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公开(公告)号：CN101118784A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710045649.5
申请日：2007-09-06
Applicant: 复旦大学
Inventor： 林殷茵 , 尹明 , 丁益青 , 唐立
IPC: G11C11/4072
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器不挥发存储器的复位操作方法。本发明设计了一种脉冲幅度以步进式增长的复位编程方式，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。
