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公开(公告)号：CN1146985C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN98102973.6
申请日：1998-06-06
CPC classification number: H01L24/50 , H01L23/3107 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/73215 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力，在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中，作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层，设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上，由于采用粘接薄片可简化制造工序，所以能够大量生产并提高封装可靠性。
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公开(公告)号：CN104039547A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280064588.6
申请日：2012-11-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L31/0481 , B32B17/10788 , B32B27/365 , C03C3/122 , H01L31/048 , H01L51/524 , Y02E10/50 , Y10T428/31507 , Y10T428/31623
Abstract: 本发明提供一种层叠体，其由包含树脂或橡胶的基材和氧化物玻璃构成，并且提高了层叠体的阻气性。层叠体(8)，其具备：包含树脂或橡胶的基材(9)和形成于所述基材的至少一个表面上的氧化物玻璃(10)，其中，所述氧化物玻璃在所述基材的软化温度以下软化流动，与所述基材粘接。
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公开(公告)号：CN103987791A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280061149.X
申请日：2012-11-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C08L101/00 , C03C14/00 , C08J5/08 , C08K3/40 , C09D201/00
CPC classification number: C08K3/40 , C03C3/122 , C03C3/21 , C03C13/00 , C03C14/00 , C08J5/10 , C09D125/06 , F03D1/0675 , Y02E10/721
Abstract: 本发明通过简单的工艺提高了复合材料的机械强度。在具备树脂或橡胶、以及氧化物玻璃的复合材料中，所述树脂或橡胶分散于所述氧化物玻璃中，或所述氧化物玻璃分散于所述树脂或橡胶中，通过加热，所述氧化物玻璃在所述树脂或橡胶的热分解温度以下软化流动。
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公开(公告)号：CN100536073C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710002264.0
申请日：2007-01-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/68 , H01L21/768 , H01L21/00 , G03F7/00 , G03F9/00
CPC classification number: G03F9/7049 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F9/703 , G03F9/7084 , G03F9/7088
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，使用了纳米压印，该纳米压印是通过将形成了凹凸形状图形的模具推压到涂覆了树脂膜的基板而形成图形；其特征在于包含：按一定周期的间隔用以激光器为光源的光束时形成于该模具上的、作为线和间隙图形的对准标记进行照明，使用从该对准标记产生的反射衍射光中的0次衍射光来测量上述模具与涂覆了上述树脂膜的基板的距离的工序；在上述模具与涂覆了上述树脂膜的基板将要接触之前停止的工序；通过检测对准标记的位置从而进行上述模具与涂覆了上述树脂膜的基板的相对对位的工序，其中该对准标记形成在涂覆了上述树脂膜的基板的背面；以及在保持上述相对位置的状态下将上述模具推压到涂覆了上述树脂膜的基板的工序。
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公开(公告)号：CN100487888C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN99127384.2
申请日：1999-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05026 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/1147 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2924/00012
Abstract: 提供半导体器件、半导体晶片以及半导体组件：其中半导体器件翘曲很小；在下落试验中几乎不产生芯片边缘的损伤和龟裂；半导体器件在安装可靠性和大规模生产性很优异。半导体器件(17)包括：半导体芯片(64)；提供在半导体芯片形成有电路和电极的平面上的多孔应力释放层(3)；提供在应力释放层上并连接到电极的电路层(2)；以及提供在所述电路层上的外部端子(10)；其中有机保护膜(7)形成在半导体芯片与应力释放层相反的平面上，应力释放层、半导体芯片(6)以及有机保护膜(7)的各侧面在相同的平面上露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101051183A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710002263.6
申请日：2007-01-17
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/76838 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F9/7076 , G11B5/855 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在纳米压印法中，存在像盘基片那样在中心部形成了开口部的基片与模具之间的高精度的位置对准很困难的问题。由于机械接触而引起的位置对准标记损伤所导致的位置对准不良也成为问题。在利用微细的凹凸形状形成了图案的模具上，在2个以上的位置处将用于确定基片和模具之间的相对位置关系的对准标记设置为同心圆形状。另外，还可以通过根据各个标记的位置信息和形状来确定已经破损的标记，之后，除去破损的标记而进行模具和涂布了树脂膜的基片之间的位置对准来解决问题。
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公开(公告)号：CN100334193C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410094731.3
申请日：2004-11-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C12M3/00
Abstract: 本发明的目的在于提供通过简便而且简单的构造可以防止剥离时对细胞的损伤、促进营养物的运输、旧废物排出的细胞培养容器。为了解决上述课题，本发明的特征是：于细胞培养容器的底面形成相当直径在10nm以上10μm以下，高在10nm以上1mm以下的突起群的细胞培养容器。通过该特征可以提供使培养液进入到细胞的下部，在促进细胞必需的营养物的供给和细胞放出的旧废物的排出的同时，通过使细胞和容器进行点接触可以防止在细胞剥离时发生的细胞损伤的细胞培养容器。
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公开(公告)号：CN101009218A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710002264.0
申请日：2007-01-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/68 , H01L21/768 , H01L21/00 , G03F7/00 , G03F9/00
CPC classification number: G03F9/7049 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F9/703 , G03F9/7084 , G03F9/7088
Abstract: 在使用纳米压印技术的图形形成中，不能避免模具与转印图形的基板的接触。在接触、推压的工序中，随着树脂膜不稳定地变形，产生位置偏移。另外，在接触、推压工序中，当不能确保与被转印基板间的平行度的场合，在转印后的树脂产生厚度不均，结果产生图形腐蚀不良。本发明的图形形成方法使用了纳米压印，该纳米压印是通过将形成了凹凸形状图形的模具推压到涂覆了树脂膜的基板而形成图形；其特征在于：包含通过检测对准标记的位置从而进行该模具与涂覆了该树脂膜的基板的相对对位的工序，该对准标记形成在涂覆了该树脂膜的基板的背面。
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公开(公告)号：CN1326274C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410077151.3
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01M8/1004 , H01M8/1065 , H01M8/1067 , H01M8/1093 , Y02P70/56
Abstract: 提供一种燃料电池用电解质膜及其制造方法和使用它的燃料电池。该高分子电解质膜能够提高燃料电池的效率，表面的凹凸大、非常立体且表面积大。该燃料电池用电解质膜的特征在于，在高分子电解质膜的单面或双面上具有由塑性加工形成的微小凸起群。而其制造方的特征在于，把具有预定的平面图形的凹部的成形模按压在高分子电解质膜的单面或双面上，随后，拉伸在上述凹部内形成的上述高分子电解质膜的凸部。同时，从上述高分子电解质膜上剥离上述成形模，形成微小凸起群。
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公开(公告)号：CN1599111A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410077151.3
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01M8/1004 , H01M8/1065 , H01M8/1067 , H01M8/1093 , Y02P70/56
Abstract: 提供一种燃料电池用电解质膜及其制造方法和使用它的燃料电池。该高分子电解质膜能够提高燃料电池的效率，表面的凹凸大、非常立体且表面积大。该燃料电池用电解质膜的特征在于，在高分子电解质膜的单面或双面上具有由塑性加工形成的微小凸起群。而其制造方的特征在于，把具有预定的平面图形的凹部的成形模按压在高分子电解质膜的单面或双面上，随后，拉伸在上述凹部内形成的上述高分子电解质膜的凸部。同时，从上述高分子电解质膜上剥离上述成形模，形成微小凸起群。
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