公开(公告)号：CN103811492B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310397355.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 原田峻丞 ,  中野敬志 ,  奥野卓也

IPC: H01L27/085

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底（5），包括在所述半导体衬底（5）上的第一半导体层（2）；在半导体衬底（5）中的多个半导体元件（50）；及无效区（30）。每一个半导体元件（50）都包括：在所述第一半导体层（2）的表面部分中的第二半导体层（21）；第三半导体层（17），设置在所述第一半导体层（2）的另一个表面部分中，并与所述第二半导体层（21）间隔开；及控制层（34），设置在所述第一半导体层（2）在所述第二半导体层（21）与所述第三半导体层（17）之间的部分上。所述无效区（30）设置在至少两个相邻的半导体元件（50）之间的半导体衬底（5）中；并且不提供所述半导体元件（50）的功能。

公开(公告)号：CN103811492A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310397355.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 原田峻丞 ,  中野敬志 ,  奥野卓也

IPC: H01L27/085

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底（5），包括在所述半导体衬底（5）上的第一半导体层（2）；在半导体衬底（5）中的多个半导体元件（50）；及无效区（30）。每一个半导体元件（50）都包括：在所述第一半导体层（2）的表面部分中的第二半导体层（21）；第三半导体层（17），设置在所述第一半导体层（2）的另一个表面部分中，并与所述第二半导体层（21）间隔开；及控制层（34），设置在所述第一半导体层（2）在所述第二半导体层（21）与所述第三半导体层（17）之间的部分上。所述无效区（30）设置在至少两个相邻的半导体元件（50）之间的半导体衬底（5）中；并且不提供所述半导体元件（50）的功能。