-
公开(公告)号：CN109427349A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810010238.0
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够抑制再现信号质量的劣化并实现高记录密度化的磁头以及具备该磁头的盘装置。实施方式的磁头具有主磁极60、夹着写间隙WG与主磁极对向的写屏蔽件62、在主磁极的磁道宽度方向的两侧隔着间隙配置的侧屏蔽件63、在写间隙内设置在主磁极与写屏蔽件之间的磁性或非磁性的第1层80、以及设置在主磁极与侧屏蔽件之间的磁性或非磁性的第2层82。第1层80具有比第2层82的相对导磁率小的相对导磁率。
-
公开(公告)号：CN112447195A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010045054.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 友田悠介
Abstract: 实施方式提供能够提高记录密度的磁盘装置及写入处理方法。实施方式的磁盘装置具备：盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读出数据；及控制器，执行在所述盘的半径方向上划分出的第1区域中以第1线记录密度在所述半径方向上隔开间隔而对多个磁道进行写入的通常记录处理和在所述第1区域中以第1线记录密度以下的第2线记录密度在所述半径方向上对多个磁道进行覆写的瓦记录处理中的至少一方。
-
公开(公告)号：CN109427349B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810010238.0
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够抑制再现信号质量的劣化并实现高记录密度化的磁头以及具备该磁头的盘装置。实施方式的磁头具有主磁极60、夹着写间隙WG与主磁极对向的写屏蔽件62、在主磁极的磁道宽度方向的两侧隔着间隙配置的侧屏蔽件63、在写间隙内设置在主磁极与写屏蔽件之间的磁性或非磁性的第1层80、以及设置在主磁极与侧屏蔽件之间的磁性或非磁性的第2层82。第1层80具有比第2层82的相对导磁率小的相对导磁率。
-
公开(公告)号：CN110648694A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201811442608.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 友田悠介
Abstract: 本发明的实施方式提供一种为了向磁记录介质进行充分的记录而确保磁场，并且对相邻磁道的影响得到了抑制的磁记录头和具备该磁记录头的磁记录再现装置。实施方式涉及的磁记录头包括：主磁极，其向磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与主磁极隔开记录间隙地相对；第1磁旁通层，其沿磁道方向设置于记录间隙内；以及第2磁旁通层，其沿磁道方向设置于记录间隙内，并且相对于第1磁旁通层在磁道宽度方向上隔开间隔地配置。
-
公开(公告)号：CN109949833A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201810619813.7
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明涉及可以高记录密度化的磁记录装置。磁记录装置具备：具有矫顽力比5.2kOe大的磁记录层的磁盘和对磁记录层写入磁数据的记录头(58)。记录头具备磁道宽度方向的宽度为40～55nm的主磁极(60)、隔着16～18.5nm的写间隙(WG)与主磁极相对的写屏蔽件(62)和在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间的磁通控制层(80)。磁通控制层具有：以金属层形成的第1控制层(80a)；以磁性金属或者软磁性金属合金的任一方形成并层叠于第1控制层上的第2控制层(80b)；和通过选自Ta、Ru、Pt、W、Mo的组的至少1种或者包含至少1种的合金形成并层叠于第2控制层上的第3控制层(80c)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111627465A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201911412992.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 友田悠介
Abstract: 实施方式涉及磁盘装置以及写处理方法。实施方式的磁盘装置具备盘、头以及控制器。头具有主磁极、写屏蔽件以及辅助元件，所述主磁极具有盘的半径方向上的第1端部和与第1端部相反侧的第2端部，所述写屏蔽件与主磁极空开间隔地相对，所述辅助元件在主磁极与写屏蔽件之间的间隔中设置在距第1端部的第1距离与距第2端部的第2距离不同的位置。控制器向辅助元件施加与写方向相应的电压，所述写方向是对第1磁道重叠写入第2磁道的方向。
-
公开(公告)号：CN109389995B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810015117.5
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式能够在向磁盘的记录时抑制在主磁极与返回磁极之间的间隙部产生的局部的突出。根据实施方式，磁盘装置具备具有垂直磁记录用的磁盘、产生垂直记录磁场的记录头及控制记录头的记录/非记录工作的控制器。记录头具备：产生垂直记录磁场的主磁极；与主磁极一起形成磁回路的返回磁极；对主磁极和返回磁极形成的磁回路激励磁通量的记录线圈；以及通电体，其两端面接合于主磁极的前端部与返回磁极的前端部相对向的写间隙的对向面，通电体的电阻值在记录时、非记录会变化。控制器具备：对夹着通电体而形成于主磁极及返回磁极的磁回路以恒定电压流动电流的恒定电压源；和在记录工作时对记录线圈供给用于激励磁通量的电流的电流供给源。
-
公开(公告)号：CN109949833B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810619813.7
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明涉及可以高记录密度化的磁记录装置。磁记录装置具备：具有矫顽力比5.2kOe大的磁记录层的磁盘和对磁记录层写入磁数据的记录头(58)。记录头具备磁道宽度方向的宽度为40～55nm的主磁极(60)、隔着16～18.5nm的写间隙(WG)与主磁极相对的写屏蔽件(62)和在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间的磁通控制层(80)。磁通控制层具有：以金属层形成的第1控制层(80a)；以磁性金属或者软磁性金属合金的任一方形成并层叠于第1控制层上的第2控制层(80b)；和通过选自Ta、Ru、Pt、W、Mo的组的至少1种或者包含至少1种的合金形成并层叠于第2控制层上的第3控制层(80c)。
-
公开(公告)号：CN109389995A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810015117.5
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式能够在向磁盘的记录时抑制在主磁极与返回磁极之间的间隙部产生的局部的突出。根据实施方式，磁盘装置具备具有垂直磁记录用的磁盘、产生垂直记录磁场的记录头及控制记录头的记录/非记录工作的控制器。记录头具备：产生垂直记录磁场的主磁极；与主磁极一起形成磁回路的返回磁极；对主磁极和返回磁极形成的磁回路激励磁通量的记录线圈；以及通电体，其两端面接合于主磁极的前端部与返回磁极的前端部相对向的写间隙的对向面，通电体的电阻值在记录时、非记录会变化。控制器具备：对夹着通电体而形成于主磁极及返回磁极的磁回路以恒定电压流动电流的恒定电压源；和在记录工作时对记录线圈供给用于激励磁通量的电流的电流供给源。
-
公开(公告)号：CN115731950A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210002126.7
申请日：2022-01-04
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供一种磁盘装置，即便在瓦记录方式下发生了模式跳变的情况下，也能够维持信号品质。磁盘装置具备：磁盘；磁头，具有写头、使用近场光元件对写头的数据的写进行辅助的热辅助部、及读头；监视部，对光输出进行监视；及控制部，对数据的读及基于瓦记录方式的数据的写进行控制。控制部，在对第1磁道进行数据的写的情况下，在写时由监视部监视的光输出与前1次由监视部监视的光输出的绝对差超过了预定值时，对写头的位置进行控制，向比第1磁道靠前1个的第2磁道再次写数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.031 seconds)
