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公开(公告)号:CN112638571B
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN201980057146.0
申请日:2019-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社
IPC: B23K26/323 , B23K26/21 , B23K26/322 , B23K26/324 , C22C21/00 , C23C28/02 , C22C9/00
Abstract: 一种金属部件的焊接结构,具有Cu部件、Al部件以及焊接部,在焊接部中,Cu部件的构成材料和Al部件的构成材料熔融并固化,其中Cu部件具有包含Cu作为主要成分的Cu基材,Al部件具有包含Al作为主要成分的Al基材以及覆盖Al基材的与Cu部件相对的表面侧的镀层,焊接部具有位于Cu部件的表面附近的海‑岛结构,海‑岛结构具有多个各自包含纯Al的岛部,以及位于岛部之间的海部,并且海部具有由Cu‑Al金属间化合物制成的相和由纯Al制成的相的共晶组织。
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公开(公告)号:CN112585698A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201980054845.X
申请日:2019-06-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电装株式会社 , 株式会社自动网络技术研究所
Abstract: 该包覆电线包括导体和设置在导体的外侧的绝缘覆层,其中导体为多根由铜合金制成的铜合金线扭绞而获得的绞合线,铜合金线的线径为0.5mm以下,该铜合金包含总计0.1质量%至1.6质量%的Ni或者Ni和Fe、以及0.05质量%至0.7质量%的P,余量为Cu和杂质,并且在铜合金中析出的P与固溶形式的P的比率为1.1以上。
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公开(公告)号:CN112585698B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN201980054845.X
申请日:2019-06-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电装株式会社 , 株式会社自动网络技术研究所
Abstract: 该包覆电线包括导体和设置在导体的外侧的绝缘覆层,其中导体为多根由铜合金制成的铜合金线扭绞而获得的绞合线,铜合金线的线径为0.5mm以下,该铜合金包含总计0.1质量%至1.6质量%的Ni或者Ni和Fe、以及0.05质量%至0.7质量%的P,余量为Cu和杂质,并且在铜合金中析出的P与固溶形式的P的比率为1.1以上。
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公开(公告)号:CN112638571A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201980057146.0
申请日:2019-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社
IPC: B23K26/323 , B23K26/21 , B23K26/322 , B23K26/324 , C22C21/00 , C23C28/02 , C22C9/00
Abstract: 一种金属部件的焊接结构,具有Cu部件、Al部件以及焊接部,在焊接部中,Cu部件的构成材料和Al部件的构成材料熔融并固化,其中Cu部件具有包含Cu作为主要成分的Cu基材,Al部件具有包含Al作为主要成分的Al基材以及覆盖Al基材的与Cu部件相对的表面侧的镀层,焊接部具有位于Cu部件的表面附近的海‑岛结构,海‑岛结构具有多个各自包含纯Al的岛部,以及位于岛部之间的海部,并且海部具有由Cu‑Al金属间化合物制成的相和由纯Al制成的相的共晶组织。
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公开(公告)号:CN116745976A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202180091549.4
申请日:2021-02-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M50/172
Abstract: 一种引线构件,具有:引线导体,具备第一主面和与所述第一主面相对的第二主面;以及树脂部,使所述引线导体的第一方向上的两端部露出,并且在所述引线导体的所述两端部之间覆盖所述第一主面、所述第二主面以及两侧面,所述引线导体具有:金属基材;以及表面处理层,形成于所述金属基材的表面的至少一部分,包含铬、氧以及氟,通过气化温度为220℃的卡尔费休电量滴定测定的、所述表面处理层的从所述树脂部露出的部分的水分含量为5.0μg/cm2以下。
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公开(公告)号:CN104247113A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201380014101.8
申请日:2013-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M4/80 , H01M4/38 , H01M4/46 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0562
CPC classification number: H01M4/80 , H01M4/38 , H01M4/382 , H01M4/485 , H01M4/502 , H01M4/505 , H01M4/523 , H01M4/525 , H01M4/583 , H01M4/661 , H01M4/74 , H01M4/745 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种锂二次电池,其使用了三维网状多孔体作为集电体,并且其中即使在重复充放电之后内电阻也不会增加。该锂二次电池的正极和负极使用三维网状多孔体作为集电体,并且通过至少将活性材料填充至该三维网状多孔体的孔中而构成,该锂二次电池的特征在于:所述正极的三维网状多孔体为硬度为1.2GPa以下的三维网状铝多孔体,并且所述负极的三维网状多孔体为硬度为2.6GPa以下的三维网状铜多孔体。
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公开(公告)号:CN104205445A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201380014622.3
申请日:2013-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M4/74 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/70 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M4/808 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供了一种集电体,其内阻和制造成本可降低;电极;以及非水电解质二次电池。本发明涉及一种用作集电体的三维网状金属多孔体,其由片状三维网状金属多孔体制成;使用该多孔体的电极;以及包括该电极的非水电解质二次电池。该片状三维网状金属多孔体的孔隙率为90%至98%,该片状三维网状金属多孔体的30%累积孔径(D30)为20μm-100μm,其中该30%累积孔径是通过利用泡孔法进行孔径测量而计算的。
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公开(公告)号:CN103098288A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201180041125.3
申请日:2011-08-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/058
CPC classification number: H01M10/0561 , H01M4/131 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2300/0068 , H01M2300/0094 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种非水电解质电池及制造该电池的方法,在该非水电解质电池中,能够可靠地抑制正极层和负极层之间的短路。具体而言,本发明提供一种非水电解质电池(100),包括:含有含Li氧化物的正极活性材料层(12);其上能发生Li金属析出的负极活性材料层(22);以及设置在这些活性材料层(12)和(22)之间的硫化物固体电解质层(SE层)(3)。非水电解质电池(100)的SE层(3)包括:粉末形成层(31);以及通过气相法形成于粉末形成层(31)的表面上的致密膜层(32)。在非水电解质电池(100)中,粉末形成层(31)通过加压成形法而形成于具有正极活性材料层(12)的正极体上,然后利用该具有粉末形成层(31)的正极体作为基底,通过气相法来形成致密膜层(32)。
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公开(公告)号:CN117981018A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202180102699.0
申请日:2021-10-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01B5/02 , C23C22/05 , H01M50/172 , H01M50/183
Abstract: 一种引线,包括:引线导体;以及被膜,被覆所述引线导体的表面的至少一部分,所述被膜包含三价铬化合物和第一金属,所述被膜的表面处的所述第一金属的浓度与三价铬化合物的浓度之比为0.01以上且4.0以下。
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公开(公告)号:CN113166959B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202080006605.5
申请日:2020-02-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C25B13/07 , H01M8/12 , H01M8/1253 , H01M8/126
Abstract: 提供在抑制传导率的降低的同时实现迁移率的提高的质子导体。该质子导体包含具有钙钛矿型结构且由式(1):AaB1‑x‑yB'xMyO3‑δ(1)表示的金属氧化物,元素A为选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少一个元素,元素B为选自由Zr和Ce组成的组中的至少一个元素,元素B'为Hf,元素M为选自由Y、Yb、Er、Ho、Tm、Gd、In和Sc组成的组中的至少一个元素,δ为氧缺损量,a、x和y满足0.9≤a≤1.0、0.1≤y≤0.2和0<x/(1‑y)≤0.2。
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