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公开(公告)号：CN102637565A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210090785.7
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法，阴极包括阴极发射体(1)和阴极钼筒(2)，阴极发射体为由钨基底和阴极盐组成，阴极钼筒作为阴极发射体的支撑，阴极发射体可完全位于阴极钼筒内圆周上，也可局部突出于阴极钼筒；阴极钼筒(2)的阴极发射面呈平面或者是球状面，且阴极发射面上设有一层锇铱铝膜，锇铱铝膜的厚度为0.3微米-0.6微米，阴极发射体1)上设有通孔。具有上述特殊结构的该种用于杆控微波管的阴极发射电流密度大，并且是端面发射，阴极体中心开了通孔，满足了采用杆控技术微波管对阴极的特殊需求。
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公开(公告)号：CN102500954A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110375015.2
申请日：2011-11-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开一种用于浸渍钡钨阴极的合金焊料及焊接方法，其中合金焊料包括平均粒径在1至10微米之间、纯度在99.0%至99.99%之间的经过氢气净化后的经过充分混合的钴粉和钨粉，焊接方法主要包括：合金焊料的制备和焊接钨饼和阴极筒两个步骤；本发明的有益之处在于：该合金焊料的熔点温度适中流淌性好，蒸散小，介于工作温度和阴极活性物质熔点温度之间，在焊接的过程中不会引起阴极活性物质的析出，采用该合金焊料和焊接方法能将浸渍阴极活性物质后的钨饼与钼筒在整个接触面上都形成有效的焊接，重复性、稳定性、可靠性很高。
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公开(公告)号：CN100524576C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710132083.X
申请日：2007-09-08
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了用于浸渍钡钨极的组合物及制备方法，包括碳酸钡、碳酸钙、氢氧化铝、氧化钪，碳酸钡、碳酸钙、氢氧化铝、氧化钪的重量比为80～100∶10～20∶20～40∶2～5。本发明与现有技术相比，具有工艺简单，不会产生氨气等有毒有害物质，不污染环境，浸渍钡钨极的使用寿命长的特点。
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公开(公告)号：CN102768928B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210090621.4
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极盐及其制备方法、含有该阴极盐的钡钨阴极及其制备方法，该阴极中所含阴极盐的组分物质的量比为：BaCO34～5，CaCO30.4～0.7，Al2O31；制备方法包括称量、球磨、压制成块、烧结；含有该阴极盐的钡钨阴极的制备方法包括阴极基底制备、阴极盐制备、阴极盐浸渍、阴极车加工和阴极发射表面覆膜。使用该阴极盐制备的钡钨阴极能耐离子轰击，微波管使用寿命长，各项技术指标均能达到设计要求。
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公开(公告)号：CN102832090B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210313441.8
申请日：2012-08-29
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于空间行波管的热子组件及其制备方法，所述热子组件，由热子及阴极钼筒构成，所述热子一端为螺旋线结构，为螺旋线结构的热子一端表面设有电真空氧化铝层；为螺旋线结构的热子一端设于阴极钼筒内，且在热子与阴极钼筒之间填充有电真空氧化铝；所述热子组件的制备方法，包括五大步骤；所述用于空间行波管的热子组件及其制备方法，热效率高、可靠性强，能满足空间行波管发展的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637567B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210090848.9
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极盐及其制备方法、含有该阴极盐的钡钨阴极及其制备方法，该阴极盐其组分物质的量比为：碳酸钡3～4，碳酸钙0.3～0.8，铝粉1.5～2.5；制备方法包括称量、球磨、干燥与合成；使用该阴极盐制备的钡钨阴极具备高发射能力，能达到上百安培的发射能力，满足了微波器件大功率、高频率发展的需求。
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公开(公告)号：CN102592919B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210050105.9
申请日：2012-02-29
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J9/18
Abstract: 本发明公开了一种用于阴极组件的装配工装及其装配方法，装配工装包括基座部分和压紧部分，基座部分包括用于安装阴极发射体的阴极发射体定位孔(1)、用于安装阴极支持座的阴极支持座定位孔(2)和通槽(3)，且保证阴极发射体安装金属丝材的部位处于通槽(3)处，阴极支持座用于安放金属丝材的部位也处于通槽(3)处；压紧部分包括与基座部分的螺纹孔相配合的螺栓(4)以及与螺栓(4)相配合的螺帽(5)。具有该种结构的装配工装采用一体化工装，能在该套工装上同时完成金属丝材与阴极发射体和阴极支持座的装配与焊接，并且能保证装配后的组件无形变，各尺寸、同心度、平行度均能满足苛刻的技术要求，同时提高装配效率和装配合格率。
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公开(公告)号：CN102637566B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210090817.3
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大电流密度的钡钨阴极及其制备方法，钡钨阴极包括阴极钼筒(3)和填充在阴极钼筒(3)内的双层基底，双层基底包括上层和下层，上层是采用圆球形状的钨粉做为基底材料压制而成的球形钨粉层(1)，且钨粉的粒径是4μm；下层是采用钨粉与铼粉混合做为基底材料压制而成的钨铼合金层(2)，且钨粉和铼粉按照20％∶80％比例混合均匀。具有上述特殊结构的该种大电流密度的钡钨阴极采用双层基底，上层采用特定形状特定颗粒的钨粉做为基底材料压制而成，下层采用钨粉与铼粉混合做为基底材料压制而成，可稳定地提供100A/cm2的电流密度，满足大功率、高频率微波器件对阴极的需求，为微波器件的发展提供强有力的保障。
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公开(公告)号：CN103302163A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310251168.5
申请日：2013-06-21
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种波导变换耦合器内腔、耦合器一体成型方法及成型工装，该耦合器内腔一体成型方法，包括毛坯装夹、毛坯定位、耦合器内腔压制成型及取工件的步骤；该耦合器一体成型方法，包括耦合器内腔一体成型步骤及常规加工步骤；该成型工装，用于实现耦合器内腔一体成型；本发明利用模具将波导变换耦合器内腔挤压成型，进而使得波导变换耦合器一体化成型；减少了中间过程，避免了多个薄壁无氧铜零件的装配焊接等这些易产生形变的环节；本发明得到的波导变换耦合器，强度大，不易形变，微波传输性能佳；且加工工艺简单，重复性和一致性好，保证了微波器件的性能和合格率。
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公开(公告)号：CN102637568A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210090587.0
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹功率源器件的带状注阴极及其制备方法，带状注阴极包括阴极钼筒(1)和压制在阴极钼筒(1)内部的阴极基底(2)，阴极钼筒(1)的前端面设有狭缝带(4)，阴极钼筒(1)的后端安装有避免阴极盐蒸发物对器件造成污染的钽盖(3)，钽盖(3)通过激光焊的方式与阴极钼筒(1)紧密焊接在一起；且阴极基底(2)的表面上设有一层厚度为0.3微米-0.6微米锇铱铝膜。具有上述特殊结构的用于太赫兹功率源器件的带状注阴极发射的电子注为带状电子注，满足带状电子注真空电子器件对电子源的需求，且该阴极为采取密封式焊接，避免阴极盐的蒸发物对器件的污染。
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