公开(公告)号：CN101165932A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710180888.1

申请日：2007-10-19

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 今野泰一郎 ,  新井优洋 ,  饭塚和幸

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种不减薄光取出层的层厚就能实现粗糙化的半导体发光元件。所述半导体发光元件具有包括活性层(6)和光取出层(4)的多个半导体层，且具有反射金属膜层(11)，所述光取出层(4)由组成比不同的多个层(23、24)构成，仅在这些多个层的最外侧层(23)上形成用于使主面S粗糙的凹凸(22)。

公开(公告)号：CN101165931A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710180887.7

申请日：2007-10-19

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 今野泰一郎 ,  饭塚和幸 ,  新井优洋

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供光取出层的层厚没有变薄而被粗糙面化的半导体发光元件。对于这种半导体发光元件，具有包括活性层6和光取出层4的多个半导体层，具有反射金属膜层11，上述光取出层4包括组成比例不同的多个层23、24，这些多个层23、24均形成有用于使主表面S粗糙面化的凹凸22。