一种提高生物质疏水性能的方法及其应用

    公开(公告)号:CN119176952A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411372803.X

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种提高生物质疏水性能的方法及其应用,涉及农田废弃生物质高质转化和材料合成技术领域,该方法具体包括以下步骤:将生物质粉碎,预处理,然后加入硅烷偶联剂反应,清洗干燥后,得到疏水改性的生物质。本发明提供的方法简单、反应温和、安全无污染。并且,通过本发明提供的方法得到的改性后的生物质疏水效果显著,疏水性能稳定,有着很广泛的应用前景,有效解决了生物质疏水性差的问题。更为重要的是,本发明提供的方法极大的降低了硅烷偶联剂的用量,降低了生物质化学改性的成本,提高了生物质和有机高分子的界面亲和力,使制备高性能的生物质/有机高分子复合材料成为可能。

    一种六亚甲基四胺-MOF铁电材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118290760A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410453880.1

    申请日:2024-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种六亚甲基四胺‑MOF铁电材料及其制备方法与应用,属于金属有机框架铁电材料技术领域。制备方法包括以下步骤:向锌盐与钾盐混合水溶液中加入酸溶液,静置;然后加入六亚甲基四胺有机溶液,搅拌反应,封口结晶,制得。本发明提供了一种室温条件下合成新型六亚甲基四胺‑MOF铁电材料的方法,反应条件温和,成本低,适合工业化生产;制得的六亚甲基四胺‑MOF铁电材料具备良好的热稳定性、独特的介电异常特性、优异的铁电材料性能和良好的电化学性能,是一种新颖的介电异常性有机框架铁电材料。

    一种含腺嘌呤超分子光电功能材料、制备方法及系统

    公开(公告)号:CN117624197A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311603467.0

    申请日:2023-11-28

    Abstract: 本发明属于功能材料制备技术领域,公开了一种含腺嘌呤超分子光电功能材料、制备方法及应用,将含有盐酸溶液的CdCl2水溶液缓慢滴加至腺嘌呤水溶液中混合搅拌半小时,放置在室温环境下,采用室温挥发法七天后得到白色针状晶体;将盐酸替换为氢溴酸得到透明片状晶体;采用光源为石墨单色化的Mo Kα辐射源,采用石墨单色化的Cu Kα辐射源置于单晶X射线衍射仪上,分别在低温和室温下收集衍射数据;通过SHELXL‑97程序,非氢原子均使用各向异性修正。化合物1和化合物2均在210~275K存在介电异常归,化合物1压片处理后得到的低温升温介电测试曲线和化合物2在b轴测试所得的低温升温测试曲线变化趋势相似。

    一种多酸基组氨酸型杂化功能材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116253765A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310218056.3

    申请日:2023-03-08

    Abstract: 本发明属于杂化材料技术领域,公开了一种多酸基组氨酸型杂化功能材料、制备方法及应用,以(NH4)3[CrMo6O24H6]·7H2O为无机主体模块,以L‑组氨酸为有机配体,在水溶液中分别加入CoCl2·6H2O、CuCl2·2H2O和NiCl2,分别合成[(L‑His)2(CrMo6O24H6)]、[Cr(L‑His)2(CrMo6O24H6)]和[(L‑His)2(NiMo6O24H6)],并通过红外测试、X‑单晶衍射、热重分析、介电测试和荧光测试方法对新型Anderson型有机‑无机化合物的结构和性质进行分析。本发明的化合物为三斜晶系,空间群为P‑1,在250K附近有明显的介电异常现象。

    一种咪唑类钼氧同多酸杂化功能材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116199724A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310218060.X

    申请日:2023-03-08

    Abstract: 本发明属于杂化材料技术领域,公开了一种咪唑类钼氧同多酸杂化功能材料、制备方法及应用,通过以(NH4)3[AlMo6O24H6]·7H2O和咪唑为主体,通过引入不同的CaCl2·2H2O和ZnCl2为桥梁合成两种咪唑‑钼氧同多酸型金属有机配合物[(C3N2H5)2(β‑Mo8O26H4)0.5]和{Zn(C3N2H4)4}{(C3N2H4)(β‑Mo8O26H4)0.5}·2H2O,并通过红外测试、X‑单晶衍射、热重分析、介电测试和荧光测试方法系统的对化合物的结构和性质进行分析。本发明的化合物均为三斜晶系,空间群均为P‑1;两个化合物均具有良好的热稳定性,在250K附近有明显的介电异常现象。

    一种锰基吡啶类荧光晶体材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116083075A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202111218062.6

    申请日:2021-11-08

    Abstract: 本发明属于荧光晶体材料技术领域,公开了一种锰基吡啶类荧光晶体材料、制备方法及应用,在室温条件下选用MnCl2·4H2O、2‑二甲氨基吡啶、4‑二甲氨基吡啶为原料,水、甲醇和乙腈等为溶剂;采用溶剂蒸发法合成4例锰基吡啶类有机无机杂化化合物;通过红外测试、X‑单晶衍射、热重分析、介电测试和荧光测试等方法系统的对化合物1‑4性质进行检测。化合物1‑3均属单斜晶系,空间群均为C2/c,化合物2‑4均属三斜晶系,空间群均为P‑1。化合物1‑4均在376K左右开始分解,证明具有较好的热稳定性。升温介电测试中化合物1‑4分别在220K、220K、220K、237K开始产生介电异常。

    一种硫氰基钴氢键型铁电材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113072558A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110354572.X

    申请日:2021-04-01

    Abstract: 本发明公开了一种硫氰基钴氢键型铁电材料及其制备方法与应用。本发明通过将dabco加入到甲醇中充分溶解,再滴加质量浓度为36%~37%的盐酸并充分搅拌得到溶剂1;将氯化钴加入到水中充分溶解得到溶剂2;将硫氰化钾加入到水中充分溶解得到溶剂3;将溶剂2与溶剂3混匀后加入溶剂1中,充分混匀后得到混合溶剂,该混合溶剂中氯化钴、硫氰化钾、dabco的摩尔比为1~2:5~6:1~2;将所述混合溶剂在洁净环境下放置6~8天,所析出的深蓝色块状晶体为硫氰基钴氢键型铁电材料。本发明材料结构易于调控、具有优异的电学性能,能广泛应用于铁电存储器、红外探测器等领域;此外,本发明制备方法具有耗能少、成本低、易生产的优势,且对环境友好。

    一种钴氰酸晶体及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN108558956A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810524509.4

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种钴氰酸晶体及其制备方法与应用。本发明通过将钴氰化钾加水溶解后与浓硫酸混合,在磁力搅拌、320~325k水浴温度下反应14~16min;将反应液冷却至室温,加入无水乙醇,磁力搅拌至沉淀完全析出,对析出液进行抽滤操作,得到透明无杂质的滤液;将滤液在298~302K温度下旋蒸1.8~2.2h,将旋蒸液在磁力搅拌、320~325K水浴温度下蒸发0.8~1.2h,将蒸发液静置、结晶后,得到钴氰酸晶体。该钴氰酸晶体的空间群为Pbcn,钴氰酸阴离子与乙醇阳离子和乙醇分子中的O原子形成N-H…O氢键,且通过氢键形成二维层状结构,可在做为介电异常型晶体材料方面的应用。本发明钴氰酸的合成成本较低,易于合成。

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