公开(公告)号：CN103109373B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180041844.5

申请日：2011-04-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。

公开(公告)号：CN102959714A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201280001671.9

申请日：2012-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一 ,  河内玄士朗 ,  川岛孝启

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种用于显示装置的薄膜晶体管，其具备在绝缘性的支撑基板上形成的栅极电极、以覆盖栅极电极的方式形成在支撑基板上的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的由第一半导体层及第二半导体层构成的半导体层、在半导体层上形成的欧姆接触层、以及在欧姆接触层上以相互离开的方式形成的源极电极及漏极电极，并且在半导体层的沟道形成区域上设置由SOG(Spin on Glass)构成的蚀刻阻挡体。