公开(公告)号：CN101859160A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010202323.0

申请日：2010-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李一雷 ,  韩科锋 ,  谈熙 ,  闫娜 ,  闵昊

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种超低电源电压的带隙基准源。该带隙基准源由亚阈值管M1和亚阈值管M2，低电压运放，若干分压电阻，电流镜M3、M4、M5和输出电阻R6组成；本发明利用工作在亚阈值区的MOSFET的温度特性以及其两端低电压的特性，配合低电压运放，实现在超低电源电压(＜0.6V)下提供基准电压。该基准的输出电压与输出端的电阻有关，因此是可配置的。随着集成电路的工艺发展，其电源电压也不断降低。本发明非常适合于未来先进工艺的集成电路。

公开(公告)号：CN101820252A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010162491.1

申请日：2010-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王肖 ,  闫娜 ,  谈熙 ,  闵昊

IPC: H03F3/189 ,  H03F1/26

Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种用于多模收发机的可自动重构中心频率选带的窄带低噪声放大器。本发明的电路结构，结合了电容交叉耦合技术和正反馈技术，降低低噪声放大器的噪声，并可以通过数字电路辅助配置成振荡器，再经过自动频率控制环路来调谐窄带低噪声放大器的中心频率，选择所需要的频带，同时可以自动校正工艺偏差和温度变化带来的误差。本发明实现了一种自动调谐窄带低噪声放大器中心频率的电路结构。