叉的第1和第2中心电极,每个中心电极的一端接地,设在第1和第2中心电极附近的铁磁体,供给铁磁体静磁场的磁铁,串联连接在第1中心电极另一端与输入端之间的串联电容器和串联连接在第2中心电极的另一端与输出端之间的串联电容器,和并联连接在第1中心电极另一端与地之间的并联电容器和并联连接在第2中心电极另一端与地之间的并联电容器。
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公开(公告)号:CN1139322A
公开(公告)日:1997-01-01
申请号:CN96104370.9
申请日:1996-01-24
CPC classification number: H03H2/001
Abstract: 一种易于获得增强特性的信噪比增强器10包括依次包括一条状GGG基片32的静磁波元件30。作为铁磁性基片的YIG薄膜34形成在GGG基片32的一主表面上。静磁波元件30配置在四个变换器16a至16d上。然后,第一静磁波滤波器由两个变换器16a和16b、静磁波元件30的一个端区30a和类似部分组成,第二静磁波滤波器由两个变换器16c和16d、静磁波元件30的另一个端区30b和类似部分组成。
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公开(公告)号:CN1136209A
公开(公告)日:1996-11-20
申请号:CN96105970.2
申请日:1996-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种合成整体的天线带状线电缆,包括一个传输线部件,该传输线部件具有平行配置的上和下导体、一个配置在这两个导体之间的第一绝缘体和一个配置在该第一绝缘体内的第一中心导体,一个天线部件,该天线部件具有从第一绝缘体延伸的第二绝缘体和从第一中心导体延伸并配置在第二绝缘体一个表面上的第二中心导体。
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